一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]21世紀(jì)是顯示領(lǐng)域中的平板顯示的時(shí)代，大多數(shù)的平板顯示器都是有源矩陣液晶顯不器(英文:Active Matrix Liquid Crystal Display ;簡(jiǎn)稱:AM LCD)。一般來講，一塊完整的液晶顯示面板必須由背光模塊組、偏光片、上基板和下基板以及由兩塊基板組成的盒中填充的液晶分子構(gòu)成。其中，上基板通常為彩膜基板，下基板通常為陣列基板。因此，作為有源矩陣液晶顯示器的重要組成部分，陣列基板的制造方法十分重要。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板上形成有縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和柵線。數(shù)據(jù)線和柵線共同形成矩陣形式排列的像素單元。每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(英文:Thin FilmTransistor ;簡(jiǎn)稱:TFT)開關(guān)和像素電極圖形，其中TFT開光包括柵極金屬圖形、源漏極金屬圖形和有源層圖形；柵極金屬圖形連接?xùn)啪€，源漏極金屬圖形連接數(shù)據(jù)線和像素電極圖形，有源層圖形形成在源、漏極金屬圖形與柵極金屬圖形之間。陣列基板上一般還形成有公共電極圖形，用于和像素電極圖形形成電場(chǎng)，公共電極圖形與像素電極圖形之間的電場(chǎng)強(qiáng)度變化控制著液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度。
[0004]隨著TFT性能的不斷提高，現(xiàn)有TFT技術(shù)很難再有突破性的提高。作為有源層材料的非晶娃(英文:Amorphous silicon ;簡(jiǎn)稱:a_Si)雖易于在低溫下大面積制備，技術(shù)較為成熟，成為目前最廣泛使用的技術(shù)，但a-Si材料帶隙只有1.7V，對(duì)可見光不透明，并在可見光范圍內(nèi)具有光敏性，需增加不透明金屬掩膜板(黑矩陣)來阻擋光線，這便增加了TFT-LCD的工藝復(fù)雜性，提高了成本，降低了器件開態(tài)電流，像素充電時(shí)間較長(zhǎng)，且對(duì)于大尺寸顯示產(chǎn)品，降低了可靠性和開口率，增加了功耗，性能難以進(jìn)一步提高，因此，陣列基板的顯示性能較差且成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決陣列基板的顯示性能較差且成本較高的問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在襯底基板上形成第一柵極金屬圖形；
[0008]在形成有所述第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形；
[0009]在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護(hù)層圖形和過孔圖形；
[0010]在形成有所述第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形。
[0011]可選的，所述在襯底基板上形成第一柵極金屬圖形，包括:
[0012]在所述襯底基板上沉積第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜；
[0013]在沉積有所述第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上沉積第一金屬層；
[0014]對(duì)沉積有所述第一金屬層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成公共電極圖形和公共線；
[0015]在形成有所述公共電極圖形的襯底基板上進(jìn)行刻蝕形成公共線、柵線、所述第一柵極金屬圖形和數(shù)據(jù)線。
[0016]可選的，所述第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜由氧化銦錫ITO或銦鋅氧化物IZO制成；
[0017]所述第一金屬層由鉬、鋁、銅、鈦或鎢制成。
[0018]可選的，所述在形成有所述第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形，包括:
[0019]在形成有所述第一柵極金屬圖形的襯底基板上通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD工藝形成所述柵極絕緣層；
[0020]在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上沉積第二氧化物透明半導(dǎo)體薄膜；
[0021]在沉積有所述第二氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上沉積第二金屬層；
[0022]對(duì)沉積有所述第二金屬層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成所述第一有源層圖形和所述源漏極金屬圖形。
[0023]可選的，所述第二氧化物透明半導(dǎo)體薄膜由氧化鋅ZnO、銦鋅氧化物IZ0、銦鎵鋅氧化物IGZO或銦錫鋅氧化物ITZO制成；
[0024]所述第二金屬層由鉬、鋁、銅、鈦或鎢制成。
[0025]可選的，所述在形成有所述過孔圖形的襯底基板上形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形，包括:
[0026]在形成有所述過孔圖形的襯底基板上通過磁控濺射工藝沉積第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜；
[0027]在沉積有所述第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上通過所述PECVD工藝沉積保護(hù)層薄膜；
[0028]在沉積有所述保護(hù)層薄膜的襯底基板上涂覆一層光刻膠；
[0029]采用灰色或半色調(diào)掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影形成所述第二保護(hù)層圖形、所述第二有源層圖形和所述像素電極圖形。
[0030]可選的，所述在形成有所述過孔圖形的襯底基板上形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形，包括:
[0031]在形成有所述過孔圖形的襯底基板上通過磁控濺射工藝沉積第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜；
[0032]在沉積有所述第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上通過所述PECVD工藝沉積保護(hù)層薄膜；同時(shí)，
[0033]在沉積有所述保護(hù)層薄膜的襯底基板上沉積第三金屬層；
[0034]在沉積有所述第三金屬層的襯底基板上涂覆一層光刻膠；
[0035]采用灰色或半色調(diào)掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影形成所述第二保護(hù)層圖形、所述第二有源層圖形、第二柵極金屬圖形和所述像素電極圖形。
[0036]可選的，所述第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜由氧化鋅ZnO、銦鋅氧化物IZ0、銦鎵鋅氧化物IGZO或銦錫鋅氧化物ITZO制成。
[0037]第二方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0038]襯底基板；
[0039]所述襯底基板上形成有第一柵極金屬圖形；
[0040]形成有所述第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成有柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形；
[0041]形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成有第一保護(hù)層圖形；
[0042]形成有所述第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成有第二有源層圖形和像素電極圖形。
[0043]可選的，所述陣列基板還包括:
[0044]形成有所述第二有源層圖形的襯底基板上形成有第二保護(hù)層圖形。
[0045]可選的，所述陣列基板還包括:
[0046]形成有所述第二保護(hù)層圖形的襯底基板上形成有第二柵極金屬圖形。
[0047]可選的，所述陣列基板還包括:
[0048]形成有所述第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成有過孔圖形。
[0049]可選的，所述陣列基板還包括:
[0050]所述襯底基板上形成有公共電極圖形、公共線、柵線和數(shù)據(jù)線。
[0051]第三方面，提供了一種顯示裝置，包括第二方面任一所述的陣列基板。
[0052]本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，通過在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形，在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護(hù)層圖形和過孔圖形，在形成有第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形，使得陣列基板形成雙有源層圖形，相較于現(xiàn)有的陣列基板，降低了 TFT-LCD的工藝復(fù)雜性，提高了器件開態(tài)電流，縮短了像素充電時(shí)間，且對(duì)于大尺