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基板處理裝置的制造方法_5

文檔序號(hào):8529315閱讀:來源:國知局
內(nèi)周面36的下端到旋轉(zhuǎn)基座10的外周面的徑向的距離D2在從保持在旋轉(zhuǎn)卡盤8上的基板W的上表面到遮斷構(gòu)件31的相向面35的鉛垂方向的距離Dl以上。因此,相比徑向的距離D2小于鉛垂方向的距離Dl的情況下,能夠使排出口的開口面積增加。由此,由于氣體的排出效率高,所以防止或抑制氣體在基板W和遮斷構(gòu)件31之間的滯留。
[0141]另外,從向下噴出口 34噴出的非活性氣體在遮斷構(gòu)件31的相向面35和基板W的上表面之間的空間沿基板W的半徑向擴(kuò)散,并從遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端和旋轉(zhuǎn)基座10的外周面之間的環(huán)狀的排出口排出到杯22的內(nèi)部。如果非活性氣體擴(kuò)散的空間的高度在途中變窄,則非活性氣體的擴(kuò)散在該處受到阻礙,有可能發(fā)生非活性氣體滯留。在本實(shí)施方式中,在遮斷構(gòu)件31位于下方位置(干燥位置)時(shí),距離Dl在距離D3以下,且距離D3小于距離D2(參照?qǐng)D4以及圖6C),因此非活性氣體的擴(kuò)散空間的高度不會(huì)小于遮斷構(gòu)件31的相向面35和基板W的上表面之間的鉛垂方向的距離。因此,在非活性氣體從向下噴出口 34噴出并從環(huán)狀的排出口排出的過程中,非活性氣體的擴(kuò)散不會(huì)受到阻礙。因此,能夠可靠地抑制或防止氣體在基板W和遮斷構(gòu)件31之間的滯留。
[0142]進(jìn)而,基板W和遮斷構(gòu)件31之間的氣體被吸引至杯22側(cè)。杯22包圍旋轉(zhuǎn)基座10。遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端配置在旋轉(zhuǎn)基座10的周圍。因此,遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端配置在杯22的內(nèi)部或杯22的開口附近。遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端與旋轉(zhuǎn)基座10的外周面一起形成排出基板W和遮斷構(gòu)件31之間的氣體的環(huán)狀的排出口。因此,排出口配置在杯22的內(nèi)部或杯22的開口附近。因此,將氣體吸入到杯22內(nèi)的吸引力有效地傳遞到基板W和遮斷構(gòu)件31之間的空間。由此,促進(jìn)氣體從基板W和遮斷構(gòu)件31之間排出,抑制發(fā)生滯留。
[0143]在第一實(shí)施方式中,遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元40使遮斷構(gòu)件31沿與基板W相同的方向圍繞旋轉(zhuǎn)軸線Al旋轉(zhuǎn)。當(dāng)遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元40使遮斷構(gòu)件31旋轉(zhuǎn)時(shí),在基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間形成向外側(cè)流動(dòng)的氣流。同樣,當(dāng)旋轉(zhuǎn)卡盤8使基板W旋轉(zhuǎn)時(shí),在基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間形成向外側(cè)流動(dòng)的氣流。通過這些氣流,促進(jìn)氣體從基板W和遮斷構(gòu)件31之間排出。進(jìn)而,由于基板W和遮斷構(gòu)件31的旋轉(zhuǎn)方向相同,所以這些氣流難以抵消。因此,能夠從基板W和遮斷構(gòu)件31之間有效地排出氣體。
[0144]在第一實(shí)施方式中,包圍旋轉(zhuǎn)軸線Al的環(huán)狀的間隙(環(huán)狀流入口 42、環(huán)狀流路43和環(huán)狀流出口 44)形成在杯上端部23和遮斷構(gòu)件31之間。被向杯22內(nèi)吸引的氣體通過該環(huán)狀的間隙流入杯22的內(nèi)部。杯上端部23和遮斷構(gòu)件31之間的距離D5小于從遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36的下端到旋轉(zhuǎn)基座10的外周面的徑向的距離D2。因此,環(huán)狀的間隙的流路面積小,對(duì)要從杯22的上方流入環(huán)狀的間隙的氣體施加的阻力大。因此,含有氧氣的氣體難以流入杯22內(nèi)。
