技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及增益天線及其制造方法，尤其涉及RFID標簽用增益天線及其制造方法。

背景技術(shù)：

RFID標簽是利用RFID(RadioFrequencyIDentification：射頻識別技術(shù)(無線通信的個體識別技術(shù)))的標簽，是包括存儲有識別編號等數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體芯片與用于進行電波收發(fā)的天線的薄型且重量較輕的小型電子裝置。

如上所述的RFID標簽期待被廣泛利用于物流管理等各種領(lǐng)域的各種使用環(huán)境中，因此希望通過大量生產(chǎn)來降低制造成本，并普及。此外，RFID標簽用天線為了擴大能收發(fā)數(shù)據(jù)的距離(通信距離)，降低收發(fā)時的數(shù)據(jù)丟失，需要較低的電阻。并且，RFID標簽在(例如，運送容器的追蹤、可追蹤性、位置信息的管理或洗衣標簽這樣的洗衣業(yè)者進行的衣類管理等)各種物理管理等領(lǐng)域中被使用，因此根據(jù)使用環(huán)境常常發(fā)生被反復(fù)彎折的情況，因此，需要即使被反復(fù)彎折，也能防止由于天線的金屬疲勞而導(dǎo)致斷線或電阻增大等天線特性的劣化從而無法再作為RFID標簽使用，因此需要具有良好的彎曲性。

作為形成RFID標簽用天線電路(導(dǎo)電電路)的方法，具有將銅線線圈、金屬絲用作天線的方法、將銅箔、鋁箔等金屬箔轉(zhuǎn)印到基材上的方法、在層疊于塑料膜等基材上的金屬箔上以抗蝕刻油墨印刷天線電路圖案，在進行掩模處理后，腐蝕金屬箔等方法。

然而，這些方法在生產(chǎn)性上具有限制，并不適合大量生產(chǎn)，進一步降低制造成本較為困難。此外，這些方法中，將金屬箔轉(zhuǎn)印到基材上的方法、腐蝕金屬箔的方法中，金屬箔利用軋制等來制造，但金屬箔中金屬的比例為大致100％的較高值，因此利用金屬箔形成有天線電路的RFID標簽具有電氣特性良好、但彎曲性較差的問題。利用金屬箔形成有天線電路的RFID標簽中，一般使用膜厚10～50μm左右的金屬箔，若金屬箔過厚，則接近金屬板的性質(zhì)，與基材的密接性降低，RFID標簽彎曲時金屬箔可能會從基材剝離。并且，由于金屬箔中的金屬比例較高，因此RFID標簽彎曲時，應(yīng)力集中于彎曲面，彎曲面易于發(fā)生裂紋，其結(jié)果是，產(chǎn)生電氣特性的惡化、斷線，從而無法用作RFID標簽用天線。另一方面，若為了提高RFID標簽的彎曲性，使用由金屬成分與樹脂成分構(gòu)成的導(dǎo)電膜來代替金屬箔，降低金屬的比例，則通常能通過應(yīng)力緩和而提高彎曲性，但降低金屬成分的含量會導(dǎo)致電阻惡化，無法滿足作為RFID標簽用天線的充分的特性。

作為制造形成不使用金屬箔、與基材之間的密接性良好的導(dǎo)電電路的RFID標簽用天線的方法，提出了如下的制造方法：利用柔版印刷將含有40質(zhì)量％以下的銀粒子的水性導(dǎo)電性油墨涂布到膜狀基材的表面，并使其干燥，由此在膜狀基材的表面形成厚度為0.1～0.5μm的導(dǎo)電膜，從而制造出作為RFID標簽的一種的IC標簽用天線(例如，參照日本專利特開2010-268073號公報)。

然而，日本專利特開2010-268073號公報的方法中，能夠大量生產(chǎn)電阻較低的IC標簽用天線來降低制造成本，但使用了銀粒子含量較少的導(dǎo)電性油墨，來形成厚度為0.1～0.5μm的較薄的導(dǎo)電膜，由于導(dǎo)電膜中銀的比例是高到大致為100％，因此與將金屬箔轉(zhuǎn)印到基材上的方法、腐蝕金屬箔的方法相同，存在彎曲性較差的問題。

