一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯不器件(OrganicElectroluminescence Display, 0LED)具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)電流通過時(shí)，有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。而且OLED顯示屏的可視角度大，可以實(shí)現(xiàn)柔性化，并且能夠顯著節(jié)省電能，因此OLED顯示屏具備了許多發(fā)光二極管不可比擬的優(yōu)勢(shì)。
[0003]結(jié)合圖1a和Ib所示，圖1a為現(xiàn)有OLED的玻璃基板的上的電極層示意圖，圖1b為圖1a中現(xiàn)有OLED沿AA’方向的切面圖。其中，現(xiàn)有OLED包括玻璃基板100和位于玻璃基板上的第一電極I (陽極)、第一電極走線電極11和第二電極走線電極51，還包括位于第一電極I上的空穴傳輸層2,位于空穴傳輸層2上的有機(jī)發(fā)光層3,位于有機(jī)發(fā)光層3上的電子傳輸層4和位于電子傳輸層4上的第二電極5 (陰極)。第一電極I的材料一般為透明的氧化銦錫，第二電極5—般為金屬，如鋁、鎂等。而第一電極走線電極11和第二電極走線電極51均處非顯示區(qū)域，且第一電極走線電極11和第二電極走線電極51的組成結(jié)構(gòu)相同。為了降低顯示器件上的電路電阻，從而降低顯示器件產(chǎn)品的功耗，通常第一電極走線電極11和第二電極走線電極51由兩層導(dǎo)電層組成，即自玻璃基板100向上依次為第一導(dǎo)電層101為ITO層、第二導(dǎo)電層102為鑰鋁鑰層，鑰鋁鑰層的設(shè)置，降低了電極的電阻，從而降低了 OLED的功耗。
[0004]但是采用鑰鋁鑰作為第一走線電極11和第二走線電極51中的第二導(dǎo)電層102，在制作OLED過程中，尤其是第一電極走線電極和第二電極走線電極的制作過程中，不僅工藝繁雜，而且經(jīng)常出現(xiàn)第一電極走線電極和第二電極走線電極的第二導(dǎo)電層被刻蝕過多的現(xiàn)象，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及制作方法，不僅制作工藝簡(jiǎn)單，并且避免了分層曝光刻蝕造成偏位，而導(dǎo)致側(cè)蝕的現(xiàn)象。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]—種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制作方法，包括步驟:
[0008]S1、自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層、金屬層、第二透明導(dǎo)電層，并對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層表面涂覆光刻膠，且所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層材料相同，且均為低溫非晶形態(tài)薄膜；
[0009]S2、采用第一掩膜板進(jìn)行曝光顯影，并采用第一刻蝕液同時(shí)刻蝕所述第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層，形成第一電極走線電極和第二電極走線電極；
[0010]S3、形成第一電極，并對(duì)第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行高溫退火；
[0011]S4、自所述第一電極向上方向，在所述第一電極上依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極，所述第二電極與所述第二電極走線電極導(dǎo)通。
[0012]優(yōu)選的，所述第一刻蝕液為磷酸、硝酸、醋酸和水溶液，或過硫酸鈉、磷酸和水溶液。
[0013]優(yōu)選的，所述步驟S2還包括:
[0014]形成第一電極前期結(jié)構(gòu)，所述第一電極前期結(jié)構(gòu)包括具有第一電極形狀的所述第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層。
[0015]優(yōu)選的，所述步驟S3中形成所述第一電極具體包括:
[0016]去除剩余所述光刻膠，對(duì)所述透明基板朝向所述第一透明導(dǎo)電層一側(cè)的表面、所述第一透明導(dǎo)電層所述金屬層和所述第二透明導(dǎo)電層裸露的表面重新涂覆光刻膠，并采用第二掩膜板進(jìn)行曝光顯影，采用第二刻蝕液刻蝕掉所述第一電極前期結(jié)構(gòu)的第二透明導(dǎo)電層，采用第三刻蝕液刻蝕掉所述第一電極前期結(jié)構(gòu)的金屬層，形成所述第一電極。
[0017]優(yōu)選的，所述金屬層為銅層、銅合金層、銀層、銀合金層、鋁層、鋁合金層、鉻層、鑰層、鋅層或鎂層。
[0018]優(yōu)選的，所述金屬層為銅層，所述第二刻蝕液為草酸和水溶液，所述第三刻蝕液為醋酸、雙氧水和水溶液。
[0019]優(yōu)選的，所述金屬層為銀層，所述第二刻蝕液為草酸和水溶液，所述第三刻蝕液為氨水、雙氧水和水溶液。
[0020]優(yōu)選的，所述金屬層為鋁層或鎂層，所述第二刻蝕液為草酸和水溶液，所述第三刻蝕液為氫氧化鈉和水溶液。
