技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種埋藏型金屬柵格生成方法及圖像傳感器制造方法，包括對半導(dǎo)體基底上部待生成金屬柵格區(qū)進行光刻，以在所述待生成金屬柵格區(qū)形成基底層材質(zhì)柵格；在所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁生成金屬膜層，以生成金屬柵格。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明金屬膜層的金屬柵格與現(xiàn)有技術(shù)中的實心金屬柵格在擋光性上具有完全相同的等效性；與現(xiàn)有技術(shù)相比，其只需進行一次光刻，且無需生成金屬層，有效簡化制程流程，降低制程成本；且對半導(dǎo)體基底上部待生成金屬柵格區(qū)進行光刻時，可直接在平坦化的半導(dǎo)體基底的上表面進行抗反射層和光阻層的涂覆，提高涂覆均勻性，進一步提高光刻效果，提高生成的金屬柵格的精度。

技術(shù)研發(fā)人員：王三坡;占瓊;孫鵬
受保護的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號碼：201611217440
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.26
技術(shù)公布日：2017.06.16