寸顯示產(chǎn)品，提高了可靠性和開口率，降低了功耗，因此，提高了陣列基板的顯示性能，且降低了成本。
[0053]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0054]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0055]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0056]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一柵極金屬圖形方法的流程圖；
[0057]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沉積第一金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一柵極金屬圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形方法的流程圖；
[0060]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成柵極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一有源層圖形和源漏極金屬圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一保護(hù)層圖形和過孔圖形方法的流程圖；
[0063]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一保護(hù)層圖形和過孔圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形方法的流程圖；
[0065]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沉積第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0066]圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沉積保護(hù)層薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種涂覆光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0068]圖14是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069]圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形方法的流程圖；
[0070]圖16是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沉積第三金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071]圖17是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種涂覆光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0072]圖18是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形、第二柵極金屬圖形和像素電極圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0073]圖19是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0074]通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實(shí)施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。
【具體實(shí)施方式】
[0075]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖1所示，該方法包括:
[0077]步驟101、在襯底基板上形成第一柵極金屬圖形。
[0078]步驟102、在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形。
[0079]步驟103、在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護(hù)層圖形和過孔圖形。
[0080]步驟104、在形成有第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形。
[0081]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形，在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護(hù)層圖形和過孔圖形，在形成有第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成第二保護(hù)層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形，使得陣列基板形成雙有源層圖形，相較于現(xiàn)有的陣列基板，降低了 TFT-LCD的工藝復(fù)雜性，提高了器件開態(tài)電流，縮短了像素充電時(shí)間，且對(duì)于大尺寸顯示產(chǎn)品，提高了可靠性和開口率，降低了功耗，因此，提高了陣列基板的顯示性能，且降低了成本。
[0082]進(jìn)一步的，如圖2所示，步驟101具體可以包括:
[0083]步驟1011、在襯底基板上沉積第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。
[0084]在襯底基板上沉積第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜3001，具體通過磁控濺射工藝在襯底基板上沉積一層30-50nm(納米)的氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。示例的，該氧化物透明半導(dǎo)體薄膜可以由氧化銦錫(英文:indium tin oxide ;簡(jiǎn)稱:IT0)或銦鋅氧化物(英文:indium zinc oxide ;簡(jiǎn)稱:IZ0)制成。
[0085]步驟1012、在沉積有第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上沉積第一金屬層。
[0086]如圖3所示，按照步驟1011在襯底基板3001上沉積第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜3002，再通過磁控派射工藝再沉積一層200-300nm的金屬層3003。示例的，該金屬層可以由鉬、銷、銅、鈦或鶴制成。
[0087]步驟1013、對(duì)沉積有第一金屬層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成公共電極圖形和公共線。
[0088]具體的，在沉積有第一金屬層3003的襯底基板上涂覆一層光刻膠，并用灰色或半色調(diào)掩膜板對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影、濕刻刻蝕第一金屬層及第一氧化物透明半導(dǎo)體薄膜，形成公共電極圖形和公共線。
[0089]步驟1014、在形成有公共電極圖形的襯底基板上進(jìn)行刻蝕形成柵線、第一柵極金屬圖形和數(shù)據(jù)線。
[0090]具體的，對(duì)步驟1013中的光刻膠進(jìn)行灰化，去除部分保留的光刻膠，進(jìn)行第二次濕刻刻蝕形成柵線、第一柵極金屬圖形3004和數(shù)據(jù)線，如圖4所示，圖4中的3005為公共電極圖形。需要說明的是，步驟1013和步驟1014形成的公共線、柵線和數(shù)據(jù)線在圖4中未示出。
[0091]如圖5所示，步驟102具體可以包括:
[0092]步驟1021、在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上通過PECVD工藝形成柵極絕緣層。
[0093]如圖6所示，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(英文:Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n ;簡(jiǎn)稱:PECVD)工藝沉積 300-400nm 的柵極絕緣層 3006。
[0094]步驟1022、在形成有柵極絕緣層的襯底基板上沉積第二氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。
[0095]在柵極絕緣層上沉積第二氧化物透明半導(dǎo)體薄膜，具體通過磁控濺射工藝在柵極絕緣層上沉積一層30-50nm的氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。示例的，該氧化物透明半導(dǎo)體薄膜可以由氧化鋅(英文:zinc oxide ;簡(jiǎn)稱:ZnO)、IZ0、銦鎵鋅氧化物(英文:indium galliumzinc oxide ;簡(jiǎn)稱:IGZ0)或銦錫鋅氧化物(英文:1ndium-Tin-zinc_Oxide ;簡(jiǎn)稱:ITZ0)制成。此外，該氧化物透明半導(dǎo)體薄膜也可以為PECVD制備的非晶娃(英文-Amorphoussilicon ;簡(jiǎn)稱:a_Si)。
[0096]步驟1023、在沉積有第二氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上沉積第二金屬層。
[0097]在步驟1022的基礎(chǔ)上，通過磁控派射工藝再沉積一層200-300nm的金屬層。示例的，該金屬層可以由鉬、鋁、銅、鈦或鎢制成。
[0098]步驟1024、對(duì)沉積有第二金屬層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成第一有源層圖形