薄膜，例如，由銷、銀.鎂合金等薄膜構(gòu)成，發(fā)光部16由通過FMM(FineMetal Mask:精細(xì)金屬掩模)蒸鍍法形成的有機(jī)化合物的膜構(gòu)成。發(fā)光部16的有機(jī)化合物被調(diào)整成能夠發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色中任一種顏色的光，因此元件層疊部12能夠發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色中任一種顏色的光。通常，將能夠發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色中任一種顏色的光的一個(gè)元件層疊部12稱作子像素，將由相鄰配置的分別發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的光的三個(gè)元件層疊部12構(gòu)成的組稱作像素。
[0038]如圖2所示，具體而言，發(fā)光部16包括從陽(yáng)極膜15側(cè)起依次形成的空穴注入層16a、空穴輸送層16b、由有機(jī)化合物構(gòu)成的發(fā)光層16c、電子輸送層16d、電子注入層16e。以往，有這樣的情況:在一個(gè)發(fā)光部16中，空穴注入層16a、空穴輸送層16b、電子輸送層16d、電子注入層16e中的任一者與其他發(fā)光部16共用，例如，在一個(gè)像素中，多個(gè)元件層疊部12的各發(fā)光部16的空穴注入層16a、空穴輸送層16b、電子輸送層16d、電子注入層16e中的任一者共用，但是，在本實(shí)施方式中，一個(gè)發(fā)光部16與其他發(fā)光部16不共用空穴注入層16a、空穴輸送層16b、電子輸送層16d、電子注入層16e。另外，作為在一個(gè)像素中存在多個(gè)元件層疊部12的具體例子，能夠列舉出由紅、綠、藍(lán)這三個(gè)子像素構(gòu)成一個(gè)像素的情況，以及由紅、綠、藍(lán)、白這四個(gè)子像素構(gòu)成一個(gè)像素的情況等。
[0039]元件層疊部12具有以包圍發(fā)光部16的方式形成的、例如由樹脂構(gòu)成的堤壩狀的堤(Ay夕)18。堤18用于限定發(fā)光部16的位置，并且在發(fā)光部16的周側(cè)使陽(yáng)極膜15及陰極膜17絕緣。
[0040]密封部13例如由CVD氮化硅構(gòu)成，密封部13中的將用于與形成在元件驅(qū)動(dòng)電路層11的TFT的柵電極(未圖示)、源電極(未圖示)相連接的柵連接電極19、源連接電極20覆蓋的部分13b、13c通過蝕刻去除而使柵連接電極19、源連接電極20露出，密封部13中的將元件層疊部12覆蓋的部分13a不去除，將元件層疊部12密封。
[0041]從防止水分進(jìn)入的觀點(diǎn)出發(fā)，密封膜14的作為水分透過比例的指標(biāo)的WVTR(Water Vapor Transmiss1n Rate)良好，密封膜14由水分難以透過的材質(zhì)構(gòu)成，例如，密封膜14能夠采用通過CVD法形成的SiN膜、通過ALD法形成的Al2O3膜。Al 203具有難蝕刻性，因此，在密封膜14由Al2OJ莫構(gòu)成的情況下，在進(jìn)行密封部13b、13c的蝕刻時(shí)，密封膜14能夠作為蝕刻停止膜發(fā)揮作用。
[0042]在有機(jī)EL元件構(gòu)造10中，陽(yáng)極膜15、陰極膜17隔著密封膜14與元件驅(qū)動(dòng)電路層11相連接，具體而言，陽(yáng)極膜15、陰極膜17具有貫穿密封膜14的部分，通過該部分與元件驅(qū)動(dòng)電路層11相連接。
[0043]在有機(jī)EL元件構(gòu)造10中，在元件驅(qū)動(dòng)電路層11之上依次形成密封膜14、陽(yáng)極膜15、堤18、發(fā)光部16、陰極膜17及密封部13。
[0044]采用圖1的有機(jī)EL元件構(gòu)造10，在元件驅(qū)動(dòng)電路層11和元件層疊部12之間配置有密封膜14，因此該密封膜14能夠防止從元件驅(qū)動(dòng)電路層11的有機(jī)絕緣膜Ilb放出的水分、有機(jī)物到達(dá)元件層疊部12的發(fā)光部16，結(jié)果，能夠防止由有機(jī)物致使發(fā)光部16的有機(jī)化合物劣化。
[0045]對(duì)于圖1的有機(jī)EL元件構(gòu)造10，在元件層疊部12中，從元件驅(qū)動(dòng)電路層11側(cè)起依次形成陽(yáng)極膜15、發(fā)光部16及陰極膜17，但是也可以是從元件驅(qū)動(dòng)電路層11側(cè)起依次形成陰極膜17、發(fā)光部16及陽(yáng)極膜15。
