本發(fā)明涉及一種熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，具體地說(shuō)是涉及一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)及其實(shí)現(xiàn)方法。

背景技術(shù)：

目前白光LED的實(shí)現(xiàn)方式主要為藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉，其封裝形式通常是將熒光粉和硅膠混合均勻后，直接涂覆或灌封于芯片表面，由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光一部分直接通過(guò)熒光粉膜，其余部分光激發(fā)熒光粉產(chǎn)生黃光，兩部分光混合后在人眼的視覺(jué)下呈現(xiàn)為白光。這種LED芯片封裝結(jié)構(gòu)工藝簡(jiǎn)單，成本低，但由于熒光粉與芯片緊密接觸，使得芯片發(fā)光時(shí)所產(chǎn)生的熱量難以及時(shí)散發(fā)，導(dǎo)致芯片溫度升高，發(fā)光效率、可靠性及壽命降低，且芯片的熱量傳遞到熒光粉膜，使熒光粉也處于較高溫度之下，降低熒光粉的發(fā)光效率，加快熒光粉的老化，從而影響白光LED燈具的光學(xué)效率及可靠性。

近幾年，研究者們將遠(yuǎn)程熒光粉技術(shù)應(yīng)用于LED芯片設(shè)計(jì)，將LED芯片和熒光粉分離，改善了LED芯片和熒光粉的散熱環(huán)境，提高了燈具的發(fā)光效率及可靠性，但也存在以下問(wèn)題：(1)LED出光面面積較大，熒光粉置于出光面透明基質(zhì)上，所需熒光粉較多，導(dǎo)致成本增加；(2)LED熒光膜遠(yuǎn)離LED芯片，其光損增加，且熒光粉層或熒光粉膜至芯片的距離和熒光粉層或熒光粉膜的厚度存在偏差，導(dǎo)致出光不均勻，如CN204459825及CN203718451中的光源實(shí)現(xiàn)方式在實(shí)際應(yīng)用中存在出光不均勻等現(xiàn)象。

此外，傳統(tǒng)的藍(lán)光LED+黃色熒光粉封裝形式顯色指數(shù)低，最高僅能達(dá)到70，隨著人們對(duì)光品質(zhì)要求的提高，逐漸出現(xiàn)了藍(lán)光LED芯片+紅色熒光粉+綠色熒光粉、紫外LED芯片+紅色熒光粉+綠色熒光粉+藍(lán)色熒光粉的形式。紫外LED芯片由于技術(shù)不成熟、芯片成本高，尚不能廣泛應(yīng)用；藍(lán)光LED芯片+紅色熒光粉+綠色熒光粉逐漸成為高顯照明的主流趨勢(shì)，但現(xiàn)有封裝形式是將紅色熒光粉、綠色熒光粉和硅膠混合形成混合熒光粉層或膜，如CN103557457中單層熒光粉的設(shè)計(jì)，其紅色熒光粉與綠熒光粉顆粒相互接觸，存在光的二次吸收。例如，現(xiàn)在主流使用的(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉，其激發(fā)光譜較寬，在500～600nm仍存在較強(qiáng)吸收，而綠色熒光粉經(jīng)LED芯片激發(fā)出的綠光會(huì)有一部分被紅色熒光粉吸收，導(dǎo)致綠色熒光粉的用量增加、芯片需求功率增加，從而使成本增加。

綜上，遠(yuǎn)程熒光粉封裝形式存在下述問(wèn)題：(1)用粉量大，(2)光損大，出光不均勻，(3)熒光粉膜之間存在光的再吸收問(wèn)題，造成成本增加，這些限制了遠(yuǎn)程熒光粉封裝形式的廣泛應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一是提供一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)用粉量大、出光不均勻及熒光粉膜之間存在的光再吸收等問(wèn)題。