此外，在天線被一體形成的RFID標簽芯片中，存在通信距離較短的問題，因此期望延長通信距離。因此，優(yōu)選為在天線被一體形成的RFID標簽芯片(形成為與RFID標簽芯片的天線發(fā)生電磁耦合)中安裝增益天線，來延長通信距離。

然而，在RFID標簽芯片中安裝增益天線的情況下，與在RFID標簽芯片中一體形成天線相同，需要安裝電氣特性以及彎曲性優(yōu)異且能廉價地大量生產(chǎn)的增益天線。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有的問題而完成的，其目的在于，提供一種電氣特性以及彎曲性優(yōu)異且能廉價地大量生產(chǎn)的增益天線以及其制造方法。

本發(fā)明人員為了解決上述問題，歷經(jīng)潛心研究，發(fā)現(xiàn)通過制造在基材上形成有銀導(dǎo)電膜的增益天線，該銀導(dǎo)電膜包含10～50體積％的銀粒子的燒結(jié)體且體積電阻率為3～100μΩ·cm，從而能制造電氣特性以及彎曲性優(yōu)異且能廉價地大量生產(chǎn)的增益天線，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明所涉及的增益天線的特征在于，在基材上形成包含10～50體積％的銀粒子的燒結(jié)體且體積電阻率在3～100μΩ·cm的銀導(dǎo)電膜。在該增益天線中，優(yōu)選銀導(dǎo)電膜的表面電阻率為0.5Ω/□以下，優(yōu)選厚度為1～6μm。

此外，本發(fā)明所涉及的增益天線的制造方法的特征在于，通過將包含50～70質(zhì)量％的銀粒子的銀粒子分散液涂布在基板上，之后進行燒成，從而在基板上形成上述銀導(dǎo)電膜。在該增益天線的制造方法中，優(yōu)選為利用柔版印刷來將銀粒子分散液涂布到基板上。此外，優(yōu)選銀粒子的平均粒徑在20nm以下。

另外，本說明書中，“銀粒子的平均粒徑”是指利用透過型電子顯微鏡照片(TEM圖像)所求得的銀粒子一次粒子直徑的平均值、即一次粒子平均直徑。

根據(jù)本發(fā)明，能制造電氣特性以及彎曲性優(yōu)異且能廉價地大量生產(chǎn)的增益天線。

附圖說明

圖1是說明實施例以及比較例中在基材上印刷Ag油墨后的形狀的圖。

圖2A是表示使用實施例以及比較例中制成的導(dǎo)電膜所制成的增益天線的形狀的圖。

圖2B是表示RFID標簽芯片安裝于圖2A的增益天線上的狀態(tài)的圖。

圖3是簡要地示出實施例以及比較例中使用的彎曲試驗用樣品的圖。

圖4是說明實施例以及比較例中進行的彎曲試驗的圖，圖4(b)是簡要地示出圖4(a)的虛線的圓所包圍部分放大后的彎曲試驗用樣品的圖。

具體實施方式

本發(fā)明所涉及的增益天線的實施方式中，在基材上形成包含10～50體積％的銀粒子的燒結(jié)體且體積電阻率在3～100μΩ·cm的銀導(dǎo)電膜。若銀導(dǎo)電膜中的銀粒子的燒結(jié)體的量小于10體積％，則銀導(dǎo)電膜中的銀粒子的燒結(jié)體的量會過少而導(dǎo)致導(dǎo)電性惡化，在用作為RFID標簽用增益天線的情況下，無法起到增益天線的作用。另一方面，若銀導(dǎo)電膜中的銀粒子的量超過50體積％，則在用作為RFID標簽用增益天線的情況下，RFID標簽彎曲時，應(yīng)力集中于彎曲面，從而易于在彎曲面產(chǎn)生裂紋。其結(jié)果是，易于產(chǎn)生電氣特性的惡化或斷線，無法起到增益天線的作用的可能性增高。此外，若銀導(dǎo)電膜的體積電阻率在3～100μΩ·cm的范圍內(nèi)，則在用作為RFID標簽用增益天線時，通信距離較長，能可靠地進行與讀寫器之間的RFID標簽數(shù)據(jù)的收發(fā)，因此，不易產(chǎn)生由增益天線導(dǎo)致的收發(fā)時的數(shù)據(jù)丟失。

