的底面形成有密封薄膜24，在側(cè)面也形成有密封薄膜24，密封薄膜24不僅覆蓋陰極膜17，還覆蓋槽27的沒有被陰極膜17覆蓋的側(cè)面。即，密封薄膜24將有機EL元件構(gòu)造26的露出部分全部覆蓋。
[0060]并且，如圖4所示，在元件驅(qū)動電路層11內(nèi)配置由柵極28、漏極29、源極30及溝道31構(gòu)成的TFT32，漏極29經(jīng)由插頭33與陽極膜15相連接。并且，陰極膜17沿著形成在堤18的錐孔34的側(cè)面朝向元件驅(qū)動電路層11下落，經(jīng)由導(dǎo)電膜35及插頭36與元件驅(qū)動電路層11內(nèi)的布線37相連接。
[0061]圖6是用于對形成圖4的有機EL元件構(gòu)造中的槽、陰極膜及密封薄膜進(jìn)行說明的工序圖。
[0062]首先，利用蝕刻將元件驅(qū)動電路層11的一部分去除，以使插頭33、36的頂部露出，以覆蓋插頭36的頂部、插頭33的頂部方式通過濺鍍成膜法形成導(dǎo)電膜35、陽極膜15，之后，以露出導(dǎo)電膜35、陽極膜15的平坦部的方式形成堤18。此時，堤18的開口部(錐孔34、陽極膜15上的空間38)呈錐形(圖6的(A))。
[0063]接著，通過蝕刻在堤18的頂部形成槽27。該情況下，利用各向異性較強的蝕刻沿垂直于元件驅(qū)動電路層11的方向開設(shè)槽27(圖6的(B))。此外，在本實施方式中，在開設(shè)槽27時，在該槽27到達(dá)密封膜14之前停止蝕刻，但是在密封膜14由通過ALD法形成的Al2O3的薄膜構(gòu)成的情況下，也可以是，繼續(xù)進(jìn)行蝕刻直到槽27到達(dá)密封膜14為止，將密封膜14用作蝕刻停止膜來控制槽27的深度。
[0064]接著，利用FMM蒸鍍法在陽極膜15上的空間38形成發(fā)光部16，之后，通過框掩模蒸鍍法在整個面上形成陰極膜17。該情況下，如所述那樣，陰極膜17的形成具有各向異性，僅在垂直于元件驅(qū)動電路層11的方向上陰極膜17的厚度增加，因此，對于槽27，在槽27的側(cè)面沒有形成陰極膜17，僅在槽27的底部形成陰極膜17。另一方面，由于錐孔34的側(cè)面與元件驅(qū)動電路層11不垂直，因此在錐孔34的側(cè)面形成有陰極膜17(圖6的(C))。
[0065]接著，利用ALD法在陰極膜17上在整個面的范圍內(nèi)都形成由Al2O3構(gòu)成的密封薄膜24，該情況下，如所述那樣，不僅在槽27的底面形成有密封薄膜24，在側(cè)面也形成有密封薄膜24，當(dāng)然，在錐孔34的側(cè)面也形成有密封薄膜24。結(jié)果，密封薄膜24將有機EL元件構(gòu)造26的露出部分全部覆蓋(圖6的(D))。
[0066]采用圖4的有機EL元件構(gòu)造26，通過將單個元件層疊部12的發(fā)光部16包圍的槽27使陰極膜17被截斷而相對于其他元件層疊部12的陰極膜17獨立，因此，即使一個元件層疊部12發(fā)生密封膜24的密封不良或者因什么原因發(fā)生水分、氧、有機物的進(jìn)入而導(dǎo)致發(fā)生污染，也能夠防止造成污染擴散到其他元件層疊部12等這樣的影響。并且，由于槽27而有機EL元件構(gòu)造26的剛性降低，因此配置有多個該有機EL元件構(gòu)造26的發(fā)光面板的柔軟性能夠得到提高。
[0067]在圖4的有機EL元件構(gòu)造26中，包圍元件層疊部12的槽27與元件驅(qū)動電路層11垂直地形成，因此通過框掩模蒸鍍法形成的陰極膜17在槽27的側(cè)面沒有形成，而通過ALD法形成的密封薄膜24在槽27的側(cè)面也有形成。結(jié)果，在有機EL元件構(gòu)造26中，能夠同時實現(xiàn)陰極膜17的截斷和元件層疊部12的密封。
[0068]在所述的圖4的有機EL元件構(gòu)造26中，槽27垂直于元件驅(qū)動電路層11，但是，對于形成于堤18的包圍發(fā)光部16的槽，只要是陰極膜17在該槽的內(nèi)部不連續(xù)的槽即可，也可以是，例如，如圖7所示，在堤18的頂部形成朝向圖中下方的倒錐形的槽39，或者如圖8所示，在堤18的頂部形成下述這樣的錐形的槽40:利用堤18的檐部將傾斜的側(cè)面遮蓋，從圖中上方看不到該側(cè)面。
