2之間的間隙對應的第一區(qū)域。當薄膜晶體管打開時，所述有源層的第一區(qū)域形成導電溝道，其中，所述有源層的第一區(qū)域由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5組成，或，由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的重摻雜非晶硅層6組成，或，由金屬氧化物半導體層3和依次設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5和重摻雜非晶硅層6組成。所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5組成，或，由金屬氧化物半導體層3和設置在金屬氧化物半導體層3上的重摻雜非晶硅層6組成，或，由金屬氧化物半導體層3和依次設置在金屬氧化物半導體層3上的非晶硅層5和重摻雜非晶硅層6組成，或，僅由金屬氧化物半導體層3組成；
[0089]搭接在所述有源層源區(qū)上的源電極I和搭接在所述有源層漏區(qū)的漏電極2。
[0090]本發(fā)明實施例中的薄膜晶體管也可以為頂柵型或共面型薄膜晶體管，并不局限于底柵型薄膜晶體管。
[0091]本發(fā)明實施例中還提供一種顯示器件，包括本發(fā)明實施例中的薄膜晶體管，降低了產(chǎn)品的制作成本的同時，還能夠保證顯示的品質(zhì)。
[0092]所述顯示器件可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0093]本發(fā)明的技術方案中，薄膜晶體管的有源層與源電極、漏電極之間的間隙對應的第一區(qū)域包括金屬氧化物半導體層和設置在所述金屬氧化物半導體層上的硅半導體層，源電極和漏電極直接搭接在所述有源層上。在刻蝕所述第一區(qū)域?qū)脑绰┙饘賹有纬稍措姌O和漏電極時，所述硅半導體層能夠保護所述第一區(qū)域的金屬氧化物半導體層不被刻蝕。并通過一次構(gòu)圖工藝同時形成所述有源層的硅半導體層與金屬氧化物半導體層，不需要增加制作工藝，降低了生產(chǎn)成本，同時，源電極和漏電極直接搭接在有源層上，不需要制作過孔，提尚了開口率。
[0094]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管，包括有源層，以及搭接在所述有源層上的源電極和漏電極，所述有源層包括與所述源電極接觸的源區(qū)、與所述漏電極接觸的漏區(qū)、與源電極、漏電極之間的間隙對應的第一區(qū)域，其特征在于，所述有源層的第一區(qū)域包括金屬氧化物半導體層和設置在所述金屬氧化物半導體層上的硅半導體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述硅半導體層由非晶硅組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層和設置在所述金屬氧化物半導體層上的非晶硅層組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層和依次設置在所述金屬氧化物半導體層上的非晶硅層和重摻雜非晶硅層組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述硅半導體層由重摻雜非晶硅組成； 所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層和設置在所述金屬氧化物半導體層上的重摻雜非晶硅層組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層組成。
7.—種權(quán)利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，包括形成有源層的步驟和形成源電極和漏電極的步驟，所述源電極和漏電極搭接在所述有源層上，所述有源層包括與所述源電極接觸的源區(qū)、與所述漏電極接觸的漏區(qū)、與源電極、漏電極之間的間隙對應的第一區(qū)域，其特征在于，形成有源層的第一區(qū)域的步驟包括: 依次形成金屬氧化物半導體層和硅半導體層； 對所述金屬氧化物半導體層和硅半導體層進行構(gòu)圖工藝，形成有源層的第一區(qū)域，所述有源層的第一區(qū)域包括金屬氧化物半導體層和硅半導體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述硅半導體層由非晶硅組成； 整個所述有源層由層疊設置的氧化物半導體層和非晶硅層組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成源電極和漏電極的步驟具體包括: 在有源層上形成源漏金屬層； 在所述源漏金屬層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)措姌O和漏電極所在的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)性磳拥牡谝粎^(qū)域，所述光刻膠不保留區(qū)域?qū)渌麉^(qū)域； 刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層； 灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉第一區(qū)域的源漏金屬層和一定厚度的非晶娃層; 剝離剩余的光刻膠，形成源電極和漏電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述硅半導體層由非晶硅層組成； 所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層和依次設置在所述金屬氧化物半導體層上的非晶硅層和重摻雜非晶硅層組成，所述非晶硅層和重摻雜非晶硅層層疊設置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成有源層的步驟具體包括: 依次形成氧化物半導體層、非晶硅層和重摻雜非晶硅層，并對所述氧化物半導體層、非晶硅層和重摻雜非晶硅層進行構(gòu)圖工藝形成有源層的圖案，整個所述有源層包括氧化物半導體層、非晶硅層和重摻雜非晶硅層； 形成源電極和漏電極的步驟具體包括: 在有源層上形成源漏金屬層； 在所述源漏金屬層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)措姌O和漏電極所在的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)性磳拥牡谝粎^(qū)域，所述光刻膠不保留區(qū)域?qū)渌麉^(qū)域； 刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層； 灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉第一區(qū)域的源漏金屬層和重摻雜非晶硅層； 剝離剩余的光刻膠，形成源電極和漏電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述硅半導體層由重摻雜非晶硅層組成； 所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由氧化物半導體層和設置在所述氧化物半導體層上的重摻雜非晶硅層組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成源電極和漏電極的步驟具體包括: 在有源層上形成源漏金屬層； 在所述源漏金屬層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)措姌O和漏電極所在的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)性磳拥牡谝粎^(qū)域，所述光刻膠不保留區(qū)域?qū)渌麉^(qū)域； 刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層； 灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉第一區(qū)域的源漏金屬層和一定厚度的重摻雜非晶娃層； 剝離剩余的光刻膠，形成源電極和漏電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)由金屬氧化物半導體層組成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，形成有源層的步驟包括: 形成金屬氧化物半導體層； 在所述金屬氧化物半導體層上形成硅半導體層； 在所述硅半導體層上形成光刻膠，對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)性磳拥牡谝粎^(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)性磳拥脑磪^(qū)和漏區(qū)，所述光刻膠不保留區(qū)域?qū)渌麉^(qū)域； 刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的硅半導體層和金屬氧化物半導體層；灰化掉光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉源區(qū)和漏區(qū)的硅半導體層；剝離剩余的光刻膠，形成薄膜晶體管的有源層。
16.一種顯示器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管。
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術領域，公開了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示器件。所述薄膜晶體管的有源層與源電極、漏電極之間的間隙對應的第一區(qū)域包括金屬氧化物半導體層和設置在所述金屬氧化物半導體層上的硅半導體層，源電極和漏電極直接搭接在所述有源層上。在刻蝕所述第一區(qū)域?qū)脑绰┙饘賹有纬稍措姌O和漏電極時，所述硅半導體層能夠保護所述第一區(qū)域的金屬氧化物半導體層不被刻蝕。并通過一次構(gòu)圖工藝同時形成所述有源層的硅半導體層與金屬氧化物半導體層，不需要增加制作工藝，降低了生產(chǎn)成本，同時，源電極和漏電極直接搭接在有源層上，不需要制作過孔，提高了顯示器件的開口率。
【IPC分類】H01L29-786, H01L21-336, H01L21-28, H01L29-41
【公開號】CN104681632
【申請?zhí)枴緾N201510136966
【發(fā)明人】王武, 邱海軍, 尚飛, 王國磊
【申請人】重慶京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年3月26日