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一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及制作方法_2

文檔序號(hào):8363334閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
極走線電極和第二電極走線電極的第二導(dǎo)電層,去除光刻膠;而后重新涂覆光刻膠,并使用第二張曝光掩膜板采用光刻工藝,曝光、顯影、刻蝕出第一電極走線電極和第二電極走線電極的第一導(dǎo)電層,以及第一電極。
[0036]由于第一電極走線電極和第二電極走線電極中的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層必須嚴(yán)格重合,因此需要第二次曝光時(shí),第二張曝光掩膜板必須要和第一次曝光時(shí)的第一張曝光掩膜板精確對(duì)位。但是由于第一張掩膜板和第二張掩膜板并不是同時(shí)進(jìn)行對(duì)位,因此實(shí)現(xiàn)精確對(duì)位難度大,導(dǎo)致刻蝕時(shí)將第二導(dǎo)電層部分材料刻蝕掉。
[0037]基于此,本發(fā)明提供了一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制作方法,以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題,包括步驟:
[0038]S1、自透明基板向上方向,在所述透明基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層、金屬層、第二透明導(dǎo)電層,并對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層表面涂覆光刻膠,且所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層材料相同,且均為低溫非晶形態(tài)薄膜;
[0039]S2、采用第一掩膜板進(jìn)行曝光顯影,并采用第一刻蝕液同時(shí)刻蝕所述第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層,形成第一電極走線電極和第二電極走線電極;
[0040]S3、形成第一電極,并對(duì)第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行高溫退火;
[0041]S4、自所述第一電極向上方向,在所述第一電極上依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極,所述第二電極與所述第二電極走線電極導(dǎo)通。
[0042]本發(fā)明還提供了一種低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件,包括透明基板,以及位于所述透明基板上的第一電極、第一電極走線電極和第二電極走線電極,所述第一電極走線電極和第二電極走線電極均包括三層導(dǎo)電層,自所述透明基板向上依次為第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層與所述第一電極的材料相同,所述第二導(dǎo)電層為金屬層。
[0043]本發(fā)明提供的低功耗有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制作方法,對(duì)于第一電極走線電極和第二電極走線電極的制作過(guò)程僅需要一次曝光,而后對(duì)第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層同步刻蝕形成第一電極走線電極和第二電極走線電極,避免了現(xiàn)有的分層曝光刻蝕造成偏位,而導(dǎo)致側(cè)蝕的現(xiàn)象。同時(shí)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的第三導(dǎo)電層有效保護(hù)第二導(dǎo)電層,提供第二導(dǎo)電層的抗氧化能力,并且由于第二導(dǎo)電層為金屬層,其電阻低,以及第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為高溫結(jié)晶形態(tài)薄膜,其電阻低,使得有機(jī)電致發(fā)光顯不器件的功耗降低。
[0044]以上是本發(fā)明的核心思想,為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0045]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明,但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣,因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0046]其次,本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述,在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí),為便于說(shuō)明,表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大,而且所述示意圖只是示例,其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外,在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0047]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制作方法,參考圖2所述,為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法的流程圖,其中,包括步驟:
[0048]S1、自透明基板向上方向,在所述透明基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層、金屬層、第二透明導(dǎo)電層,并對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層表面涂覆光刻膠,且所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層材料相同,且均為低溫非晶形態(tài)薄膜。
