方延伸。下表面噴嘴14的噴出口在噴嘴圓板部14a的上表面中央部開口。在基板W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤8上的狀態(tài)下，下表面噴嘴14的噴出口在上下方向上與基板W的下表面中央部相向。當(dāng)在該狀態(tài)下打開下沖洗液閥16時，從下表面噴嘴14向上方噴出的沖洗液被供給到基板W的下表面中央部。
[0089]供給到下表面噴嘴14的沖洗液是去除了氧氣并添加了氮氣的純水(去離子水:De1nized Water)。即，沖洗液是去除了氧氣并添加了非活性氣體的非活性氣體溶解水。純水中的氧氣濃度例如在20ppb以下，純水中的氮氣濃度例如在7ppm?24ppm。供給到下表面噴嘴14的沖洗液也可是不進(jìn)行氧氣的去除和氮氣的添加的純水。另外，供給到下表面噴嘴14的沖洗液并不限于純水，也可以是IPA(異丙醇)、碳酸水、電解離子水、富氫水、臭氧水、以及稀釋濃度(例如、I?10ppm左右)的鹽酸水中的任一個。
[0090]如圖3所示，處理單元3包括:筒狀的下氣體流路18，由下表面噴嘴14的外周面和旋轉(zhuǎn)基座10的內(nèi)周面形成；下氣體配管19，將來自非活性氣體供給源的非活性氣體引導(dǎo)至下氣體流路18 ;下氣體閥20，安裝在下氣體配管19上；下氣體流量調(diào)整閥21，使從下氣體配管19向下氣體流路18供給的非活性氣體的流量增減。
[0091]如圖3所示，下氣體流路18包括在旋轉(zhuǎn)基座10的上表面中央部開口的環(huán)狀的向上噴出口 17。向上噴出口 17配置在下表面噴嘴14的噴嘴圓板部14a的下方。當(dāng)下氣體閥20打開時，來自非活性氣體供給源的非活性氣體以與下氣體流量調(diào)整閥21的開度對應(yīng)的流量從向上噴出口 17向上方噴出。并且，從向上噴出口 17噴出的非活性氣體呈放射狀在基板W的下表面和旋轉(zhuǎn)基座10的上表面之間擴散。由此，基板W的下表面和旋轉(zhuǎn)基座10的上表面之間的空間由非活性氣體充滿。從向上噴出口 17噴出的非活性氣體是氮氣。非活性氣體并不限于氮氣，也可以是氦氣、氬氣等其他非活性氣體。
[0092]如圖3所示，杯22包括:環(huán)狀的杯上端部23，具有比旋轉(zhuǎn)基座10的外徑大的內(nèi)徑；環(huán)狀的杯傾斜部24，從杯上端部23向斜下外側(cè)延伸；杯筒狀部25，從杯傾斜部24的外周部向下方延伸。杯上端部23包括:環(huán)狀的杯內(nèi)周端23a，形成直徑比旋轉(zhuǎn)基座10的外徑大的圓形的開口 ；杯下端23b，從杯傾斜部24的內(nèi)端向下方延伸。杯內(nèi)周端23a是在杯上端部23中位于最內(nèi)側(cè)的部分。
[0093]如圖2所示，杯22包括:環(huán)狀的接受槽26，使通過杯22和旋轉(zhuǎn)卡盤8之間的液體匯集；排氣口 27，在接受槽26的內(nèi)表面開口 ；蓋28，配置在排氣口 27的上方。。雖然未圖示，但杯22還包括在接受槽26的內(nèi)表面開口的排液口。接受槽26的內(nèi)表面包括包圍旋轉(zhuǎn)卡盤8的環(huán)狀的底面、從底面的內(nèi)周端向上方延伸的內(nèi)周面和從底面的外周端向上方延伸的外周面。排氣口 27以及排液口在接受槽26的底面開口。排氣口 27以及排液口隔著間隔在周向上排列。杯上端部23配置在接受槽26的上方。
[0094]如圖2所示，處理單元3包括在上方位置和下方位置之間使杯22升降的杯升降單元29。下方位置(圖2所示的位置)是杯上端部23位于旋轉(zhuǎn)基座10的上表面的下方的退避位置。上方位置(圖3所示的位置)是比下方位置靠上方的處理位置。杯升降單元29能夠使杯22位于上方位置至下方位置的任意的位置(高度)。