[0021]一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括透明基板，以及位于所述透明基板上的第一電極、第一電極走線電極和第二電極走線電極，所述第一電極走線電極和第二電極走線電極均包括三層導(dǎo)電層，自所述透明基板向上依次為第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層與所述第一電極的材料相同，所述第二導(dǎo)電層為金屬層。
[0022]優(yōu)選的，所述第一電導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層均為ITO導(dǎo)電層或IZO導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層為銅層、銅合金層、銀層、銀合金層、鋁層、鋁合金層、鉻層、鑰層、鋅層或鎂層。
[0023]優(yōu)選的，所述透明基板為玻璃基板、塑料基板或樹脂基板。
[0024]優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電層厚度為50?300nm,包括端點(diǎn)值；所述第二導(dǎo)電層厚度為100?500nm，包括端點(diǎn)值；所述第三導(dǎo)電層厚度為5?lOOnm，包括端點(diǎn)值。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0026]本發(fā)明所提供的一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及制作方法，首先自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層、金屬層、第二透明導(dǎo)電層和光刻膠層，且所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層相同；采用第一掩膜板對(duì)所述光刻膠層曝光顯影，并采用第一刻蝕液同時(shí)刻蝕所述第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層，形成第一電極走線電極和第二電極走線電極；形成第一電極、以及自所述第一電極向上依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極，所述第二電極與所述第二電極走線電極導(dǎo)通。
[0027]本發(fā)明提供的低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制作方法，對(duì)于第一電極走線電極和第二電極走線電極的制作過程僅需要一次曝光，而后對(duì)第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層同步刻蝕形成第一電極走線電極和第二電極走線電極，避免了現(xiàn)有的分層曝光刻蝕造成偏位，而導(dǎo)致側(cè)蝕的現(xiàn)象。同時(shí)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的第三導(dǎo)電層有效保護(hù)第二導(dǎo)電層，提供第二導(dǎo)電層的抗氧化能力，并且由于第二導(dǎo)電層為金屬層，其電阻低，以及第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為高溫結(jié)晶形態(tài)薄膜，其電阻低，使得有機(jī)電致發(fā)光顯不器件的功耗降低。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1a為現(xiàn)有的OLED的玻璃基板上的電極層示意圖；
[0030]圖1b為圖1a中提供的OLED沿AA’方向的切面圖；
[0031]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制作方法流程圖；
[0032]圖3a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的OLED的透明基板上的電極層示意圖；
[0033]圖3b為圖3a中提供的OLED沿AA’方向的切面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]正如【背景技術(shù)】所述，但是現(xiàn)有的OLED在制作過程中，尤其是第一電極走線電極和第二電極走線電極的制作過程中，不僅工藝繁雜，而且經(jīng)常出現(xiàn)第一電極走線電極和第二電極走線電極的第二導(dǎo)電層被刻蝕過多的現(xiàn)象，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率低。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，造成這種缺陷的原因主要有在制作第一電極走線電極和第二電極走線電極時(shí)，采用分層曝光刻蝕，即需要對(duì)第一電極走線區(qū)域和第二電極走線區(qū)域進(jìn)行兩次曝光刻蝕，兩次曝光刻蝕容易出現(xiàn)位置偏移，從而導(dǎo)致第二導(dǎo)電層被刻蝕過多的現(xiàn)象。
[0035]具體的，現(xiàn)有制作第一電極走線和第二電極走線過程為:自玻璃基板向上方向，在玻璃基板上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，而后在第二導(dǎo)電層上形成光刻膠，并使用第一張曝光掩膜板采用光刻工藝，曝光、顯影、刻蝕出第一電