1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
半導(dǎo)體基板；
電極，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)炔X；以及
勢壘層，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板與所述電極之間，
所述勢壘層從接近于所述半導(dǎo)體基板的一側(cè)起依次具有第一氮化鈦層、第一鈦層、第二氮化鈦層和第二鈦層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二鈦層具有比所述第一鈦層大的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一鈦層和所述第二鈦層各自具有比所述第一氮化鈦層和所述第二氮化鈦層中的任一個小的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一鈦層和所述第二鈦層的各自的厚度為10nm以上且50nm以下，
所述第一氮化鈦層和所述第二氮化鈦層的各自的厚度為50nm以上且200nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還具備：
有源區(qū)，其具有柵極結(jié)構(gòu)；以及
元件區(qū)，其是與所述有源區(qū)不同的區(qū)域，并包括設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件，
所述勢壘層設(shè)置在包含鋁的所述電極與所述半導(dǎo)體元件之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是pn結(jié)二極管，
包含鋁的所述電極是與所述pn結(jié)二極管電連接的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述元件區(qū)在所述半導(dǎo)體元件的正面?zhèn)冗€具有絕緣膜，
所述勢壘層還設(shè)置在從所述有源區(qū)向所述元件區(qū)延伸設(shè)置的所述絕緣膜的正面?zhèn)取?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述絕緣膜具有將所述半導(dǎo)體元件與包含鋁的所述電極電連接的接觸孔，
所述勢壘層還設(shè)置于所述接觸孔的側(cè)壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在俯視所述半導(dǎo)體基板時，所述勢壘層的設(shè)置區(qū)域比所述元件區(qū)寬。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述有源區(qū)的所述柵極結(jié)構(gòu)還具有：
柵極；以及
所述勢壘層，其與所述柵極相比更靠向正面?zhèn)仍O(shè)置，
所述有源區(qū)中的所述勢壘層的所述元件區(qū)一側(cè)的端部與所述元件區(qū)中的所述勢壘層的所述有源區(qū)一側(cè)的端部分開10μm以上且20μm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在與所述柵極相比更靠向正面?zhèn)仍O(shè)置的所述電極與所述柵極之間還具備層間絕緣膜，
所述勢壘層設(shè)置在與所述柵極相比更靠向正面?zhèn)仍O(shè)置的所述電極與所述層間絕緣膜之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還具備沿著所述半導(dǎo)體基板的端部的邊設(shè)置的耐壓結(jié)構(gòu)部，
所述勢壘層設(shè)置于所述耐壓結(jié)構(gòu)部的正面?zhèn)龋?/p>
所述耐壓結(jié)構(gòu)部的所述勢壘層具有浮動電位。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述耐壓結(jié)構(gòu)部的所述勢壘層的正面?zhèn)炔辉O(shè)有包含鋁的所述電極。