[0095]如圖2所示，處理單元3包括對從杯22的排氣口 27向處理單元3的外部排出的排氣進(jìn)行引導(dǎo)的排氣管道30。雖然未圖示，但是處理單元3還包括對從排氣口 27向排氣管道30排出的排氣的流量進(jìn)行調(diào)整的阻尼器。排氣管道30內(nèi)的排氣壓(負(fù)壓)由阻尼器調(diào)整。排氣管道30與吸引氣體的排氣處理設(shè)備連接。處理單元3內(nèi)的氣體總是排出到排氣處理設(shè)備。排氣處理設(shè)備設(shè)置在設(shè)置有基板處理裝置I的工廠。因此，處理單元3內(nèi)的氣體通過杯22的排氣口 27排出到處理單元3外。
[0096]如圖3所示，遮斷構(gòu)件31呈比基板W的外徑更大的圓板狀。遮斷構(gòu)件31包括以水平姿勢保持的圓板部32和從圓板部32的外周部向下方延伸的圓筒部33。遮斷構(gòu)件31包括向上凹入的杯狀的內(nèi)表面。遮斷構(gòu)件31的內(nèi)表面包括相向面35和內(nèi)周面36。如圖2所示，遮斷構(gòu)件31被沿著旋轉(zhuǎn)軸線Al在上下方向上延伸的支撐軸38支撐為水平姿勢。遮斷構(gòu)件31配置在支撐軸38的下方。遮斷構(gòu)件31的中心線(后述的圓板部32的中心線)配置在旋轉(zhuǎn)軸線Al上。支撐軸38被水平延伸的支撐臂39支撐在遮斷構(gòu)件31的上方。
[0097]如圖3所示，遮斷構(gòu)件31的圓板部32與圓筒部33同軸。圓板部32比圓筒部33的下端更靠上方。圓板部32的下表面配置在基板W的上方。圓板部32的下表面相當(dāng)于與基板W的上表面相向的相向面35。圓板部32的相向面35與基板W的上表面平行。圓板部32的相向面35隔著間隔在上下方向上與基板W的上表面相向。圓板部32包括在相向面35的中央部開口的向下噴出口 34。向下噴出口 34配置在旋轉(zhuǎn)軸線Al上。
[0098]如圖3所示，遮斷構(gòu)件31的圓筒部33包括從圓板部32的上表面向下方延伸的外周面37。外周面37包括從圓板部32的上表面向斜下外側(cè)延伸的環(huán)狀的外傾斜部37a和從外傾斜部37a的下端(外端)向鉛垂下方延伸的環(huán)狀的外鉛垂部37b。外傾斜部37a具有相對于旋轉(zhuǎn)軸線Al以一定的傾斜角傾斜的直線狀的截面。外傾斜部37a的外徑隨著接近外傾斜部37a的下端而增加。外傾斜部37a的下端具有與外鉛垂部37b的外徑相等的外徑。外鉛垂部37b的外徑大于旋轉(zhuǎn)基座10的外徑。
[0099]如圖3所示，遮斷構(gòu)件31的圓筒部33包括從圓板部32的相向面35向下方延伸的內(nèi)周面36。內(nèi)周面36包括從圓板部32的相向面35向斜下外側(cè)延伸的環(huán)狀的內(nèi)傾斜部36a。內(nèi)傾斜部36a具有相對于旋轉(zhuǎn)軸線Al的傾斜角連續(xù)地變化的圓弧狀的截面。內(nèi)傾斜部36a的截面向下開放。內(nèi)周面36的內(nèi)徑隨著接近內(nèi)周面36的下端而增加。內(nèi)周面36的下端具有比旋轉(zhuǎn)基座10的外徑大的內(nèi)徑。內(nèi)周面36的下端配置在與圓筒部33的外周面37的下端相等的高度。