此外，優(yōu)選為銀導(dǎo)電膜的表面電阻率在0.5Ω/□以下。若銀導(dǎo)電膜的表面電阻率在0～5Ω/□以下的范圍內(nèi)，則在用作為RFID標簽用增益天線時，通信距離較長，能可靠地進行與讀寫器之間的RFID標簽數(shù)據(jù)的收發(fā)，因此，不易產(chǎn)生由增益天線導(dǎo)致的收發(fā)時的數(shù)據(jù)丟失。

并且，優(yōu)選銀導(dǎo)電膜的厚度為1～6μm。銀導(dǎo)電膜的厚度越薄對于成本越有利，但若小于1μm，則在用作為RFID標簽用增益天線時，會由表皮效果導(dǎo)致UHF頻帶中電阻增大，通信距離縮短。

此外，本發(fā)明所涉及的增益天線的制造方法的實施方式中，通過將包含50～70質(zhì)量％的銀粒子的銀粒子分散液涂布在基板上，之后進行燒成，從而在基板上形成上述銀導(dǎo)電膜。若銀粒子分散液中的銀粒子的含量小于50質(zhì)量％，則難以在基板上形成上述銀導(dǎo)電膜，由于銀導(dǎo)電膜中的銀粒子的燒結(jié)體的量過少而導(dǎo)致導(dǎo)電性惡化、電阻增高，若銀粒子分散液中的銀粒子的含有量超過70質(zhì)量％，則銀粒子分散液粘度增高，難以利用柔版印刷等進行涂布。

在該增益天線的制造方法中，優(yōu)選利用柔版印刷將銀粒子分散液涂布到基板上，也可以反復(fù)進行多次柔版印刷。此外，銀粒子的平均粒徑優(yōu)選為在20nm以下，優(yōu)選為5～15nm。若銀粒子的平均粒徑在幾nm～十幾nm左右，則比表面積增大，熔點急劇降低，因此即使在300℃以下的低溫下進行燒成，也能使銀粒子相互之間燒結(jié)(即，能獲得銀納米粒子的低溫?zé)Y(jié)性)，但若銀粒子的平均粒徑比20nm大，則難以獲得銀納米粒子的低溫?zé)Y(jié)性。

另外，銀粒子的平均粒徑(一次粒子平均直徑)例如通過如下方式計算得到：將包含Ag油墨(皮凱姆企業(yè)有限公司制造(PChem Associates Inc.)的PFI-700型)等銀粒子的2質(zhì)量部的Ag油墨添加到96質(zhì)量部的環(huán)己烷與2質(zhì)量部的油酸的混合溶液中，該Ag油墨包含60質(zhì)量％的Ag粒子(平均粒徑10nm的銀粒子)、3.0質(zhì)量％的氯乙烯共聚物膠乳、2.0質(zhì)量％的聚氨酯以及2.5質(zhì)量％的丙二醇，在利用超聲波進行分散后，將獲得的分散溶液滴加于帶支承膜的Cu微柵，使其干燥，以倍率300，000倍拍攝利用透過型電子顯微鏡(日本電子株式會社制造的JEM-100CXMark-II型)、將加速電壓設(shè)為100kV、在明亮視野下觀察到的該微柵上的銀粒子的圖像，根據(jù)獲得的TEM圖像能計算銀粒子的平均粒徑。該銀粒子的一次粒子平均直徑的計算例如能使用圖像解析軟件(旭化成工程株式會社制造的A圖像君(注冊商標))來進行。該圖像解析軟件以顏色的深淺來識別各個粒子，并進行解析，例如能夠?qū)τ?00，000倍的TEM圖像以“粒子的明亮度”設(shè)為“暗”、“雜音去除過濾”設(shè)為“有”、“圓形閥值”設(shè)為“20”、“重疊度”設(shè)為“50”的條件進行圓形粒子解析，測定200個以上粒子的一次粒子直徑，求出該數(shù)平均直徑以作為一次粒子平均直徑。另外，在TEM圖像中凝結(jié)粒子、異性粒子較多的情況下，可能無法進行測定。