[0145]在第一實(shí)施方式中,在杯上端部23和遮斷構(gòu)件31之間形成的環(huán)狀流路43從環(huán)狀流出口 44向上方延伸。因此,從杯22的上方流入環(huán)狀流入口 42的氣體被環(huán)狀流路43向下方引導(dǎo)。從環(huán)狀流出口 44向下方噴出。由旋轉(zhuǎn)卡盤8保持的基板W比環(huán)狀流出口 44更靠內(nèi)側(cè)。因此,相比環(huán)狀流出口 44向氣體向內(nèi)側(cè)噴出的情況,含有氧氣的氣體難以接近基板W。
[0146]在第一實(shí)施方式中,從遮斷構(gòu)件31的相向面35向斜下外側(cè)延伸的環(huán)狀的內(nèi)傾斜部36a設(shè)置在遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36。內(nèi)傾斜部36a具有曲線狀的截面?;錡和遮斷構(gòu)件31之間的氣體通過基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間,并移動(dòng)到遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36和旋轉(zhuǎn)基座10的外周面之間。在遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36從遮斷構(gòu)件31的相向面35向鉛垂下方延伸的情況下,在遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36和遮斷構(gòu)件31的相向面35的結(jié)合部(角部)難以發(fā)生氣體的滯留。另一方面,遮斷構(gòu)件31的內(nèi)周面36和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間的結(jié)合部從相向面35向斜下外側(cè)延伸的下,難以發(fā)生這樣的滯留。因此,能夠抑制或防止氣體在基板W和遮斷構(gòu)件31之間滯留。
[0147]在第一實(shí)施方式中,由于遮斷構(gòu)件31的向下噴出口 34噴出非活性氣體,基板W的周圍的氣體難以進(jìn)入基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間。但是,也認(rèn)為基板W的周圍的氣體暫時(shí)進(jìn)入基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間。例如,還認(rèn)為基板W的下表面和旋轉(zhuǎn)基座10的上表面之間的氣體移動(dòng)到基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間。
[0148]在從遮斷構(gòu)件31的向下噴出口 34噴出非活性氣體的狀態(tài)下,通過從旋轉(zhuǎn)基座10的向上噴出口 17噴出非活性氣體,能夠抑制或防止含有氧氣的氣體移動(dòng)到基板W的上表面和遮斷構(gòu)件31的相向面35之間。由此,能夠降低與基板W接觸的氣體中的氧氣濃度。
[0149]在第一實(shí)施方式中,從旋轉(zhuǎn)基座10的向上噴出口 17噴出非活性氣體。在該狀態(tài)下,基板W由中央機(jī)械手CR放置在卡盤銷9上。在基板W接近卡盤銷9的期間,從旋轉(zhuǎn)基座10的向上噴出口 17噴出的非活性氣體在基板W和旋轉(zhuǎn)基座10之間擴(kuò)散,排出含有氧氣的氣體。由于基板W和旋轉(zhuǎn)基座10之間的間隔窄,并且多個(gè)卡盤銷9配置在兩者之間的空間的周圍,所以基板W和旋轉(zhuǎn)基座10之間的氣體難以排出。因此,通過預(yù)先排出含有氧氣的氣體,能夠抑制或防止該氣體從基板W和旋轉(zhuǎn)基座10之間移動(dòng)到基板W和遮斷構(gòu)件31之間。
