1. 一種超薄封裝元件的制作工藝，其特征在于，包括如下步驟：
a、框架設(shè)計(jì)制造
采用金屬作為底板，在底板上通過(guò)干膜光刻掩膜，按順序分別電鍍厚度控制在
0.03~0.05um的Au層、厚度60~80um的Ni層和厚度1.5~3umAg層，形成組裝功能區(qū)，用于芯片的安裝和焊線(xiàn)的焊點(diǎn)；
b、裝片
采用共晶或銀膠或絕緣膠中的任一種裝片工藝，完成芯片安裝；
c、焊線(xiàn)
采用球焊工藝進(jìn)行焊接；
d、等離子清洗
進(jìn)行等離子清洗，保證產(chǎn)品在塑封前的表面清潔；
e、塑封固化
產(chǎn)品裝入塑封模具，加入環(huán)氧樹(shù)脂包裹成型，使產(chǎn)品內(nèi)部的芯片和焊線(xiàn)能夠安全地保護(hù)，塑封后的產(chǎn)品經(jīng)過(guò)高溫150~175℃烘烤4~8小時(shí)，使環(huán)氧樹(shù)脂內(nèi)部結(jié)構(gòu)能夠充分反應(yīng)；
f、化學(xué)去框架底板
產(chǎn)品放進(jìn)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，框架底板材料在腐蝕液中被腐蝕掉，而與底板接觸的鍍金層由于耐腐蝕性未被腐蝕，去除框架底板后產(chǎn)品的底部全部露出鍍金層凸點(diǎn)，用于產(chǎn)品后續(xù)與PCB板之間的焊接；
g、切割分離
將去除底板后的產(chǎn)品粘貼在UV上，按照產(chǎn)品設(shè)計(jì)的尺寸大小及外露的鍍金層凸點(diǎn)之間的間距采用切割設(shè)備進(jìn)行切割分離，切割后進(jìn)行UV照射并使產(chǎn)品從UV上分離開(kāi)，通過(guò)清洗并干燥烘干；
h、測(cè)試、包裝
根據(jù)產(chǎn)品的電性規(guī)定設(shè)定測(cè)試程序進(jìn)行電性能參數(shù)測(cè)試，通過(guò)測(cè)試合格產(chǎn)品按照印章內(nèi)容要求MARK打印，并對(duì)測(cè)試打印后產(chǎn)品進(jìn)行外觀(guān)檢測(cè)通過(guò)后進(jìn)行編帶包裝，形成合格成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄封裝元件的制作工藝，其特征在于：所述步驟a中底板為厚度0.1mm的銅板或不銹鋼板材料通過(guò)多層電鍍方式制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄封裝元件的制作工藝，其特征在于：所述步驟b
采用銀膠、絕緣膠工藝的產(chǎn)品裝片后需進(jìn)行加溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)后進(jìn)行等離子清洗去除燒結(jié)過(guò)程中的銀膠、絕緣膠產(chǎn)生的揮發(fā)物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超薄封裝元件的制作工藝，其特征在于：所述步驟c中球焊工藝中選用金線(xiàn)、合金線(xiàn)或者銅線(xiàn)等焊接材料，采用合金線(xiàn)和銅線(xiàn)生產(chǎn)在焊接過(guò)程中增加氮?dú)浠旌蠚膺M(jìn)行保護(hù)，防止球氧化造成焊接不良。