本發(fā)明的目的之二是提供一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法，以制備用粉量少、高效、出光均勻、使用壽命長(zhǎng)的新型遠(yuǎn)程熒光封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的目的之一是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、垂直安裝在所述基板外圍的反光板與散熱板，所述基板與反光板形成腔體；在所述基板上固定設(shè)置有LED芯片，在所述腔體內(nèi)的LED芯片上方設(shè)置有若干熒光粉膜，各相鄰熒光粉膜之間設(shè)置有透明介質(zhì)層；其中，經(jīng)所述LED芯片激發(fā)出的光不存在被吸收問(wèn)題的熒光粉膜設(shè)置在底層，位于底層熒光粉膜上方的熒光粉膜按照經(jīng)所述LED芯片激發(fā)出的光被其他熒光粉膜吸收的嚴(yán)重程度由弱至強(qiáng)依次設(shè)置在底層熒光粉膜的上方。經(jīng)所述LED芯片激發(fā)出的光不存在被吸收問(wèn)題的熒光粉膜是指該熒光粉膜經(jīng)LED芯片激發(fā)出的光不被其他熒光粉膜所吸收。例如，在紅、綠、藍(lán)三基色熒光粉中的兩種或兩種以上的混合物之間存在所發(fā)出的光被再次吸收的問(wèn)題，由于紅色熒光粉的激發(fā)光譜較寬，對(duì)藍(lán)光、綠光產(chǎn)生較強(qiáng)的再吸收，并且綠色熒光粉的激光光譜寬，對(duì)藍(lán)光產(chǎn)生再吸收，則將不存在被吸收問(wèn)題的紅色熒光粉膜設(shè)置在底層，被吸收最嚴(yán)重的藍(lán)色熒光粉膜設(shè)置在頂層，綠色熒光粉膜設(shè)置在兩者之間，紅、綠、藍(lán)熒光粉膜之間采用透明介質(zhì)層隔開(kāi)。

在所述LED芯片與所述底層熒光粉膜之間設(shè)置有第一透明介質(zhì)層。

所述LED芯片為藍(lán)光LED芯片、紫外LED芯片或近紫外LED芯片。

所述透明介質(zhì)層的材質(zhì)為硅膠、PMMA、ABS、PSU、COP、TPX或PC中的一種，優(yōu)選地，所述透明介質(zhì)層的材質(zhì)為硅膠。

所述第一透明介質(zhì)層呈倒凹型，且底部與所述基板和LED芯片貼合。

所述反光板及散熱板的形狀為四棱柱形、圓柱形、不規(guī)則形狀或其他形狀。

所述基板至頂層熒光粉膜上端的距離略低于或等于所述反光板的高度，優(yōu)選地，所述基板至頂層熒光粉膜上端的距離與所述反光板的高度相等。

所述LED芯片為藍(lán)光LED芯片，若干熒光粉膜包括紅色熒光粉膜和綠色熒光粉膜，且紅色熒光粉膜設(shè)置在藍(lán)光LED芯片上方，綠色熒光粉膜位于紅色熒光粉膜上方，紅色熒光粉膜與綠色熒光粉膜之間設(shè)置有透明介質(zhì)層，優(yōu)選地，在藍(lán)光LED芯片與紅色熒光粉膜之間也設(shè)置有透明介質(zhì)層。

所述LED芯片為近紫外LED芯片，若干熒光粉膜包括紅色熒光粉膜、綠色熒光粉膜和藍(lán)色熒光粉膜，且紅色熒光粉膜設(shè)置在近紫外LED芯片上方，其次是綠色熒光粉膜，藍(lán)色熒光粉膜位于最上方，紅色熒光粉膜、綠色熒光粉膜與藍(lán)色熒光粉膜之間均設(shè)置有透明介質(zhì)層，優(yōu)選地，在近紫外LED芯片與紅色熒光粉膜之間也設(shè)置有透明介質(zhì)層。

本發(fā)明的目的之二是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法，包括如下步驟：

(1)在基板的上表面固定LED芯片；

(2)以LED芯片為中心，在基板的外圍依次安裝形狀相同的反光板和散熱板，散熱板位于外側(cè)，反光板位于內(nèi)側(cè)，反光板和散熱板的高度相等且無(wú)縫隙貼合；

(3)在所述腔體內(nèi)的LED芯片上方設(shè)置有若干熒光粉膜，各相鄰熒光粉膜之間設(shè)置有透明介質(zhì)層，其中，經(jīng)所述LED芯片激發(fā)出的光不存在被吸收問(wèn)題的熒光粉膜設(shè)置在底層，位于底層熒光粉膜上方的熒光粉膜按照經(jīng)所述LED芯片激發(fā)出的光被其他熒光粉膜吸收的嚴(yán)重程度由弱至強(qiáng)依次設(shè)置在底層熒光粉膜的上方。