[0046]另外，在圖1的有機(jī)EL元件構(gòu)造10中，密封膜14形成為覆蓋元件驅(qū)動(dòng)電路層11的整個(gè)面，但是也可以是在局部形成密封膜14，例如，通過遮光掩模法卜''一夕法)僅在元件驅(qū)動(dòng)電路層11和元件層疊部12之間形成密封膜14。
[0047]接著，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造。
[0048]本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)、作用與所述第I實(shí)施方式基本相同，與所述第I實(shí)施方式的不同之處在于，不是利用由CVD氮化硅構(gòu)成的密封部13而是利用由ALD法形成的密封薄膜來覆蓋元件層疊部12。因而，省略對(duì)重復(fù)的結(jié)構(gòu)、作用的說明，以下對(duì)不同的結(jié)構(gòu)、作用進(jìn)行說明。
[0049]圖3是概略地說明本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0050]在圖3中，有機(jī)EL元件構(gòu)造21具有:堤18、22、23，其覆蓋柵連接電極19、源連接電極20，例如由樹脂構(gòu)成；以及密封薄膜24 (另一密封膜)，其覆蓋元件層疊部12、堤18、22、23。密封薄膜24采用通過ALD法形成的Al2OJ莫，該密封薄膜24將元件層疊部12密封。
[0051]在有機(jī)EL元件構(gòu)造21中，最終，通過蝕刻將覆蓋柵連接電極19、源連接電極20的密封薄膜24、堤22、23去除。具體而言，利用氯系氣體、例如氯氣(Cl2)、氯化硼氣體(BCl3)等含氯(Cl)氣體的等離子體蝕刻密封薄膜24，利用氧氣(O2)、氟系氣體例如四氟化碳(CF4)氣體，或者它們的混合氣體、或者含有氧(0)、氟(F)的氣體的等離子體蝕刻由于密封薄膜24被去除而露出的堤22、23。
[0052]采用圖3的有機(jī)EL元件構(gòu)造21，密封薄膜24通過ALD法形成，由于ALD法的覆蓋率較高，因此，即使元件層疊部12及其周邊的構(gòu)造的形狀復(fù)雜，也能夠利用密封薄膜24可靠地進(jìn)行覆蓋，因而，能夠可靠地密封元件層疊部12。
[0053]此外，在圖3的有機(jī)EL元件構(gòu)造21中，在柵電極19與密封薄膜24之間、源電極20與密封薄膜24之間設(shè)有堤22、23，由于樹脂的蝕刻控制性較高，在使柵電極19、源電極20露出時(shí)，使用氟系氣體蝕刻堤22、23，因此能夠選擇性良好地對(duì)密封膜14、柵電極19、源電極20進(jìn)行蝕刻，不必?fù)?dān)心因過蝕刻而損傷柵電極19、源電極20。
[0054]接著，說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造。
[0055]本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)、作用與所述第2實(shí)施方式基本相同，與所述第2實(shí)施方式的不同之處在于，在堤18的頂部形成有槽，該槽包圍單個(gè)元件層疊部12。因而，省略對(duì)重復(fù)的結(jié)構(gòu)、作用的說明，以下對(duì)不同的結(jié)構(gòu)、作用進(jìn)行說明。
[0056]圖4是概略地說明本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖5是表示圖4的有機(jī)EL元件構(gòu)造中的陰極膜及槽的配置的俯視圖。
[0057]在圖4及圖5中，在有機(jī)EL元件構(gòu)造26的元件層疊部12，在包圍發(fā)光部16的堤18的頂部形成有槽27，該槽27包圍發(fā)光部16。
[0058]槽27具有與元件驅(qū)動(dòng)電路層11垂直地延伸的矩形的截面形狀。有機(jī)EL元件構(gòu)造26也是陰極膜17 (構(gòu)成第2電極的導(dǎo)電膜)通過框掩模蒸鍍法形成，因此，基本上陰極膜17不僅覆蓋一個(gè)元件層疊部12還覆蓋與該一個(gè)元件層疊部12相鄰的多個(gè)其他元件層疊部12，由于利用框掩模蒸鍍法形成膜具有各向異性，在本實(shí)施方式中，具有僅在垂直于元件驅(qū)動(dòng)電路層11的方向上膜的厚度增加的各向異性，因此，在槽27的側(cè)面沒有形成陰極膜17。因此，槽27的底部的陰極膜17與堤18的頂部的陰極膜17之間是斷開的。S卩，槽27以包圍單個(gè)發(fā)光部16的方式截?cái)嚓帢O膜17。具體而言，由于槽27，一個(gè)元件層疊部12的陰極膜17相對(duì)于其他元件層疊部12的陰極膜17被截?cái)?，而相?duì)于其他元件層疊部12的陰極膜17獨(dú)立。換言之，槽27以子像素為單位將陰極膜17截?cái)?，使一個(gè)子像素的陰極膜17相對(duì)于其他子像素的陰極膜17獨(dú)立。
[0059]另一方面，由于密封薄膜24通過覆蓋率較高的ALD法形成，因此不僅在槽27