本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及到一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品的體積越來越趨于小型化，不僅攜帶方便，而且器件上集成的器件數(shù)量也越來越多，因此預(yù)留給器件的空間越來越小，封裝后的芯片必須輕薄短小。

M0SFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于M0SFET具有可實(shí)現(xiàn)低功耗電壓控制的特性,近年來被廣泛應(yīng)用在大量電子設(shè)備中，包括電源、汽車電子、計(jì)算機(jī)和智能手機(jī)中等。M0SFET器件通過將適當(dāng)電壓施加至M0SFET器件的柵極而工作，其接通該器件并形成連接M0SFET的源極(source)和漏極(drain)的通道以允許電流流動(dòng)。在M0SFET器件中，期望在該晶體管接通時(shí)具有低的漏源接通rfe阻(漏源電阻，drain-on-source resistance)RDS(onhM0SFET性能特別是電流承載能力的優(yōu)劣很大程度上取決于散熱性能，散熱性能的好壞又主要取決于封裝形式。M0STOT的封裝要求是大電流的承載能力、高效的導(dǎo)熱能力以及較小的封裝尺寸。

目前M0SFET封裝主要是TO、SOT、S0P、QFP、QFN等形式，這類封裝都是將芯片包裹在塑封體內(nèi)，塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導(dǎo)體向輕、短、薄、小方向發(fā)展的要求,而且無法將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量及時(shí)導(dǎo)走或散去，制約了MS0FET性能提升，另外就封裝工藝而言，這類封裝都是基于單顆芯片進(jìn)行，存在生產(chǎn)效率低、封裝成本高的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片分別通過導(dǎo)電金屬層與載板連接，減少漏源極的導(dǎo)通電阻；通過在導(dǎo)電金屬層與源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱，增加電流的導(dǎo)通效果；通過將焊盤設(shè)置在導(dǎo)電金屬層的內(nèi)部，提高焊盤的牢固性，解決了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝體積大、散熱性差以及漏源間的導(dǎo)通電阻大的問題。

本實(shí)用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板和MOSFET芯片，所述載板上設(shè)置有凹槽；所述MOSFET芯片的正面設(shè)置有源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片，背面設(shè)置有漏極導(dǎo)電片；所述凹槽上設(shè)置有導(dǎo)電金屬層，所述導(dǎo)電金屬層包括第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層，所述第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層之間存在間隙；

所述源極導(dǎo)電片與第一導(dǎo)電金屬層、柵極導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電金屬層之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱；

所述載板上的導(dǎo)電金屬層以及漏極導(dǎo)電片上設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層上設(shè)置有焊盤，所述焊盤上設(shè)置有導(dǎo)電體。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層之間的間距為10-30um。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層的高度差為0-5um。

進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電柱呈棱臺(tái)或圓臺(tái)狀，所述兩導(dǎo)電柱的小端面分別與源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片連接，其中，兩大端面分別與第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層連接。

進(jìn)一步地，還包括填充物，所述填充物設(shè)置在導(dǎo)電金屬層的上表面、MOSFET芯片的正面以及導(dǎo)電柱的外表面所形成的區(qū)域內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述焊盤包括源極焊盤、柵極焊盤和漏極焊盤，所述源極焊盤和柵極焊盤進(jìn)入導(dǎo)電金屬層的深度小于等于導(dǎo)電金屬層的厚度；所述漏極焊盤與漏極導(dǎo)電片相接觸。

進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電體的形狀為焊接凸塊或焊接方形塊，通過三個(gè)導(dǎo)電體分別與外界線路連接。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片分別通過導(dǎo)電金屬層與載板連接，減少漏源極的導(dǎo)通電阻；通過在導(dǎo)電金屬層與源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱，增加電流的導(dǎo)通效果；通過將焊盤設(shè)置在導(dǎo)電金屬層的內(nèi)部，提高焊盤的牢固性，該實(shí)用新型不僅具有封裝體積小、散熱性高的特點(diǎn)，而且大大降低了生產(chǎn)成本和生產(chǎn)周期，同時(shí)提高了芯片的使用壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

