技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，具備：半導(dǎo)體基板；電極，設(shè)置于半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)炔X；以及勢壘層，其設(shè)置在半導(dǎo)體基板與電極之間，勢壘層從接近于半導(dǎo)體基板的一側(cè)起依次具有第一氮化鈦層、第一鈦層、第二氮化鈦層和第二鈦層。

技術(shù)研發(fā)人員：星保幸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會社
文檔號碼：201680002942
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.22
技術(shù)公布日：2017.05.24