[0150]在第一實(shí)施方式中,杯上端部23配置在遮斷構(gòu)件31的周圍。杯22以及遮斷構(gòu)件31形成使流入杯22和遮斷構(gòu)件31之間的氣體從兩者之間排出的環(huán)狀流出口 44。由于杯上端部23配置在遮斷構(gòu)件31的周圍,所以相比杯上端部23配置在遮斷構(gòu)件31的下方的情況,環(huán)狀流出口 44從基板W遠(yuǎn)離到外側(cè)。因此,吸入到杯22內(nèi)的氣體難以進(jìn)入到基板W和遮斷構(gòu)件31之間。進(jìn)而,杯上端部23在俯視下不與遮斷構(gòu)件31重疊,所以,即使使杯22以及遮斷構(gòu)件31中的一個(gè)或兩個(gè)升降,杯上端部23也不會(huì)與遮斷構(gòu)件31碰撞。
[0151]第二實(shí)施方式
[0152]接著,對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下的圖7中,對(duì)與前述的圖1?圖6所示的各部同等構(gòu)成部分,標(biāo)注與圖1等相同的附圖標(biāo)記,并省略其說明。
[0153]第一實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件與第二實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件的主要的區(qū)別點(diǎn)在于,遮斷構(gòu)件的內(nèi)周面的形狀相互不同。
[0154]如圖7所示,第二實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件231的內(nèi)周面236包括從圓板部32的相向面35向斜下外側(cè)延伸的環(huán)狀的內(nèi)傾斜部236a和從內(nèi)傾斜部236a的下端(外端)向鉛垂下方延伸的環(huán)狀的內(nèi)鉛垂部236b。內(nèi)傾斜部236a具有相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸線Al以一定的傾斜角傾斜的直線狀的截面。內(nèi)傾斜部236a的內(nèi)徑隨著接近內(nèi)傾斜部236a的下端而增加。內(nèi)傾斜部236a的下端具有與內(nèi)鉛垂部236b的內(nèi)徑相等的內(nèi)徑。內(nèi)鉛垂部236b的內(nèi)徑大于旋轉(zhuǎn)基座10的外徑。
[0155]如上所述,在第二實(shí)施方式中,從遮斷構(gòu)件231的相向面35向斜下外側(cè)延伸的環(huán)狀的內(nèi)傾斜部236a設(shè)置在遮斷構(gòu)件231的內(nèi)周面236。內(nèi)傾斜部236a具有直線狀的截面。遮斷構(gòu)件231的內(nèi)周面236和遮斷構(gòu)件231的相向面35的結(jié)合部(角部)從相向面35向斜下外側(cè)延伸,因此難以在遮斷構(gòu)件231的角部發(fā)生氣體的滯留。因此,能夠抑制或防止氣體在基板W和遮斷構(gòu)件231之間的滯留。
[0156]第三實(shí)施方式
[0157]接著,對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下的圖8中,對(duì)與前述的圖1?圖7所示的各部分相同的結(jié)構(gòu)部分,標(biāo)注與圖1等相同的附圖標(biāo)記,并省略其說明。
[0158]第一實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件和第三實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件的主要區(qū)別點(diǎn)在于,在俯視下與杯重疊的環(huán)狀的伸出部設(shè)置在第三實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件上。
[0159]如圖8所示,第三實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件331除了圓板部32以及圓筒部33外,還包括比圓筒部33的下端更靠外側(cè)的環(huán)狀的伸出部360。伸出部360比圓筒部33的下端更靠上方。伸出部360的外徑大于杯上端部23的內(nèi)徑。伸出部360位于杯上端部23的上方。當(dāng)從上方觀察杯22以及遮斷構(gòu)件331時(shí),伸出部360與杯22重疊。遮斷構(gòu)件331包括由伸出部360的下表面和圓筒部33的外周面37 (外鉛垂部37b)形成的截面呈L字狀的環(huán)狀階梯部361。