100-載板，200-MOSFET芯片，201-源極導(dǎo)電片，202-柵極導(dǎo)電片，203-漏極導(dǎo)電片，300-導(dǎo)電金屬層，301-第一導(dǎo)電金屬層，302-第二導(dǎo)電金屬層，303-導(dǎo)電柱,304-填充物，400-凹槽，500-導(dǎo)電體，501-源極焊盤，502-柵極焊盤,503-漏極焊盤。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1所示，一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板100和MOSFET芯片200，載板100的中部有凹槽400結(jié)構(gòu)，載板100的凹槽400上設(shè)置有導(dǎo)電金屬層300，導(dǎo)電金屬層300延伸至載板100的上表面，導(dǎo)電金屬層300包括第一導(dǎo)電金屬層301和第二導(dǎo)電金屬層302，且第一導(dǎo)電金屬層301和第二導(dǎo)電金屬層302之間存在間隙，該間隙的距離為10-30um；MOSFET芯片200的正面包括源極區(qū)和柵極區(qū)，在源極區(qū)上設(shè)置有源極導(dǎo)電片201，在柵極區(qū)上設(shè)置有柵極導(dǎo)電片202；MOSFET芯片200的背面設(shè)置有漏極區(qū)，在漏極區(qū)上設(shè)置有漏極導(dǎo)電片203。

源極導(dǎo)電片201和柵極導(dǎo)電片202分別設(shè)置在凹槽內(nèi)，源極導(dǎo)電片201和柵極導(dǎo)電片202分別與第一導(dǎo)電金屬層301和第二導(dǎo)電金屬層302之間設(shè)置有導(dǎo)電柱303；源極導(dǎo)電片201和柵極導(dǎo)電片202分別通過導(dǎo)電柱303與第一導(dǎo)電金屬層301和第二導(dǎo)電金屬層302連接。

其中導(dǎo)電柱303呈棱臺(tái)或圓臺(tái)狀，兩導(dǎo)電柱303的小端面分別與源極導(dǎo)電片201和柵極導(dǎo)電片202連接，兩大端面分別與第一導(dǎo)電金屬層301和第二導(dǎo)電金屬層302連接。

凹槽400底部的上表面與MOSFET芯片200的上表面之間設(shè)置有填充物304，導(dǎo)電金屬層300的上表面、MOSFET芯片200的正面以及導(dǎo)電柱303的外表面所形成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有填充物304。

在載板100的上表面和漏極導(dǎo)電片203的上表面設(shè)置有保護(hù)層400，保護(hù)層400為一體化結(jié)構(gòu)，與有源極導(dǎo)電片201和柵極導(dǎo)電片202相連的導(dǎo)電金屬層300的上表面以及漏極導(dǎo)電片203的上表面對(duì)應(yīng)的保護(hù)層400上分別設(shè)置有三個(gè)開口，在開口處設(shè)置有源極焊盤501、柵極焊盤502和漏極焊盤503，源極焊盤501和柵極焊盤502的底部與導(dǎo)電金屬層300接觸或進(jìn)入導(dǎo)電金屬層300內(nèi)，且進(jìn)入的深度小于等于導(dǎo)電金屬層300的厚度；漏極焊盤503與漏極導(dǎo)電片203相接觸。

源極焊盤501、柵極焊盤502和漏極焊盤503上分別設(shè)置有導(dǎo)電體500，導(dǎo)電體500的形狀為焊接凸塊或焊接方形塊，通過三個(gè)導(dǎo)電體500分別與外界線路連接，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的流動(dòng)。

本實(shí)施例中導(dǎo)電金屬層300未延伸至載板100的邊緣，使得保護(hù)層400將導(dǎo)電金屬層300包封，避免導(dǎo)電金屬層300與其他導(dǎo)電體接觸。

本實(shí)用新型源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片分別通過導(dǎo)電金屬層與載板連接，減少漏源極的導(dǎo)通電阻；通過在導(dǎo)電金屬層與源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱，增加電流的導(dǎo)通效果；通過將焊盤設(shè)置在導(dǎo)電金屬層的內(nèi)部，提高焊盤的牢固性，該實(shí)用新型不僅具有封裝體積小、散熱性高的特點(diǎn)，而且大大降低了生產(chǎn)成本和生產(chǎn)周期，同時(shí)提高了芯片的使用壽命。

以上內(nèi)容僅僅是對(duì)本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)所作的舉例和說明，所屬本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，只要不偏離實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。