有機(jī)el元件構(gòu)造和其制造方法以及發(fā)光面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)EL元件構(gòu)造和其制造方法以及發(fā)光面板。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于計(jì)算機(jī)、可移動(dòng)設(shè)備的顯示器，近年來(lái)，使用具有有機(jī)EL(OrganicElectro-Luminescence)元件構(gòu)造的顯示器(以下，稱作“有機(jī)EL顯示器”)替代LCD (Liquid Crystal Display:液晶顯不器)。
[0003]對(duì)于有機(jī)EL元件構(gòu)造，被施加電壓的發(fā)光部的有機(jī)化合物(二胺類(lèi)等有機(jī)化合物)自身發(fā)光，因此不需要LCD所必需的背光，并且，有機(jī)EL元件構(gòu)造對(duì)電壓施加的發(fā)光響應(yīng)速度快，因構(gòu)造簡(jiǎn)單而呈現(xiàn)柔軟性，所以有機(jī)EL顯示器特別適合智能手機(jī)等可移動(dòng)設(shè)備的顯示器。
[0004]但是，若有機(jī)EL元件構(gòu)造的有機(jī)化合物吸濕，則會(huì)劣化，最嚴(yán)重時(shí)，會(huì)變得即使施加電壓也不發(fā)光，因此有機(jī)EL元件構(gòu)造需要將由有機(jī)化合物構(gòu)成的發(fā)光部相對(duì)于外界密封。因此，以往，采用利用玻璃將有機(jī)EL元件構(gòu)造與外界隔離的玻璃密封、罐式密封等密封方法，但這些密封方法不適合薄膜化，并且存在水分從密封用玻璃和有機(jī)EL元件構(gòu)造之間的粘接層進(jìn)入這樣的問(wèn)題，還存在因?yàn)榍啡比彳浶远y以應(yīng)對(duì)撓性基板等問(wèn)題。
[0005]為了應(yīng)對(duì)上述問(wèn)題，替代玻璃密封、罐式密封等密封方法，使用如下方法:在有機(jī)EL元件構(gòu)造中，利用密封膜將元件層疊部相對(duì)于氣氛密封，其中，該元件層疊部由層疊于使用了 TFT的元件驅(qū)動(dòng)電路層之上的陽(yáng)極、發(fā)光部、陰極構(gòu)成。作為密封膜，可以使用能夠通過(guò)CVD法形成的氮化硅(SiN)膜、氮氧化硅(S1N)膜等(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)，但是CVD法成膜的覆蓋率較低，因此在元件層疊部的各層、例如、作為最上層的陰極之上存在有微小的微粒的情況下，無(wú)法利用密封膜將該微粒完全覆蓋，結(jié)果，密封膜的密封不完全，可能無(wú)法防止發(fā)光部的吸濕。
[0006]因此，近年來(lái)，提出了利用覆蓋率較高的ALD (Atomic Layer Deposit1n:原子層沉積)法成膜形成密封膜(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。采用ALD法，例如，在使三甲基鋁(TMA)氣體與&0、03等氧化劑、氧等離子體發(fā)生反應(yīng)而形成氧化鋁(Al2O3)膜時(shí)，利用不具有指向性地運(yùn)動(dòng)的TMA分子和氧化劑的分子，反復(fù)進(jìn)行TMA分子向被成膜物的吸附和氧化，從而逐層沉積氧化鋁的分子，因此能夠與被成膜面的朝向無(wú)關(guān)地各向同性地形成非常薄的密封膜，例如，能夠?qū)⒋嬖谟陉帢O之上的微小微粒的整個(gè)面完全覆蓋。
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010-129334號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2007-157374號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2013-97917號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

_0] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0011]但是，陽(yáng)極、發(fā)光部、陰極直接層疊于元件驅(qū)動(dòng)電路層之上，因此，例如，有可能水分、有機(jī)物透過(guò)元件驅(qū)動(dòng)電路層的有機(jī)絕緣膜到達(dá)發(fā)光部，或者從有機(jī)絕緣膜放出的水分、有機(jī)物到達(dá)發(fā)光部，而使該發(fā)光部的有機(jī)化合物劣化。
[0012]本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠防止由水分、有機(jī)物致使發(fā)光部的有機(jī)化合物劣化的有機(jī)EL元件構(gòu)造和其制造方法以及發(fā)光面板。
_3] 用于解決問(wèn)題的方案
[0014]為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)EL元件構(gòu)造，其具有元件層疊部，該元件層疊部由在具有元件驅(qū)動(dòng)電路的元件驅(qū)動(dòng)電路層上依次層疊的第I電極、含有有機(jī)化合物的發(fā)光部及第2電極構(gòu)成，其特征在于，在所述元件驅(qū)動(dòng)電路層和所述元件層疊部之間配置有密封膜。
