技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開一種場效應(yīng)晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板和MOSFET芯片，所述載板上設(shè)置有凹槽；所述凹槽上分別設(shè)置第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層；所述源極導(dǎo)電片與第一導(dǎo)電金屬層、柵極導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電金屬層之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱；所述載板上的導(dǎo)電金屬層以及漏極導(dǎo)電片上設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層上設(shè)置有焊盤，所述焊盤上設(shè)置有導(dǎo)電體。本實(shí)用新型源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片分別通過導(dǎo)電金屬層與載板連接，減少漏源極的導(dǎo)通電阻；通過在導(dǎo)電金屬層與源極導(dǎo)電片和柵極導(dǎo)電片之間分別設(shè)置有導(dǎo)電柱，增加電流的導(dǎo)通效果；通過將焊盤設(shè)置在導(dǎo)電金屬層的內(nèi)部，提高焊盤的牢固性，具有封裝體積小、散熱性高、生產(chǎn)成本低和芯片使用壽命長的特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：彭勇;尤文勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥市華達(dá)半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201621480217
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.07.07