>[0039]形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極搭接在所述有源層上，所述有源層包括與所述源電極接觸的源區(qū)、與所述漏電極接觸的漏區(qū)、與源電極、漏電極之間的間隙對應的第一區(qū)域；
[0040]形成有源層的第一區(qū)域的步驟包括:
[0041]依次形成金屬氧化物半導體層和硅半導體層；
[0042]對所述金屬氧化物半導體層和硅半導體層進行構圖工藝，形成有源層的第一區(qū)域，即，所述有源層的第一區(qū)域包括金屬氧化物半導體層和硅半導體層。
[0043]上述技術方案中，薄膜晶體管的有源層與源電極、漏電極之間的間隙對應的第一區(qū)域包括金屬氧化物半導體層和設置在金屬氧化物半導體層上的硅半導體層，在刻蝕掉對應所述第一區(qū)域的源漏金屬薄膜形成源電極和漏電極時，所述硅半導體層能夠保護所述第一區(qū)域的金屬氧化物半導體層不被刻蝕。并通過一次構圖工藝同時形成有源層的硅半導體層與金屬氧化物半導體層，不需要增加制作工藝，降低了生產成本，同時，源電極和漏電極直接搭接在有源層上，不需要制作過孔，提高了顯示器件的開口率。
[0044]本發(fā)明實施例中，有源層的源區(qū)和漏區(qū)可以僅由金屬氧化物半導體層3組成，結合圖5和圖6所示，也可以由金屬氧化物半導體層3和硅半導體層組成，結合圖2-圖4所不O
[0045]在一個具體的實施方式中，有源層的第一區(qū)域的硅半導體層由非晶硅組成，即硅半導體層為非晶娃層5，結合圖2、3和5所示。
[0046]當有源層的第一區(qū)域的硅半導體層為非晶硅層5時，所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)可以由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5組成，即，整個有源層均由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5組成，如圖2所示。則，形成源電極I和漏電極2的步驟具體包括:
[0047]在有源層上形成源漏金屬層，具體在非晶硅層5上形成源漏金屬層；
[0048]在所述源漏金屬層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應源電極I和漏電極2所在的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應有源層的第一區(qū)域(對應源電極I和漏電極2之間的間隙)，所述光刻膠不保留區(qū)域對應其他區(qū)域；
[0049]刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層；
[0050]灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉第一區(qū)域的源漏金屬層和一定厚度的非晶娃層5 ；
[0051]剝離剩余的光刻膠，形成源電極I和漏電極2。
[0052]上述步驟中，刻蝕一定厚度的非晶硅層5是為了保證第一區(qū)域的源漏金屬薄膜刻蝕完全。具體采用濕法刻蝕來刻蝕源漏金屬薄膜，采用干法刻蝕來刻蝕非晶硅層5。
[0053]其中，源漏金屬層的材料可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，源漏金屬層可以為單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο 等。
[0054]在實際應用過程中，為了改善源電極I和漏電極2與有源層的接觸電阻，會在源電極1、漏電極2與非晶硅層5之間設置歐姆接觸層，所述歐姆接觸層通常為重摻雜非晶硅層6，如圖3所示，S卩，有源層的第一區(qū)域由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5組成，源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層3和依次設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5和重摻雜非晶硅層6組成。則，形成有源層的步驟具體包括:
[0055]依次形成氧化物半導體層、非晶硅層和重摻雜非晶硅層，并對所述氧化物半導體層、非晶硅層和重摻雜非晶硅層進行構圖工藝形成有源層的圖案，整個所述有源層包括氧化物半導體層、非晶硅層和重摻雜非晶硅層；
[0056]進一步地，形成源電極I和漏電極2的步驟具體包括:
[0057]在有源層上形成源漏金屬層；
[0058]在所述源漏金屬層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應源電極和漏電極所在的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應有源層的第一區(qū)域，所述光刻膠不保留區(qū)域對應其他區(qū)域；
[0059]刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層；
[0060]灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉第一區(qū)域的源漏金屬層和重摻雜非晶娃層;
