1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板(100)和MOSFET芯片(200)，所述載板(100)上設(shè)置有凹槽(400)；所述MOSFET芯片(200)的正面設(shè)置有源極導(dǎo)電片(201)和柵極導(dǎo)電片(202)，背面設(shè)置有漏極導(dǎo)電片(203)，其特征在于：所述凹槽(400)上設(shè)置有導(dǎo)電金屬層(300)，所述導(dǎo)電金屬層(300)包括第一導(dǎo)電金屬層(301)和第二導(dǎo)電金屬層(302)，所述第一導(dǎo)電金屬層(301)和第二導(dǎo)電金屬層(302)之間存在間隙；
所述源極導(dǎo)電片(201)與第一導(dǎo)電金屬層(301)、柵極導(dǎo)電片(202)與第二導(dǎo)電金屬層(302)之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱(303)；
所述載板(100)上的導(dǎo)電金屬層(300)以及漏極導(dǎo)電片(203)上設(shè)置有保護(hù)層(400)，所述保護(hù)層(400)上設(shè)置有焊盤，所述焊盤上設(shè)置有導(dǎo)電體(500)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)電金屬層(301)和第二導(dǎo)電金屬層(302)之間的間距為10-30um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)電金屬層(301)和第二導(dǎo)電金屬層(302)的高度差為0-5um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)電柱(303)呈棱臺(tái)或圓臺(tái)狀，所述兩導(dǎo)電柱(303)的小端面分別與源極導(dǎo)電片(201)和柵極導(dǎo)電片(202)連接，其中，兩大端面分別與第一導(dǎo)電金屬層(301)和第二導(dǎo)電金屬層(302)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括填充物(304)，所述填充物(304)設(shè)置在導(dǎo)電金屬層(300)的上表面、MOSFET芯片(200)的正面以及導(dǎo)電柱(303)的外表面所形成的區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述焊盤包括源極焊盤(501)、柵極焊盤(502)和漏極焊盤(503)，所述源極焊盤(501)和柵極焊盤(502)進(jìn)入導(dǎo)電金屬層(300)的深度小于等于導(dǎo)電金屬層(300)的厚度；所述漏極焊盤(503)與漏極導(dǎo)電片(203)相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)電體(500)的形狀為焊接凸塊或焊接方形塊，通過三個(gè)導(dǎo)電體(500)分別與外界線路連接。