[0069]例如，在圖7的有機EL元件構(gòu)造中，通過使槽39的截面形狀為倒錐形，能夠利用密封膜24和密封膜14包圍單個子像素。另外，對于在圖4的有機EL元件構(gòu)造26的鉛垂?fàn)畹牟?7，也是通過由WVTR良好的氮化硅形成堤18，從而能夠利用WVTR良好、即水分難以透過的膜包圍單個子像素。
[0070]如所述那樣，在通過框掩模蒸鍍法在整個面上形成陰極膜17時，陰極膜17的厚度僅在垂直于元件驅(qū)動電路層11的方向上增加，因此，對于槽39、槽40也是僅在朝向圖中上方露出的底面的局部形成有陰極膜17。另一方面，通過ALD法在陰極膜17上的整個面的范圍內(nèi)都形成由Al2O3構(gòu)成的密封薄膜24時，不僅在槽39、槽40的底面形成有密封薄膜24，在其側(cè)面也形成有密封薄膜24。結(jié)果，能夠同時實現(xiàn)陰極膜17的截斷和元件層疊部12的密封。
[0071]圖9是用于對形成圖8的槽以及在槽內(nèi)部形成陰極膜和密封薄膜進(jìn)行說明的工序圖。
[0072]首先，在堤18之上形成光致抗蝕劑膜42，該光致抗蝕劑膜42在與要形成槽40的位置相應(yīng)的位置具有開口部41。此時，堤18具有雙層構(gòu)造，包括由比較容易被蝕刻的樹脂或氮化硅構(gòu)成的下層18a和由比較難以被蝕刻的樹脂或氮化硅構(gòu)成的上層18b (圖9的(K))。
[0073]接著，將光致抗蝕劑膜42用作掩模，利用各向同性強的蝕刻去除堤18的在開口部41處露出的部分，形成槽40。此時，堤18的上層18a的去除(蝕刻)進(jìn)行得比上層18b的去除快，因此在去除進(jìn)行得快的下層18a形成錐形的槽40，去除進(jìn)行得慢的上層18b構(gòu)成懸于槽40的檐部18c。堤18的蝕刻繼續(xù)進(jìn)行直到槽40到達(dá)密封膜14(圖9的(B))，在密封膜14由通過ALD法形成的Al2O3膜構(gòu)成的情況下，該密封膜14作為蝕刻停止膜發(fā)揮作用，在槽40到達(dá)密封膜14后，該槽40向圖中下方的擴展停止。
[0074]接著，在去除了光致抗蝕劑膜42后，通過框掩模蒸鍍法在整個面上形成陰極膜17，如所述那樣，陰極膜17的形成具有各向異性，陰極膜17的厚度僅在垂直于元件驅(qū)動電路層11的方向上增加，因此，在槽40的內(nèi)部，僅在底部的沒有被檐部18c遮蓋的部分形成有陰極膜17(圖9的(C))。
[0075]接著，通過覆蓋率良好的ALD法形成由Al2O3構(gòu)成的密封薄膜24，不僅在槽40的底面，在槽40的側(cè)面也被密封薄膜24覆蓋(圖9的(D))。
[0076]另外，槽40只要能夠使陰極膜17被截斷即可，也可以是如圖9的(E)所示那樣沒有到達(dá)密封膜14(圖9的(E))。
[0077]將多個所述有機EL元件構(gòu)造10、21、26配置于基板上，從而能夠構(gòu)成發(fā)光面板，例如，如圖10的(A)所示，也可以是在玻璃基板43之上配置多個有機EL元件構(gòu)造26而構(gòu)成發(fā)光面板44，或者也可以是，首先，如圖10的(B)所示，在玻璃基板45上形成具有柔軟性的樹脂基板46，在該樹脂基板46上配置多個有機EL元件構(gòu)造26，之后，如圖10的(C)所示，除去玻璃基板45，從而構(gòu)成發(fā)光面板47。該情況下，通過樹脂基板46的柔軟性及因有機EL元件構(gòu)造26的槽27所具有的柔軟性的協(xié)同效果，能夠提高發(fā)光面板47的柔軟性。并且，在發(fā)光面板47中，雖然從樹脂基板46會生成水、氧、有機物(參照圖中的空白箭頭)或者水、氧、有機物會從外部透過樹脂基板46，但是密封膜14阻止水、氧、有機物進(jìn)入元件層疊部12，因此能夠防止發(fā)光部16劣化。
[0078]接著，說明本發(fā)明的第4實施方式的有機EL元件構(gòu)造。
[0079]圖12是概略地說明本實施方式的有機EL元件構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的剖視圖。本實施方式的結(jié)構(gòu)、作用與所述第3實施方式基本相同，與所述第3實施方式的不同之處在于，利用ALD法在密封薄膜24之下的整個面的范圍內(nèi)都形成透明導(dǎo)電膜4