技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及納米多孔材料及其制備方法。該多孔材料含有M單質(zhì)，M為Si和/或Ge；該多孔材料的粒度為20～150nm，孔隙率為0.2～0.8，比表面積為15～300m2/g。該多孔材料作為電極材料具有較好的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：朱嘉;宗麟奇;劉暢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710056842
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.26
技術(shù)公布日：2017.05.17