下面，對本發(fā)明所涉及的增益天線以及其制造方法的實施例進行詳細說明。

實施例

實施例1～4

首先，準備包含60質(zhì)量％的Ag粒子(平均粒徑10nm的銀粒子)、3.0質(zhì)量％的氯乙烯共聚物膠乳、2.0質(zhì)量％的聚氨酯以及2.5質(zhì)量％的丙二醇的Ag油墨(皮凱姆企業(yè)有限公司制造(PChem Associates Inc.)的PFI-700型)。

接著，使用柔版印刷機(日本電子精機株式會社的多用途微細印刷機JEMFlex)與柔版印刷機(株式會社渡邊護三堂制造、印刷版的材質(zhì)為旭化成工程株式會社制造的板狀感光性樹脂AWP等級DEF、表面加工150線、96DOT％)，將網(wǎng)紋容量設(shè)為8cc/m²(400線/英寸)、印刷速度設(shè)為20m/分、印刷次數(shù)分別設(shè)為1次(實施例1)、2次(實施例2)、3次(實施例3)以及4次(實施例4)，如圖1所示，印刷上述的Ag油墨，使得在基材(杜邦帝人薄膜公司制造的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜Melinex545(Melinex：注冊商標))10上形成3cm×15cm左右大小的大致矩形的5枚膜12，之后，通過在加熱板上對印刷物在140℃下進行30秒的熱處理，并進行燒成，從而獲得導(dǎo)電膜(銀導(dǎo)電膜)。

接著，將制作成的導(dǎo)電膜與基板一起切斷為如圖2A所示的大致J型，如圖2B所示，粘貼到粘接性剝離薄膜(琳得科株式會社制造的型號PET38)上來制作增益天線14后，在該增益天線14上(與天線一體形成)安裝RFID標簽芯片(Impinj公司制造的TrapMonza3)16(使得增益天線14與RFID標簽芯片16的天線產(chǎn)生電磁耦合)。

關(guān)于如上所述那樣制造的RFID標簽芯片搭載增益天線，在測定導(dǎo)電膜的膜厚、電阻(線電阻)以及表面電阻率的同時，計算導(dǎo)電膜的體積電阻率以及導(dǎo)電膜中的金屬(Ag)的比例。

利用激光顯微鏡(KEYENCE公司制造的型號VK-9700)，測量100個位置的形成導(dǎo)電膜的基材表面與導(dǎo)電膜表面的高低差，并通過計算平均值來求出導(dǎo)電膜的膜厚。其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的膜厚在實施例1中為1.4μm、在實施例2中為2.1μm、在實施例3中為3.0μm、在實施例4中為3.6μm。

導(dǎo)電膜的電阻(線電阻)通過利用測試器(CUSTOM公司制造的型號CDM-03D)測定增益天線的一個導(dǎo)電膜的最長直線部(5.0mm×70mm的矩形部分)的長邊方向的電阻而獲得。其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的電阻在實施例1中為7.7Ω、在實施例2中為1.8Ω、在實施例3中為1.2Ω，在實施例4中為0.8Ω。

將導(dǎo)電膜切割為2.0cm×2.0cm的大小，并使用表面電阻率測定器(三菱化學(xué)株式會社制造的LorestaGP)，通過4端子法測定導(dǎo)電膜的表面電阻率。其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的表面電阻率在實施例1中為0.25Ω/□、在實施例2中為0.06Ω/□、在實施例3中為0.03Ω/□，在實施例4中為0.02Ω/□。