[0015]并且，為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)EL元件構(gòu)造的制造方法，其特征在于，在元件驅(qū)動(dòng)電路層上依次形成密封膜、由第I電極、含有有機(jī)化合物的發(fā)光部及第2電極構(gòu)成的元件層疊部。
[0016]并且，為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光面板，其具有有機(jī)EL元件構(gòu)造，該有機(jī)EL元件構(gòu)造具有元件層疊部，該元件層疊部由在元件驅(qū)動(dòng)電路層上依次層疊的第I電極、含有有機(jī)化合物的發(fā)光部及第2電極構(gòu)成，其特征在于，在所述元件驅(qū)動(dòng)電路層和所述元件層疊部之間配置有密封膜。
_7] 發(fā)明的效果
[0018]采用本發(fā)明，有機(jī)EL元件構(gòu)造具有元件層疊部，該元件層疊部由在元件驅(qū)動(dòng)電路層上依次層疊的第I電極、含有有機(jī)化合物的發(fā)光部及第2電極構(gòu)成，在元件驅(qū)動(dòng)電路層和元件層疊部之間配置有密封膜，因此，密封膜能夠防止從元件驅(qū)動(dòng)電路層的有機(jī)絕緣膜放出的水分、有機(jī)物到達(dá)元件層疊部的發(fā)光部，結(jié)果，能夠防止由有機(jī)物致使發(fā)光部的有機(jī)化合物劣化。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是概略地說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0020]圖2是表示圖1中的發(fā)光部的層疊構(gòu)造的局部放大剖視圖。
[0021]圖3是概略地說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0022]圖4是概略地說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0023]圖5是表示圖4的有機(jī)EL元件構(gòu)造中的陰極膜及槽的配置的俯視圖。
[0024]圖6是用于對(duì)形成圖4的有機(jī)EL元件構(gòu)造中的槽、陰極膜及密封薄膜進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
[0025]圖7是用于說(shuō)明圖4的有機(jī)EL元件構(gòu)造中的槽的第I變形例的剖視圖。
[0026]圖8是用于說(shuō)明圖4的有機(jī)EL元件構(gòu)造中的槽的第2變形例的剖視圖。
[0027]圖9是用于對(duì)形成圖8的槽以及在槽內(nèi)部形成陰極膜和密封薄膜進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
[0028]圖10是用于說(shuō)明使用了圖4的有機(jī)EL元件構(gòu)造的發(fā)光面板的制造方法的工序圖。
[0029]圖11是用于說(shuō)明圖5中的包圍發(fā)光部的槽的變形例的俯視圖。
[0030]圖12是用于概略地說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0031]圖13是用于概略地說(shuō)明在圖12的有機(jī)EL元件構(gòu)造的基礎(chǔ)上省略了接觸孔的變形例的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下，參照【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0033]首先，說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造。本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造在發(fā)光面板中配置有多個(gè)，通過(guò)使各有機(jī)EL元件構(gòu)造單獨(dú)發(fā)光，從而將該發(fā)光面板作為顯示器、照明器具發(fā)揮作用。
[0034]圖1是概略地說(shuō)明本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0035]在圖1中，有機(jī)EL元件構(gòu)造10具有:元件層疊部12，其形成于元件驅(qū)動(dòng)電路層11之上，元件驅(qū)動(dòng)電路層11具有使用了 TFT的元件驅(qū)動(dòng)電路；密封部13，其形成為覆蓋該元件層疊部12 ;以及密封膜14，其配置于元件驅(qū)動(dòng)電路層11及元件層疊部12之間，且形成為覆蓋元件驅(qū)動(dòng)電路層11的整個(gè)面。并且，元件驅(qū)動(dòng)電路層11具有層疊于元件驅(qū)動(dòng)電路Ila之上的絕緣膜11b，該絕緣膜Ilb能夠采用例如有機(jī)絕緣膜。
[0036]元件層疊部12包括從元件驅(qū)動(dòng)電路層11側(cè)起依次層疊的陽(yáng)極膜15(第I電極)、例如含有二胺類(lèi)等有機(jī)化合物的發(fā)光部16以及陰極膜17 (第2電極)，發(fā)光部16的有機(jī)化合物因從陽(yáng)極膜15、陰極膜17注入的空穴、電子的再結(jié)合而發(fā)光。
[0037]陽(yáng)極膜15例如由通過(guò)濺鍍成膜法形成的ITO膜(氧化銦錫)的薄膜構(gòu)成，陰極膜17是由通過(guò)框掩模蒸鍍法(額縁夕蒸著法)形成的功函數(shù)(仕事関數(shù))較小、易于氧化的金屬構(gòu)成的