[0061]剝離剩余的光刻膠，形成源電極I和漏電極2。
[0062]上述步驟中，具體采用濕法刻蝕來刻蝕源漏金屬層，采用干法刻蝕來刻蝕重摻雜非晶硅層6。
[0063]在該【具體實施方式】中，還可以設置有源層的源區(qū)和漏區(qū)僅由金屬氧化物半導體層3組成，如圖5所示。則，形成有源層的步驟包括:
[0064]形成金屬氧化物半導體層；
[0065]在所述金屬氧化物半導體層上形成硅半導體層，所述硅半導體層可以由非晶硅層組成，也可以由非晶硅層和設置在非晶硅層上的重摻雜非晶硅層組成；
[0066]在所述硅半導體層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應有源層的第一區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應有源層的源區(qū)和漏區(qū)，所述光刻膠不保留區(qū)域對應其他區(qū)域；
[0067]刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的硅半導體層和金屬氧化物半導體層；
[0068]灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉源區(qū)和漏區(qū)的硅半導體層；
[0069]剝離剩余的光刻膠，形成薄膜晶體管的有源層。
[0070]在另一個具體的實施方式中，有源層的第一區(qū)域的硅半導體層僅由重摻雜非晶硅組成，即硅半導體層為重摻雜非晶硅層6，結合圖4和6所示。
[0071]當有源層的第一區(qū)域的硅半導體層由重摻雜非晶硅層6組成時，有源層的源區(qū)和漏區(qū)可以由金屬氧化物半導體層3和重摻雜非晶硅層6組成，S卩，整個有源層由金屬氧化物半導體層3和重摻雜非晶硅層6組成，如圖4所示。則，形成源電極和漏電極的步驟具體包括:
[0072]在有源層上形成源漏金屬層，具體在重摻雜非晶硅層6上形成源漏金屬層；
[0073]在所述源漏金屬層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應源電極I和漏電極2所在的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應有源層的第一區(qū)域，所述光刻膠不保留區(qū)域對應其他區(qū)域；
[0074]刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層；
[0075]灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉第一區(qū)域的源漏金屬層和一定厚度的重摻雜非晶硅層；
[0076]剝離剩余的光刻膠，形成源電極I和漏電極2。
[0077]在該實施方式中，也可以設置有源層的源區(qū)和漏區(qū)僅由金屬氧化物半導體層3組成，如圖6所示。則，形成有源層的步驟具體包括:
[0078]依次形成金屬氧化物半導體層和重摻雜非晶硅層；
[0079]在所述重摻雜非晶硅層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應有源層的第一區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應有源層的源區(qū)和漏區(qū)，所述光刻膠不保留區(qū)域對應其他區(qū)域；
[0080]刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的金屬氧化物半導體層和重摻雜非晶硅層；
[0081]灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉源區(qū)和漏區(qū)的重摻雜非晶硅層；
[0082]剝離剩余的光刻膠，形成薄膜晶體管的有源層。
[0083]需要說明的是，上述【具體實施方式】中的非晶硅層也可以用多晶硅層替代，重摻雜非晶硅層也可以用重摻雜多晶硅層替代。當硅半導體層為重摻雜多晶硅層時，薄膜晶體管的結構與硅半導體層為非晶硅層時薄膜晶體管的結構相同，制作方法類似，在此不再詳述。
[0084]結合圖2-圖6所示，以底柵型薄膜晶體管為例，本發(fā)明實施例中的薄膜晶體管具體包括:
[0085]襯底基板100，為透明基板，如:玻璃基板、石英基板、有機樹脂基板；
[0086]設置在襯底基板100上的柵電極4，柵電極4的材料可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，可以為單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo, Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο 等；
[0087]覆蓋柵電極4的柵絕緣層101，柵絕緣層101的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層結構。具體地，柵絕緣層101可以是SiNx，S1x或Si (ON)
X ；
[0088]設置在柵絕緣層101上的有源層，所述有源層包括與源電極I接觸的源區(qū)、與漏電極2接觸的漏區(qū)，以及與源電極1、漏電極