根據(jù)導(dǎo)電膜的膜厚、電阻以及面積(形成于基材的表面的面積)求出導(dǎo)電膜的體積電阻率。其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的體積電阻率在實施例1中為44.6μΩ·cm、在實施例2中為17.4μΩ·cm、在實施例3中為15.3μΩ·cm、在實施例4中為13.6μΩ·cm。

將印刷面積2.6cm×13.1cm的導(dǎo)電膜溶解到(已知重量的)濃硝酸溶液中，通過ICP發(fā)光分析法計算溶液中的Ag濃度，計算出導(dǎo)電膜中的Ag的重量(g)，之后，根據(jù)Ag的密度10.5g/cm³求出Ag的體積(cm³)，并且根據(jù)導(dǎo)電膜的膜厚與印刷面積(2.6cm×13.1cm)求出導(dǎo)電膜的體積，從而根據(jù)Ag的體積(cm³)×100/導(dǎo)電膜的體積導(dǎo)(cm³)來計算出導(dǎo)電膜中的金屬(Ag)的比例。其結(jié)果是，導(dǎo)電膜中的Ag的比例在實施例1中為22.4體積％、在實施例2中為31.0體積％、在實施例3中為37.1體積％，在實施例4中為48.3體積％。

接著，關(guān)于制作的RFID標簽芯片搭載增益天線，在電波暗箱(邁科公司制造的MY1530)中，利用通信距離測定器(Voyantic公司制造的tagformance)，來測定800MHz～1100MHz的頻率區(qū)域(符合ISO/IEC18000-6C標準)的通信距離(theoretical read range forward)。另外，在該測定之前，進行該條件下的環(huán)境設(shè)定(利用附帶tagformance的參考標簽進行設(shè)定)。其結(jié)果是，頻率為955MHz的通信距離在實施例1中為3.2m、在實施例2中為4.0m、在實施例3中為4.2m，在實施例4中為4.0m。

接著，如圖3所示，將本實施例中制作的導(dǎo)電膜切斷為5.0mm×20.0mm的大小的大致矩形的導(dǎo)電膜12’，粘貼于粘接性剝離薄膜(琳得科株式會社制造的型號PET38)18上來制作彎曲試驗用樣品20。如圖4所示，用R＝0.5mm的鐵制的柱22以5.0N的力來擦該彎曲試驗用樣品20的導(dǎo)電膜12’，以彎曲成90°的狀態(tài)在箭頭方向上分別進行10次移動10cm的動作、100次移動10cm的動作、500次移動10cm的動作，之后，測定線電阻(測試器)，從而根據(jù)各自的(動作后的線電阻×100/試驗前的線電阻)求出電阻惡化率(在線電阻不變化的情況下為100％)。其結(jié)果是，電阻惡化率在實施例1以及實施例2中10次后、100次后、500次后均為100％，在實施例3中，10次后以及100次后為100％，500此后為125％，實施例4中，10次后為100％、100次后為150％、500次后為180％。

這些實施例1～4的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

[表1]

[表2]

[表3]

比較例1、實施例5～7

首先，在實施例1～4中使用的Ag油墨中加入氯乙烯共聚物膠乳、聚氨酯、丙二醇，準備包含50質(zhì)量％的Ag粒子(平均粒徑10nm的銀粒子)、18.4質(zhì)量％的氯乙烯共聚物膠乳、2.0質(zhì)量％的聚氨酯以及2.5質(zhì)量％的丙二醇的Ag油墨。

除了使用該Ag油墨以外，通過與實施例1～4相同的方法，印數(shù)次數(shù)分別設(shè)為1次(比較例1)、2次(實施例5)、3次(實施例6)、4次(實施例7)，從而獲得導(dǎo)電膜后，制作RFID標簽芯片搭載增益天線以及彎曲試驗用樣品，測定導(dǎo)電膜的膜厚、電阻以及表面電阻率，并且計算導(dǎo)電膜的體積電阻率以及導(dǎo)電膜中的Ag的比例。此外，通過與實施例1～4相同的方法，測定RFID標簽芯片搭載增益天線的通信距離，并且求出彎曲試驗用樣品的電阻惡化率。