所述透明介質(zhì)層的材質(zhì)為硅膠、PMMA、ABS、PSU、COP、TPX或PC中的一種，優(yōu)選地，所述透明介質(zhì)層的材質(zhì)為硅膠。

在所述LED芯片與底層熒光粉膜之間設(shè)置第一透明介質(zhì)層。

所述第一透明介質(zhì)層呈倒凹型，且底部與基板和藍(lán)光LED芯片貼合。

所述第一透明介質(zhì)層的材質(zhì)為硅膠、PMMA、ABS、PSU、COP、TPX或PC中的一種。

本發(fā)明在相鄰兩層熒光粉膜之間采用高折射率的透明介質(zhì)隔開(kāi)，并在LED芯片與熒光粉膜之間設(shè)置一定厚度的透明介質(zhì)層，既提高了激發(fā)光源到熒光粉的光吸收率，又避免了芯片與熒光粉的直接接觸，LED芯片產(chǎn)生熱量通過(guò)底部導(dǎo)熱基板以及反光板和散熱板逸散，避免了熒光粉的光效降低和老化，并且封裝單元小，芯片與熒光粉膜距離小，出光均勻；有效減少熒光粉之間的吸收，進(jìn)一步提高光效、降低用粉量及芯片成本，從而降低整體封裝單元成本，并延長(zhǎng)遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。

本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制備方便，可將所得遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于藍(lán)光LED芯片、紫外LED芯片及近紫外LED芯片，且該遠(yuǎn)程封裝結(jié)構(gòu)出光均勻，用粉量少，既可單獨(dú)組裝燈具，也可多個(gè)封裝單元組裝燈具，得到高效、低成本、使用壽命長(zhǎng)的燈具。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1所示遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2為對(duì)比例1遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例2所示遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖4為(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺激發(fā)光譜、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺激發(fā)、發(fā)射光譜以及(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺發(fā)射光譜圖。

圖中，1、基板，2、藍(lán)光LED芯片，31、第一硅膠層，32、第二硅膠層，3、硅膠層，4、(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜，5、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜，6、反光板，7、散熱板，21、反光罩，22、藍(lán)光LED，23、熒光粉，24、PC罩。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的闡述，下述實(shí)施例僅作為說(shuō)明，并不以任何方式限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

實(shí)施例中所用試劑均為分析純或化學(xué)純，且均可市購(gòu)或通過(guò)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的方法制備。下述實(shí)施例均實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明的目的。

實(shí)施例1

如圖1所示，一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板1、藍(lán)光LED芯片2、第一硅膠層31、(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4、第二硅膠層32、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5、反光板6和散熱板7。第一硅膠層31的厚度為1.2～1.6mm，第二硅膠層32的厚度為0.1～0.2mm，(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4與Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5的厚度均為0.1～0.3mm。藍(lán)光LED芯片2也可由紫外LED芯片或近紫外LED芯片替代，可根據(jù)遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)用、光源實(shí)現(xiàn)形式、光品質(zhì)要求及成本等因素選擇使用LED芯片。

反光板6和散熱板7均為圓柱形且高度相等，反光板6和散熱板7無(wú)縫貼合并垂直安裝在基板1的外圍，反光板6與基板1構(gòu)成一腔體。藍(lán)光LED芯片2固定在基板1的上表面上，且位于上表面的中心。第一硅膠層31設(shè)置在腔體內(nèi)，其呈倒凹型，且底部與基板1和藍(lán)光LED芯片2貼合，用以隔離藍(lán)光LED芯片2和熒光粉膜。第一硅膠層31也可采用其他透明、高折射率、耐溫的材質(zhì)替代，如PMMA、ABS、PSU、COP、TPX及PC等。在第一硅膠層31上方依次設(shè)置有(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4、第二硅膠層32及Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5，且頂層Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5與反光板6和散熱板7頂端等高。

該遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法包括下述步驟：(1)在基板1的上表面中央固定藍(lán)光LED芯片2。(2)以藍(lán)光LED芯片2為中心，在基板1的外圍依次圓柱形的反光板6和散熱板7，散熱板7位于外側(cè)，反光板6位于內(nèi)側(cè)，反光板6和散熱板7的高度相等且無(wú)縫隙貼合。(3)在由基板1與反光板6形成的腔體內(nèi)設(shè)置透明介質(zhì)層——第一硅膠層31，其呈倒凹型，且其底部與基板1和藍(lán)光LED芯片2貼合。(4)在第一硅膠層31上依次設(shè)置(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4、第二硅膠層32及Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5，且使基板1至頂層Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5的距離與反光板6和散熱板7等高。

對(duì)比例1

采用CN103557457中一種遠(yuǎn)程激發(fā)熒光粉LED燈具圖2的結(jié)構(gòu)進(jìn)行重復(fù)性實(shí)驗(yàn)，主要結(jié)構(gòu)為：反光罩21、藍(lán)光LED22、熒光粉23、PC罩24，藍(lán)光LED22和熒光粉23分離，熒光粉23附著在透明PC罩24上，其結(jié)構(gòu)圖見(jiàn)圖2。

對(duì)比例2

按照實(shí)施例1的遠(yuǎn)程熒光粉的封裝結(jié)構(gòu)，采用相同峰值波長(zhǎng)的Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜、(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜，僅改變紅色熒光粉膜和綠色熒光粉膜的設(shè)置順序，得到相應(yīng)的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例2

如圖3所示，一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板1、藍(lán)光LED芯片2、(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4、硅膠層3、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5、反光板6和散熱板7。反光板6和散熱板7均為圓柱形且高度相等，反光板6和散熱板7無(wú)縫貼合并垂直安裝在基板1的外圍，反光板6與基板1構(gòu)成一腔體。藍(lán)光LED芯片2固定在基板1的上表面上，且位于上表面的中心。在腔體內(nèi)，基板1與藍(lán)光LED芯片2的上方依次設(shè)置有(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜、第二硅膠層32及Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5，且頂層Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5與反光板6和散熱板7頂端等高。(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4距離芯片1.2～1.6mm，不填充透明介質(zhì)層，硅膠層3的厚度為0.1～0.2mm，(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4與Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5的厚度均為0.1～0.3mm。

該遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法包括下述步驟：(1)在基板1的上表面中央固定藍(lán)光LED芯片2。(2)以藍(lán)光LED芯片2為中心，在基板1的外圍依次安裝圓柱形的反光板6和散熱板7，散熱板7位于外側(cè)，反光板6位于內(nèi)側(cè)，反光板6和散熱板7的高度相等且無(wú)縫隙貼合。(3)在基板1與藍(lán)光LED芯片2的上方依次設(shè)置(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4、硅膠層3及Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5，且使基板1至頂層Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5的距離與反光板6和散熱板7等高。

實(shí)施例3～5

按照實(shí)施例1的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，采用不同峰值波長(zhǎng)的(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜4、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜5，得到相應(yīng)的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)。

對(duì)比例3～5

將實(shí)施例1的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)中，(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜與Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜更換為兩者的混合熒光粉膜，且無(wú)第二硅膠層，其中，第一硅膠層的厚度為1.2～1.6mm，(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉與Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉混合粉膜的厚度均為0.2～0.6mm，得到相應(yīng)的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例6

按照實(shí)施例1的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，將第一透明介質(zhì)層和第二透明介質(zhì)層的材質(zhì)改為PMMA，即采用PMMA替代硅膠，得到相應(yīng)的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例7

按照實(shí)施例1的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，將反光板和散熱板形狀改為四棱柱形，且高度相等，得到相應(yīng)的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)。

將實(shí)施例1～7、對(duì)比例1～5的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表1所示。

表1

從表1中可以看出，將實(shí)施例1與對(duì)比例1、對(duì)比例2相對(duì)比，對(duì)比例1中綠色熒光粉的用量多于實(shí)施例1中的用量，對(duì)比例2中將紅色熒光粉膜設(shè)置在綠色熒光粉膜上方。雖然實(shí)施例1與對(duì)比例1、對(duì)比例2采用相同種類(lèi)的熒光粉，但由于實(shí)施例1中各熒光粉膜分離，且將綠色熒光粉膜設(shè)置在紅色熒光粉膜上方，紅色熒光粉對(duì)綠色熒光粉輻射出的綠光吸收減少，所以其綠色熒光粉用粉量少，且光效較高。(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉與Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下的相互作用如圖4所示。