[0100]如圖2所示，處理單元3包括使遮斷構(gòu)件31圍繞遮斷構(gòu)件31的中心線(旋轉(zhuǎn)軸線Al)旋轉(zhuǎn)的遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元40。雖然未圖示，但遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元40包括馬達(dá)和將馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)向遮斷構(gòu)件31傳遞的傳遞機構(gòu)。遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元40使遮斷構(gòu)件31以及支撐軸38相對于支撐臂39圍繞遮斷構(gòu)件31的中心線旋轉(zhuǎn)。遮斷構(gòu)件31能夠向與旋轉(zhuǎn)卡盤8的旋轉(zhuǎn)方向(基板W的旋轉(zhuǎn)方向)相同的方向旋轉(zhuǎn)。遮斷構(gòu)件31的旋轉(zhuǎn)速度由控制裝置4控制。
[0101]如圖2所示，處理單元3包括通過使支撐臂39沿鉛垂方向升降來使遮斷構(gòu)件31以及支撐軸38升降的遮斷構(gòu)件升降單元41。遮斷構(gòu)件升降單元41使遮斷構(gòu)件31在上方位置和下方位置之間沿鉛垂方向升降。上方位置(圖2所示的位置)是從基板W的上表面至遮斷構(gòu)件31的相向面35的鉛垂方向的距離大于旋轉(zhuǎn)基座10的厚度(旋轉(zhuǎn)基座10的外周面的鉛垂方向長度)的退避位置。下方位置(圖3所示的位置)是從基板W的上表面到遮斷構(gòu)件31的相向面35的鉛垂方向的距離小于旋轉(zhuǎn)基座10的厚度的接近位置。遮斷構(gòu)件升降單元41能夠使遮斷構(gòu)件31位于上方位置至下方位置的任意的位置(高度)。
[0102]遮斷構(gòu)件31的下方位置包括向基板W的上表面供給處理液的液體處理位置(圖6B所示的位置)和使基板W干燥的干燥位置(圖6C所示的位置)。液體處理位置以及干燥位置都是從基板W的上表面到遮斷構(gòu)件31的相向面35的鉛垂方向的距離小于旋轉(zhuǎn)基座10的厚度的位置。液體處理位置是遮斷構(gòu)件31的相向面35隔著間隔與基板W上的液體相向的位置。液體處理位置以及干燥位置既可以是彼此相同的位置，也可是相互不同的位置。另外，液體處理位置也可以包括向基板W的上表面供給藥液的藥液供給位置、向基板W的上表面供給沖洗液的沖洗液供給位置和向基板W的上表面供給溶劑的溶劑供給位置。在該情況下，藥液供給位置、沖洗液供給位置、以及溶劑供給位置中的二個以上可以在相同的位置(高度)。
[0103]如圖3所示，在遮斷構(gòu)件31配置在下方位置(液體處理位置或干燥位置)時，遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端比旋轉(zhuǎn)基座10的上表面更靠下方，位于與旋轉(zhuǎn)基座10的外周面的一部分相同的高度。杯22的上方位置是杯內(nèi)周端23a比遮斷構(gòu)件31的圓筒部33的下端更靠上方的位置。在遮斷構(gòu)件31配置在下方位置，杯22配置在上方位置時，杯內(nèi)周端23a比遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端更靠上方，位于與圓筒部33的一部分相同的高度。此時，杯22的上方的氣體通過杯22和遮斷構(gòu)件31之間流入杯22內(nèi)，并向排氣管道30排出。
[0104]如圖4所示，在遮斷構(gòu)件31配置在下方位置，杯22配置在上方位置時，杯上端部23在杯22的整周與遮斷構(gòu)件31分離。此時，在杯22以及遮斷構(gòu)件31之間形成用于使向杯22內(nèi)吸引的氣體流入的環(huán)狀流入口 42、使向環(huán)狀流入口 42流入的氣體向杯22的內(nèi)部排出的環(huán)狀流出口 44和從環(huán)狀流入口 42向環(huán)狀流出口 44延伸的環(huán)狀流路43。環(huán)狀流入口 42配置在環(huán)狀流出口 44的上方。環(huán)狀流路43從環(huán)狀流出口 44向上方延伸。因此，流入到環(huán)狀流入口 42的氣體被環(huán)狀流路43向下方引導(dǎo)，并從環(huán)狀流出口 44向下方噴出。