其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的膜厚在比較例1中為1.7μm，在實施例5中為2.5μm，在實施例6中為3.4μm，在實施例7中為4.8μm，導(dǎo)電膜的電阻在比較例1中由于超載(OL)而無法測量，在實施例5中為8.9Ω，在實施例6中為3.9Ω，在實施例7中為2.8Ω，導(dǎo)電膜的表面電阻率在比較例1中由于超載(OL)而無法測量，在實施例5中為0.43Ω/□，在實施例6中為0.18Ω/□，在實施例7中為0.10Ω/□。此外，導(dǎo)電膜的體積電阻率在比較例1中由于超載(OL)而無法計算，在實施例5中為78.7μΩ·cm，在實施例6中為53.5μΩ·cm，在實施例7中為46.1μΩ·cm。此外，導(dǎo)電膜中的Ag的比例在比較例1中為8.5體積％、在實施例5中為15.5體積％、在實施例6中為17.5體積％，在實施例7中為18.8體積％。此外，頻率955MHz的通信距離在比較例1中為0.0m、在實施例5中為2.7m、在實施例6中為3.5m，在實施例7中為3.4m。并且，電阻惡化率在比較例1中由于超載(OL)而無法計算，在實施例5～7中的10次后、100次后、500次后均為100％。

這些實施例5～7以及比較例1的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

實施例8～10、比較例2

首先，準備經(jīng)過如下調(diào)整的Ag油墨：對實施例1～4使用的Ag油墨以3000rpm進行10分鐘的離心分離處理后，去除上面的澄清液體，將Ag粒子的濃度調(diào)整為70質(zhì)量％。

除了使用該Ag油墨以外，通過與實施例1～4相同的方法，將印數(shù)次數(shù)分別設(shè)為1次(比較例8)、2次(實施例9)、3次(實施例10)、4次(比較例2)，從而獲得導(dǎo)電膜后，制作RFID標簽芯片搭載增益天線以及彎曲試驗用樣品，測定導(dǎo)電膜的膜厚、電阻以及表面電阻率，并且計算導(dǎo)電膜的體積電阻率以及導(dǎo)電膜中的Ag的比例。此外，通過與實施例1～4相同的方法，測定RFID標簽芯片搭載增益天線的通信距離，并且求出彎曲試驗用樣品的電阻惡化率。

其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的膜厚在實施例8中為1.7μm，在實施例9中為2.5μm，在實施例10中為2.8μm，在比較例2中為3.1μm，導(dǎo)電膜的電阻在實施例8中為5.5Ω，在實施例9中為1.8Ω，在實施例10中為1.0Ω，在比較例2中為0.6Ω，導(dǎo)電膜的表面電阻率在實施例8中為0.19Ω/□，在實施例9中為0.06Ω/□，在實施例10中為0.03Ω/□，在比較例2中為0.01Ω/□。此外，導(dǎo)電膜的體積電阻率在實施例8中為32.8μΩ·cm、在實施例9中為17.4μΩ·cm、在實施例10中為10.8μΩ·cm、在比較例2中為7.9μΩ·cm。導(dǎo)電膜中的Ag的比例在實施例8中為25.6體積％、在實施例9中為32.7體積％、在實施例10中為43.3體積％，在比較例2中為54.7體積％。頻率955MHz的通信距離在實施例8中為3.6m、在實施例9中為4.0m、在實施例10中為4.0m，在比較例2中為4.2m。并且，電阻惡化率在實施例8中、在10次后、100次后、500次后均為100％，在實施例9中、10次后以及100次后為100％，500次后為120％，實施例10中、10次后為100％、100次后為110％、500次后為150％，在比較例2中、10次后為100％、100次后為350％、500次后為1200％。