實(shí)施例2的熒光粉膜和芯片之間沒(méi)有填充透明、高折射率的硅膠層，其光效低于實(shí)施例1，但仍高于對(duì)比例1。

將實(shí)施例3～5與對(duì)比例3～5分別進(jìn)行對(duì)比，可以看出，相同的熒光粉用量，采用本發(fā)明實(shí)施例1的封裝結(jié)構(gòu)，綠光效損失少，配粉方案色溫偏高，光效高。

實(shí)施例6和實(shí)施例7采用和本發(fā)明實(shí)施例1的封裝結(jié)構(gòu)，分別改變透明介質(zhì)層的材質(zhì)、反光板與散熱板的形狀，同樣減少紅色熒光粉對(duì)綠色熒光粉的吸收，達(dá)到配粉方案中用粉量少、光效高的目的。

實(shí)施例8

一種遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、近紫外LED芯片、第一硅膠層、(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜、第二硅膠層、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜、第三硅膠層、(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜，反光板和散熱板。第一硅膠層的厚度為1.0～1.4mm，第二硅膠層、第三硅膠層的厚度為0.1～0.2mm，(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜以及(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜的厚度均為0.1～0.3mm。

反光板和散熱板均為圓柱形且高度相等，反光板和散熱板無(wú)縫貼合并垂直安裝在基板的外圍，反光板與基板構(gòu)成一腔體。近紫外LED芯片固定在基板的上表面上，且位于上表面的中心。第一硅膠層設(shè)置在腔體內(nèi)，其呈倒凹型，且底部與基板和近紫外LED芯片貼合，用以隔離近紫外LED芯片和熒光粉膜。在第一硅膠層上方依次設(shè)置有(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜、第二硅膠層、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜、第三硅膠層以及(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜，且基板至頂層(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜的距離與反光板等高。

該遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法包括下述步驟：(1)在基板的上表面中央固定近紫外LED芯片。(2)以近紫外LED芯片為中心，在基板的外圍依次安裝圓柱形的反光板和散熱板，散熱板位于外側(cè)，反光板位于內(nèi)側(cè)，反光板和散熱板的高度相等且無(wú)縫隙貼合。(3)在由基板與反光板形成的腔體內(nèi)設(shè)置透明介質(zhì)層——第一硅膠層，其呈倒凹型，且其底部與基板和近紫外LED芯片貼合。(4)在第一硅膠層上依次設(shè)置(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜、第二硅膠層、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜、第三硅膠層以及(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜，且基板至頂層(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜的距離與反光板和散熱板等高。

對(duì)比例6

將實(shí)施例8的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)中，(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉膜、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉膜和(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉膜更換為三者的混合熒光粉膜，且無(wú)第二硅膠層和第三硅膠層。第一硅膠層的厚度為1.0～1.4mm，混合熒光粉膜與芯片的距離保持不變，厚度為0.3～0.9mm，得到相應(yīng)的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)。

將實(shí)施例8、對(duì)比例6的遠(yuǎn)程熒光粉封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表2所示。

表2

從表2中可以看出，雖然實(shí)施例8與對(duì)比例6采用相同種類(lèi)的熒光粉，但實(shí)施例6中各熒光粉膜分離，且將綠色熒光粉膜設(shè)置在紅色熒光粉膜上方，藍(lán)色熒光粉膜設(shè)置在綠色熒光粉膜上方，紅色熒光粉對(duì)藍(lán)色熒光粉、綠色熒光粉輻射出的藍(lán)光、綠光的吸收減少，綠色熒光粉對(duì)藍(lán)色熒光粉輻射出的藍(lán)光吸收也減少，所以其綠色熒光粉、藍(lán)色熒光粉的用粉量少，且光效高。(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺紅色熒光粉、Y₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺綠色熒光粉、(Ba,Sr)Si₂O₂N₂:Eu²⁺藍(lán)色熒光粉的激發(fā)發(fā)射譜圖如圖4所示。