本發(fā)明屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超薄封裝元件的制作工藝。

背景技術(shù)：

目前在無引腳封裝產(chǎn)品方面種類較少，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及封裝工藝比較普通，產(chǎn)品在市場的沒有太多的競爭力。針對結(jié)構(gòu)復(fù)雜的工藝要求難以實現(xiàn)。傳統(tǒng)產(chǎn)品厚度仍然比較大，無法滿足當(dāng)前的便攜式設(shè)備對小體積、高密度封裝的需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種超薄封裝元件的制作工藝。

本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案：一種超薄封裝元件的制作工藝，包括如下步驟：

a、框架設(shè)計制造

采用金屬作為底板，在底板上通過干膜光刻掩膜，按順序分別電鍍厚度控制在0.03～0.05um的Au層、厚度60～80um的Ni層和厚度1.5～3umAg層，形成組裝功能區(qū)，用于芯片的安裝和焊線的焊點；

b、裝片

采用共晶或銀膠或絕緣膠中的任一種裝片工藝，完成芯片安裝；

c、焊線

采用球焊工藝進(jìn)行焊接；

d、等離子清洗

進(jìn)行等離子清洗，保證產(chǎn)品在塑封前的表面清潔，提高器件的可靠性和濕度敏感性；

e、塑封固化

產(chǎn)品裝入塑封模具，加入環(huán)氧樹脂包裹成型，使產(chǎn)品內(nèi)部的芯片和焊線能夠安全地保護(hù)，塑封后的產(chǎn)品經(jīng)過高溫150～175℃烘烤4～8小時，使環(huán)氧樹脂內(nèi)部結(jié)構(gòu)能夠充分反應(yīng)；

f、化學(xué)去框架底板

產(chǎn)品放進(jìn)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，框架底板材料在腐蝕液中被腐蝕掉，而與底板接觸的鍍金層由于耐腐蝕性未被腐蝕，去除框架底板后產(chǎn)品的底部全部露出鍍金層凸點，用于產(chǎn)品后續(xù)與PCB板之間的焊接；

g、切割分離

將去除底板后的產(chǎn)品粘貼在UV上，按照產(chǎn)品設(shè)計的尺寸大小及外露的鍍金凸點之間的間距采用切割設(shè)備進(jìn)行切割分離，切割后進(jìn)行UV照射并使產(chǎn)品從UV上分離開，通過清洗并干燥烘干；

h、測試、包裝

根據(jù)產(chǎn)品的電性規(guī)定設(shè)定測試程序進(jìn)行電性能參數(shù)測試，通過測試合格產(chǎn)品按照印章內(nèi)容要求MARK打印，并對測試打印后產(chǎn)品進(jìn)行外觀檢測通過后進(jìn)行編帶包裝，形成合格成品。

進(jìn)一步地，所述步驟a中底板為厚度0.1mm的銅板或不銹鋼板材料通過多層電鍍方式制成。

進(jìn)一步地，所述步驟b中采用銀膠、絕緣膠工藝的產(chǎn)品裝片后需進(jìn)行加溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)后進(jìn)行等離子清洗去除燒結(jié)過程中的銀膠、絕緣膠產(chǎn)生的揮發(fā)物，保證下道焊線工序的品質(zhì)。

進(jìn)一步地，所述步驟c中球焊工藝中選用金線、合金線或者銅線等焊接材料，采用合金線和銅線生產(chǎn)在焊接過程中需要增加氮氫混合氣進(jìn)行保護(hù)，防止球氧化造成焊接不良。

采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有以下的有益效果：

1、結(jié)構(gòu)靈活，可以根據(jù)需要隨意設(shè)計裝片和焊線功能區(qū)域形狀；

2、封裝工藝簡單，設(shè)備通用性強(qiáng)；

3、最終產(chǎn)品內(nèi)部無框架設(shè)計，產(chǎn)品超薄化。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

圖1是本發(fā)明的工藝流程圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1所示的一種超薄封裝元件的制作工藝，包括如下步驟：

a、框架設(shè)計制造

采用金屬作為底板，底板選用厚度0.1mm的銅板或不銹鋼板材料，在底板上通過干膜光刻掩膜，按順序分別電鍍厚度控制在0.03～0.05um的Au層、厚度60～80um的Ni層和厚度1.5～3umAg層，形成組裝功能區(qū)，用于芯片的安裝和焊線的焊點；

b、裝片

采用共晶或銀膠或絕緣膠中的任一種裝片工藝，完成芯片安裝，采用銀膠、絕緣膠工藝的產(chǎn)品裝片后需進(jìn)行加溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)后進(jìn)行等離子清洗去除燒結(jié)過程中的銀膠、絕緣膠產(chǎn)生的揮發(fā)物，保證下道焊線工序的品質(zhì)；

c、焊線

采用球焊工藝進(jìn)行焊接，選用金線、合金線或者銅線等焊接材料，采用合金線和銅線生產(chǎn)在焊接過程中需要增加氮氫混合氣進(jìn)行保護(hù)，防止球氧化造成焊接不良。

d、等離子清洗

進(jìn)行等離子清洗，保證產(chǎn)品在塑封前的表面清潔，提高器件的可靠性和濕度敏感性；

e、塑封固化

產(chǎn)品裝入塑封模具，加入環(huán)氧樹脂包裹成型，使產(chǎn)品內(nèi)部的芯片和焊線能夠安全地保護(hù)，塑封后的產(chǎn)品經(jīng)過高溫150～175℃烘烤4～8小時，使環(huán)氧樹脂內(nèi)部結(jié)構(gòu)能夠充分反應(yīng)；

f、化學(xué)去框架底板

產(chǎn)品放進(jìn)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，框架底板材料在腐蝕液中被腐蝕掉，而與底板接觸的鍍金層由于耐腐蝕性未被腐蝕，去除框架底板后產(chǎn)品的底部全部露出鍍金層凸點，用于產(chǎn)品后續(xù)與PCB板之間的焊接；

g、切割分離

將去除底板后的產(chǎn)品粘貼在UV上，按照產(chǎn)品設(shè)計的尺寸大小及外露的鍍金凸點之間的間距采用切割設(shè)備進(jìn)行切割分離，切割后進(jìn)行UV照射并使產(chǎn)品從UV上分離開，通過清洗并干燥烘干；

h、測試、包裝

根據(jù)產(chǎn)品的電性規(guī)定設(shè)定測試程序進(jìn)行電性能參數(shù)測試，通過測試合格產(chǎn)品按照印章內(nèi)容要求MARK打印，并對測試打印后產(chǎn)品進(jìn)行外觀檢測通過后進(jìn)行編帶包裝，形成合格成品。

本發(fā)明設(shè)計新穎，采用特殊的框架設(shè)計方式，裝片和焊線功能區(qū)域可根據(jù)結(jié)構(gòu)需要設(shè)計不同形狀并通過電鍍形成，最終成型后的產(chǎn)品內(nèi)部沒有框架。該種工藝容易實現(xiàn)各種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的封裝要求，設(shè)備工裝通用性強(qiáng)，封裝工藝難度低，產(chǎn)品厚度可實現(xiàn)超薄型化。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。