這些實施例8～10以及比較例2的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

實施例11～13、比較例3、4

除了網(wǎng)紋容量設(shè)為20cc/m²(150線/英寸)以外，通過與實施例1～4相同的方法，將印數(shù)次數(shù)分別設(shè)為1次(實施例11)、2次(實施例12)、3次(實施例13)、4次(比較例3)以及8次(比較例4)，從而獲得導(dǎo)電膜后，制作RFID標簽芯片搭載增益天線以及彎曲試驗用樣品，測定導(dǎo)電膜的膜厚、電阻以及表面電阻率，并且計算導(dǎo)電膜的體積電阻率以及導(dǎo)電膜中的Ag的比例。此外，通過與實施例1～4相同的方法，測定RFID標簽芯片搭載增益天線的通信距離，并且求出彎曲試驗用樣品的電阻惡化率。

其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的膜厚在實施例11中為2.2μm，在實施例12中為3.6μm，在實施例13中為5.6μm，在比較例3中為7.5μm，在比較例4中為11.4μm，導(dǎo)電膜的電阻在實施例11中為1.6Ω，在實施例12中為0.9Ω，在實施例13中為0.2Ω，在比較例3中為0.2Ω，在比較例4中為0.2Ω，導(dǎo)電膜的表面電阻率在實施例11中為0.06Ω/□，在實施例12中為0.02Ω/□，在實施例13中為0.01Ω/□，在比較例3中為0.01Ω/□，在比較例4中為0.01Ω/□。此外，導(dǎo)電膜的體積電阻率在實施例11中為15.4μΩ·cm、在實施例12中為11.5μΩ·cm、在實施例13中為3.6μΩ·cm、在比較例3中為4.8μΩ·cm、在比較例4中為7.3μΩ·cm。導(dǎo)電膜中的Ag的比例在實施例11中為28.5體積％、在實施例12中為38.5體積％、在實施例13中為49.2體積％，在比較例3中為54.9體積％，在比較例4中為70.1體積％。頻率955MHz的通信距離在實施例11中為3.8m、在實施例12中為4.1m、在實施例13中為4.2m，在比較例3中為4.2m，在比較例4中為4.2m。并且，電阻惡化率在實施例11中、10次后、100次后、500次后均為100％，在實施例12中、10次后以及100次后為100％，500此后為125％，實施例13中、10次后為100％、100次后為150％、500次后為180％，在比較例3中、10次后為200％、100次后為400％、500次后為1400％。在比較例4中、由于在10次內(nèi)發(fā)生斷線，因此無法求出電阻惡化率。

這些實施例11～13以及比較例3～4的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

比較例5～8

首先，在實施例1～4中使用的Ag油墨中加入氯乙烯共聚物膠乳、聚氨酯、丙二醇，準備包含40質(zhì)量％的Ag粒子(平均粒徑10nm的銀粒子)、33.8質(zhì)量％的氯乙烯共聚物膠乳、2.0質(zhì)量％的聚氨酯以及2.5質(zhì)量％的丙二醇的Ag油墨。

除了使用該Ag油墨以外，通過與實施例1～4相同的方法，將印數(shù)次數(shù)分別設(shè)為1次(比較例5)、2次(比較例6)、3次(比較例7)、4次(比較例8)，從而獲得導(dǎo)電膜后，制作RFID標簽芯片搭載增益天線以及彎曲試驗用樣品，測定導(dǎo)電膜的膜厚、電阻以及表面電阻率，并且計算導(dǎo)電膜的體積電阻率以及導(dǎo)電膜中的Ag的比例。此外，通過與實施例1～4相同的方法，測定RFID標簽芯片搭載增益天線的通信距離，并且求出彎曲試驗用樣品的電阻惡化率。

