和源漏極金屬圖形。
[0099]具體的，在沉積有第二金屬層的襯底基板上涂覆一層光刻膠，并用灰色或半色調(diào)掩膜板對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影、刻蝕形成第一有源層圖形3007和源漏極金屬圖形3008，如圖7所示。源漏極金屬圖形至少包括源極金屬圖形和漏極金屬圖形。
[0100]如圖8所示，步驟103具體可以包括:
[0101]步驟1031、在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上沉積第一保護層薄膜。
[0102]具體的，可以通過PECVD工藝沉積一層保護層薄膜。
[0103]步驟1032、在沉積有第一保護層薄膜的襯底基板上進行一次構(gòu)圖工藝形成第一保護層圖形和過孔圖形。
[0104]具體的，在沉積有第一保護層薄膜的襯底基板上通過涂覆光刻膠，曝光，顯影及刻蝕等步驟形成第一保護層圖形3009和過孔圖形3010，如圖9所示。
[0105]一方面，步驟104可以通過一次構(gòu)圖工藝形成第二保護層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形，如圖10所示，具體可以包括:
[0106]步驟1041、在形成有過孔圖形的襯底基板上通過磁控濺射工藝沉積第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。
[0107]如圖11所示，在過孔圖形3010上沉積第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜3011，具體通過磁控濺射工藝在過孔圖形上沉積一層30-50nm的氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。示例的，該氧化物透明半導(dǎo)體薄膜可以由ZnO、IZO、IGZO或ITZO制成。
[0108]步驟1042、在沉積有第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上通過PECVD工藝沉積保護層薄膜。
[0109]如圖12所示，在沉積有第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜3011的襯底基板上通過PECVD工藝沉積保護層薄膜3012。
[0110]步驟1043、在沉積有保護層薄膜的襯底基板上涂覆一層光刻膠。
[0111]如圖13所示，在沉積有保護層薄膜3012的襯底基板上涂覆一層光刻膠3013。
[0112]步驟1044、采用灰色或半色調(diào)掩膜板對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影形成第二保護層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形。
[0113]采用灰色或半色調(diào)掩膜板對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影形成的第二保護層圖形3014、第二有源層圖形3015和像素電極圖形3016如圖14所示。
[0114]最后在步驟1044的基礎(chǔ)上，利用離子注入或等離子處理工藝將像素電極的第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)為透明導(dǎo)電薄膜。
[0115]另一方面，步驟104可以通過一次構(gòu)圖工藝形成第二保護層圖形、第二有源層圖形、第二柵極金屬圖形和像素電極圖形，如圖15所示，具體可以包括:
[0116]步驟1061、在形成有過孔圖形的襯底基板上通過磁控濺射工藝沉積第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜。
[0117]步驟1061的具體過程可以參考步驟1041。
[0118]步驟1062、在沉積有第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上通過PECVD工藝沉積保護層薄膜；同時，在沉積有保護層薄膜的襯底基板上沉積第三金屬層。
[0119]在沉積有第三氧化物透明半導(dǎo)體薄膜的襯底基板上通過PECVD工藝沉積保護層薄膜的具體過程可以參考步驟1042。而沉積第三金屬層可以通過PEVCD工藝來完成，如圖16所示，在沉積有保護層薄膜3012的襯底基板上沉積第三金屬層3017。
[0120]步驟1063、在沉積有第三金屬層的襯底基板上涂覆一層光刻膠。
[0121]如圖17所示，在沉積有第三金屬層3017的襯底基板上涂覆一層光刻膠3018。
[0122]步驟1064、采用灰色或半色調(diào)掩膜板對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影形成第二保護層圖形、第二有源層圖形、第二柵極金屬圖形和像素電極圖形。
[0123]采用灰色或半色調(diào)掩膜板對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影形成的第二保護層圖形3014、第二有源層圖形3015、第二柵極金屬圖形3019和像素電極圖形3016如圖18所示。此外，圖18中的，3001為襯底基板，3004為第一柵極金屬圖形，3006為柵極絕緣層，3007為第一有源層圖形，3008為源漏極金屬圖形，3009為第一保護層圖形，3010為過孔圖形，3005為公共電極圖形。
[0124]需要說明的是，通過沉積第三金屬層，形成的第二柵極金屬圖形可以用來保證并控制第二有源層圖形的正常性能。
[0125]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法步驟的先后順序可以進行適當調(diào)整，步驟也可以根據(jù)情況進行相應(yīng)增減，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化的方法，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)，因此不再贅述。
[0126]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，通過在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形，在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護層圖形和過孔圖形，在形成有第一保護層圖形的襯底基板上形成第二保護層圖形、第二有源層圖形和像素電極圖形，使得陣列基板形成雙有源層圖形，相較于現(xiàn)有的陣列基板，降低了 TFT-LCD的工藝復(fù)雜性，提高了器件開態(tài)電流，縮短了像素充電時間，且對于大尺寸顯示產(chǎn)品，提高了可靠性和開口率，降低了功耗，因此，提高了陣列基板的顯示性能，且降低了成本。
[0127]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖19所示，該陣列基板可以包括:襯底基板3001 ;襯底基板3001上形成有第一柵極金屬圖形3004 ;形成有第一柵極金屬圖形3004的襯底基板上形成有柵極絕緣層3006、第一有源層圖形3007和源漏極金屬圖形3008;形成有源漏極金屬圖形3008的襯底基板上形成有第一保護層圖形3009 ;形成有第一保護層圖形3009的襯底基板上形成有第二有源層圖形3015和像素電極圖形3016。圖中3005為公共電極圖形。
[0128]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形，在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護層圖形和過孔圖形，在形成有第一保護層圖形的襯底基板上形成第二有源層圖形和像素電極圖形，使得陣列基板形成雙有源層圖形，相較于現(xiàn)有的陣列基板，降低了 TFT-LCD的工藝復(fù)雜性，提高了器件開態(tài)電流，縮短了像素充電時間，且對于大尺寸顯示產(chǎn)品，提高了可靠性和開口率，降低了功耗，因此，提高了陣列基板的顯示性能，且降低了成本。
[0129]本發(fā)明實施例提供另一種陣列基板，如圖18所示，該陣列基板可以包括:襯底基板3001 ;襯底基板3001上形成有第一柵極金屬圖形3004 ;形成有第一柵極金屬圖形3004的襯底基板上形成有柵極絕緣層3006、第一有源層圖形3007和源漏極金屬圖形3008;形成有源漏極金屬圖形3008的襯底基板上形成有第一保護層圖形3009 ;形成有第一保護層圖形3009的襯底基板上形成有第二有源層圖形3015和像素電極圖形3016 ;形成有第二有源層圖形3015的襯底基板上形成有第二保護層圖形3014 ;形成有第二保護層圖形3014的襯底基板上形成有第二柵極金屬圖形3019 ;形成有第一保護層圖形3009的襯底基板上形成有過孔圖形3010 ;襯底基板上還形成有公共電極圖形3005、公共線、柵線和數(shù)據(jù)線(公共線、柵線和數(shù)據(jù)線在圖18中未示出)。
[0130]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在形成有第一柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層、第一有源層圖形和源漏極金屬圖形，在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成第一保護層圖形和過孔圖形，在形成有第一保護層圖形的襯底基板上形成第二保護層圖形