[0049]首先在透明基板上形成第一透明導(dǎo)電層,第一透明導(dǎo)電層的可以為氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層,也可以為氧化銦鋅(IZO)導(dǎo)電層。第一透明導(dǎo)電層可以通過(guò)濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等鍍膜方法制備,且第一透明導(dǎo)電層為低溫環(huán)境下形成的非晶態(tài)薄膜。制備OLED完畢后,第一透明導(dǎo)電層即制備為第一電極,以及第一電極走線電極和第二電極走線電極的第一導(dǎo)電層。對(duì)于第一透明導(dǎo)電層的厚度并不設(shè)限制,本實(shí)施例提供的第一透明導(dǎo)電層的厚度的范圍優(yōu)選為50nm?300nm,包括端點(diǎn)值。
[0050]其次在第一透明導(dǎo)電層上形成金屬層,金屬層具有高導(dǎo)電率,可以為銅層、銅合金層、銀層、銀合金層、鋁層、鋁合金層、鉻層、鑰層、鋅層或鎂層,其中,銅合金層包括至少90%的銅,銀合金層包括至少90%的銀,鋁合金層包括至少90%的鋁。同樣的,金屬層可以通過(guò)濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等鍍膜方法制備。制備OLED完畢后,金屬層即制備為第一電極走線電極和第二電極走線電極的第二導(dǎo)電層。本實(shí)施例優(yōu)選的金屬層的厚度范圍為10nm?500nm,包括端點(diǎn)值。
[0051]然后在金屬層上形成第二透明導(dǎo)電層,為了保證后續(xù)刻蝕性能的一致,第二透明導(dǎo)電層與第一透明導(dǎo)電層相同,均為氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層或氧化銦鋅(IZO)導(dǎo)電層,第二透明導(dǎo)電層和第一透明導(dǎo)電層的制備方法相同,而且同樣為低溫環(huán)境下形成的非晶態(tài)薄膜。本實(shí)施提供的第二透明導(dǎo)電層還對(duì)金屬層起到保護(hù)作用,因此本實(shí)施例優(yōu)選的第二透明導(dǎo)電層的厚度范圍為5nm?lOOnm,包括端點(diǎn)值。
[0052]最后在第二透明導(dǎo)電層上形成光刻膠層,以便后續(xù)工藝的進(jìn)行。
[0053]S2、采用第一掩膜板進(jìn)行曝光顯影,并采用第一刻蝕液同時(shí)刻蝕所述第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層,形成第一電極走線電極和第二電極走線電極。
[0054]采用第一掩膜板對(duì)光刻膠層曝光顯影,采用第一刻蝕液同時(shí)刻蝕第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層,形成預(yù)設(shè)的第一電極走線電極和第二電極走線電極。同時(shí)還形成第一電極前期結(jié)構(gòu),第一電極前期結(jié)構(gòu)包括具有第一電極形狀的第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層。
[0055]第一刻蝕液為磷酸、硝酸、醋酸和水溶液,或過(guò)硫酸鈉、磷酸和水溶液。第一刻蝕液可以同步對(duì)第一透明導(dǎo)電層、金屬層和第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕,避免了多次曝光刻蝕的現(xiàn)象,即曝光第二導(dǎo)電層的圖案后,刻蝕第二透明導(dǎo)電層,而后曝光第二導(dǎo)電層的圖案,刻蝕金屬層,最后曝光第一導(dǎo)電層的圖案,刻蝕第一透明導(dǎo)電層,最后形成第一電極走線電極和第二電極走線電極。
[0056]S3、形成第一電極,并對(duì)第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行高溫退火。
[0057]本實(shí)施例中形成第一電極具體為:去除剩余所述光刻膠,對(duì)所述透明基板朝向所述第一透明導(dǎo)電層一側(cè)的表面、所述第一透明導(dǎo)電層所述金屬層和所述第二透明導(dǎo)電層裸露的表面重新涂覆光刻膠,并采用第二掩膜板進(jìn)行曝光顯影,采用第二刻蝕液刻蝕掉所述第一電極前期結(jié)構(gòu)的第二透明導(dǎo)電層,采用第三刻蝕液刻蝕掉所述第一電極前期結(jié)構(gòu)的金屬層,形成所述第一電極。第二次曝光僅為了最終制備第一電極,第一電極走線電極和第二電極走線電極無(wú)需再次加工。
[0058]第二刻蝕液僅與第二透明導(dǎo)電層反應(yīng),而不和金屬層反應(yīng),進(jìn)而也通過(guò)金屬層保護(hù)了第一透明導(dǎo)電層不被第二刻蝕液反應(yīng)。第二刻蝕液可以為草酸和水溶液,通過(guò)第二刻蝕液將第一電極前期結(jié)構(gòu)的第一透明導(dǎo)電層刻蝕掉。第三刻蝕液隨著金屬層的不同而變化,不同金屬層對(duì)應(yīng)的第三刻蝕液不同,且第三刻蝕液僅與金屬層反應(yīng),不與第一透明導(dǎo)電層反應(yīng)。當(dāng)金屬層為銅層時(shí),第三刻蝕液可以為醋酸、雙氧水和水溶液;當(dāng)金屬層為銀層時(shí),第三刻蝕液可以為氨水、雙氧水和水溶液;當(dāng)金屬層為鋁層或鎂層時(shí),第三刻蝕液可以為氫氧化鈉等堿溶液。通過(guò)第二刻蝕液和第三刻蝕液分別對(duì)第一電極前期結(jié)構(gòu)的第二透明導(dǎo)電層和金屬層的刻蝕,最終得到第一電極前期結(jié)構(gòu)的第一透明導(dǎo)電層,即第一電極。
[0059]將刻蝕完畢的第一電極、第一電極走線電極和第二電極走線電極進(jìn)行高溫退火,使得非晶態(tài)的第一電極、第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層進(jìn)行完全結(jié)晶。從而獲得透過(guò)率在75%以上、方塊電阻小于15歐姆/ □和高功函數(shù)的第一電極,同時(shí)第三導(dǎo)電層更好的保護(hù)第二導(dǎo)電層不被氧化。本實(shí)施例優(yōu)選的退火條件為:溫度范圍為200°C?500°C,包括端點(diǎn)值,時(shí)間為30分鐘?90分鐘,包括端點(diǎn)值。退火后可以使用第二刻蝕液進(jìn)行清洗,將第一電極上的毛刺刻蝕掉,獲得較平坦的第一電極。
[0060]S4、自所述第一電極向上方向,在所述第一電極上依次形成空穴傳輸層、有
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