其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的膜厚在比較例5中為1.5μm，在比較例6中為2.4μm，在比較例7中為3.6μm，在比較例8中為5.0μm，導(dǎo)電膜的電阻在比較例5中由于超載(OL)而無法測量，在比較例6中為820.0Ω，在比較例7中為185.0Ω，在比較例8中為70.0Ω，導(dǎo)電膜的表面電阻率在比較例5中由于超載(OL)而無法測量，在比較例6中為114.0Ω/□，在比較例7中為35.5Ω/□，在比較例8中為7.4Ω/□。此外，導(dǎo)電膜的體積電阻率在比較例5中由于超載(OL)而無法計算，在比較例6中為4280μΩ·cm，在比較例7中為1705μΩ·cm，在比較例8中為1140μΩ·cm。導(dǎo)電膜中的Ag的比例在比較例5中為5.7體積％、在比較例6中為6.4體積％、在比較例7中為5.9體積％，在比較例8中為7.0體積％。頻率955MHz的通信距離在比較例5中為0.0m、在比較例6中為0.0m、在比較例7中為0.7m，在比較例8中為1.8m。并且，電阻惡化率在比較例5中由于超載(OL)而無法計算，在比較例6～8中的10次后、100次后、500次后均為100％。

這些比較例5～8的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

比較例9～10

切斷厚度分別為1.0μm(比較例9)以及3.0μm(比較例10)的Ag箔(竹內(nèi)金屬箔工業(yè)株式會社制造、100mm×100mm)來用作導(dǎo)電膜(導(dǎo)電膜中的Ag的比例為100％)，以代替實施例1～4中獲得的導(dǎo)電膜，除此以外，通過與實施例1～4相同的方法，制作RFID標簽芯片搭載增益天線以及彎曲試驗用樣品，測定導(dǎo)電膜的電阻以及表面電阻率，并且計算導(dǎo)電膜的體積電阻率。此外，通過與實施例1～4相同的方法，測定RFID標簽芯片搭載增益天線的通信距離，并且求出彎曲試驗用樣品的電阻惡化率。

其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的電阻在比較例9中為0.3Ω，在比較例10中為0.2Ω，導(dǎo)電膜的表面電阻率在比較例9中為0.01Ω/□，在比較例10中為0.01Ω/□。導(dǎo)電膜的體積電阻率在比較例9中為1.6μΩ·cm，在比較例10中為1.9μΩ·cm。頻率955MHz的通信距離在比較例9中為3.8m、在比較例10中為4.2m。并且，電阻惡化率在比較例9中、10次后為100％、100次后為200％、500次后為800％，在比較例10中、10次后為100％、100次后為150％、500次后為400％。

這些比較例9～10的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

比較例11～13

切斷厚度分別為3.0μm(比較例11)、6.0μm(比較例12)以及12.0μm(比較例13)的Al箔(竹內(nèi)金屬箔工業(yè)株式會社制造、100mm×100mm)來用作導(dǎo)電膜(導(dǎo)電膜中的Al的比例為100％)，以代替實施例1～4中獲得的導(dǎo)電膜，除此以外，通過與實施例1～4相同的方法，制作RFID標簽芯片搭載增益天線以及彎曲試驗用樣品，測定導(dǎo)電膜的電阻以及表面電阻率，并且計算導(dǎo)電膜的體積電阻率。此外，通過與實施例1～4相同的方法，測定RFID標簽芯片搭載增益天線的通信距離，并且求出彎曲試驗用樣品的電阻惡化率。

其結(jié)果是，導(dǎo)電膜的電阻在比較例11中為0.3Ω，在比較例12中為0.2Ω，在比較例13中為0.2Ω，導(dǎo)電膜的表面電阻率在比較例11～13中均為0.01Ω/□。導(dǎo)電膜的體積電阻率在比較例11中為3.8μΩ·cm，在比較例12中為7.6μΩ·cm，在比較例13中為15.3μΩ·cm。頻率955MHz的通信距離在比較例11中為4.2m、在比較例12中為4.0m、在比較例13中為4.0m。并且，電阻惡化率在比較例11中、10次后為167％、100次后為633％、500次后發(fā)生斷線，在比較例12中、10次后為100％、100次后為100％、500次后為1200％，在比較例13中、10次后為100％、100次后為100％、500次后為800％。

這些比較例11～13的條件以及結(jié)果在表1～表3中表示。

若將本發(fā)明所涉及的增益天線用作RFID標簽用的增益天線，則能制造具有實用的通信距離的增益天線的FEID標簽。