[0105]如圖3所示，處理單元3包括經(jīng)由遮斷構(gòu)件31的向下噴出口 34向下方噴出處理液的中心噴嘴45。中心噴嘴45沿著遮斷構(gòu)件31的中心線(旋轉(zhuǎn)軸線Al)在上下方向上延伸。中心噴嘴45的下端部比遮斷構(gòu)件31的相向面35靠上方。中心噴嘴45與遮斷構(gòu)件31 一起升降。另一方面，即使遮斷構(gòu)件31圍繞旋轉(zhuǎn)軸線Al旋轉(zhuǎn)，中心噴嘴45也不旋轉(zhuǎn)。
[0106]如圖3所示，中心噴嘴45包括沿著旋轉(zhuǎn)軸線Al在上下方向上延伸的多個內(nèi)管(第一管46以及第二管47)和包圍多個內(nèi)管的筒狀的外殼48。多個內(nèi)管包括向基板W的上表面中央部噴出藥液或沖洗液的第一管46和向基板W的上表面中央部噴出溶劑的第二管47。外殼48沿著旋轉(zhuǎn)軸線Al在上下方向上延伸。遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面在徑向上隔著間隔包圍外殼48的外周面。
[0107]如圖3所示，處理單元3向第一管46引導(dǎo)處理液的上處理液配管49、向上處理液配管49引導(dǎo)藥液的上藥液配管50、安裝在上藥液配管50上的上藥液閥51、向上處理液配管49引導(dǎo)沖洗液的上沖洗液配管52、安裝在上沖洗液配管52上的上沖洗液閥53。處理單元3包括向第二管47引導(dǎo)溶劑的上溶劑配管54、安裝在上溶劑配管54上的上溶劑閥55。
[0108]當(dāng)打開上藥液閥51時，上藥液配管50內(nèi)的藥液經(jīng)由上處理液配管49供給到第一管46。同樣，當(dāng)打開上沖洗液閥53時，上沖洗液配管52內(nèi)的沖洗液經(jīng)由上處理液配管49供給到第一管46。由此，藥液或沖洗液從第一管46的下端部向下方噴出。另外，當(dāng)打開上溶劑閥55時，上溶劑配管54內(nèi)的溶劑供給至第二管47。由此，溶劑從第二管47的下端部向下方噴出。
[0109]向中心噴嘴45供給的溶劑(液體)是IPA。IPA是揮發(fā)性比水高且表面張力比水小的揮發(fā)性溶劑的一例。向中心噴嘴45供給的溶劑并不限于IPA，也可以是HFE(氫氟醚)或IPA和HFE的混合液等其他溶劑。
[0110]向中心噴嘴45供給的沖洗液是去除氧氣并添加了氮氣的純水。S卩，沖洗液是溶入了作為非活性氣體的一例的氮氣的非活性氣體溶解水。關(guān)于純水中的氧氣濃度以及氮氣濃度，與前述的濃度相同。向中心噴嘴45供給的沖洗液也可以是不進(jìn)行氧氣的去除以及氮氣的添加的純水。另外，向中心噴嘴45供給的沖洗液并不限于純水，也可以是碳酸水、電解離子水、富氫水、臭氧水、以及稀釋濃度(例如I?10ppm左右)的鹽酸水中的任一個。
[0111]向中心噴嘴45供給的藥液是包含例如硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫溶液、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機堿(例如、TMAH:四甲基氫氧化銨等)、表面活性劑、防腐劑中的至少一個的液體。在第一實施方式中，在藥液罐貯存的藥液原液和去除氧氣并添加了非活性氣體的非活性氣體溶解水在用于從藥液罐向處理單元3引導(dǎo)液體的配管或閥中混合而成的混合液，作為藥液向中心噴嘴45供給。
[