[0160]如圖8所示,在遮斷構(gòu)件331配置在下方位置而杯22配置在上方位置時(shí),杯上端部23在徑向上隔開間隔包圍遮斷構(gòu)件331的圓筒部33,并且,在上下方向上隔開間隔與遮斷構(gòu)件331的伸出部360相向。此時(shí),在杯22以及遮斷構(gòu)件331之間形成使向杯22內(nèi)吸引的氣體流入的環(huán)狀流入口 342、將流入到環(huán)狀流入口 342的氣體排出到杯22的內(nèi)部的環(huán)狀流出口 344、從環(huán)狀流入口 342向環(huán)狀流出口 344延伸的環(huán)狀流路343。
[0161]如圖8所示,環(huán)狀流入口 342配置在杯22的上方。環(huán)狀流入口 342比環(huán)狀流出口344更靠外側(cè)。環(huán)狀流路343包括從環(huán)狀流入口 342向內(nèi)側(cè)延伸的環(huán)狀的上游部343a、從環(huán)狀流出口 344向上方延伸的環(huán)狀的下游部343c、將上游部343a和下游部343c連接的截面呈L字狀的角部343b。從環(huán)狀流入口 342流入到環(huán)狀流路343的上游部343a的氣體在環(huán)狀流路343的角部343b轉(zhuǎn)換方向,并由環(huán)狀流路343的下游部343c向下方引導(dǎo)。由此,流入到環(huán)狀流入口 342的氣體從環(huán)狀流出口 344向下方噴出。
[0162]如上所述,在第三實(shí)施方式中,在遮斷構(gòu)件331配置在下方位置而杯22配置在上方位置時(shí),杯上端部23在上下方向上隔開間隔與遮斷構(gòu)件331的伸出部360相向。因此,在徑向上延伸的環(huán)狀流路343的上游部343a形成在杯上端部23和遮斷構(gòu)件331的伸出部360之間。進(jìn)而,此時(shí),杯上端部23在徑向上隔開間隔與遮斷構(gòu)件331的圓筒部33相向。因此,在上下方向上延伸的環(huán)狀流路343的下游部343c形成在杯上端部23和遮斷構(gòu)件331的圓筒部33之間。因此,截面呈L字狀的角部343b形成在上游部343a和下游部343c之間。
[0163]這樣,在遮斷構(gòu)件331配置在下方位置而杯22配置在上方位置時(shí),在杯上端部23和遮斷構(gòu)件331之間形成的環(huán)狀流路343具有截面呈L字狀的角部343b而被彎折。因此,與環(huán)狀流路343為直線狀的情況相比,對(duì)在環(huán)狀流路343流動(dòng)的氣體施加的阻力增加。因此,含有氧氣的氣體難以通過杯22和遮斷構(gòu)件331之間進(jìn)入杯22的內(nèi)部。因而,含有氧氣的氣體難以接近基板W。由此,能夠降低與基板W接觸的氣體中的氧氣濃度。
[0164]第四實(shí)施方式
[0165]接著,對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下的圖9中,對(duì)與前述的圖1?圖8所示的各部分相同的結(jié)構(gòu)部分,標(biāo)注與圖1等相同的附圖標(biāo)記,并省略其說明。
[0166]第一實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件和第四實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件的主要的區(qū)別點(diǎn)在于,杯上端部配置在遮斷構(gòu)件的下方。
[0167]如圖9所示,第四實(shí)施方式的遮斷構(gòu)件431的圓筒部33配置在杯上端部23的上方。當(dāng)從上方觀察杯22以及遮斷構(gòu)件431時(shí),遮斷構(gòu)件431的圓筒部33與杯上端部23重疊。在遮斷構(gòu)件431配置在下方位置而杯22配置在上方位置時(shí),遮斷構(gòu)件431的圓筒部33和杯上端部23在上下方向上隔開間隔相向。杯22的上方位置是杯上端部23比旋轉(zhuǎn)基座10的上表面更靠下方的位置。杯22的上方位置可以是與杯22的下方位置相同的位置。
[0168]如圖9所示,在遮斷構(gòu)件431配置在下方位置而杯22配置在上方位置時(shí),杯上端部23在上下方向上隔開間隔與遮斷構(gòu)件431的圓筒部33相向。此時(shí),在杯22以及遮斷構(gòu)件431之間形成使向杯22內(nèi)吸引的氣體流入的環(huán)狀流入口 442、將流入環(huán)狀流入口 442的氣體向杯22的內(nèi)部排出的環(huán)狀流出口 444、從環(huán)狀流入口 442向環(huán)狀流出口 444延伸的環(huán)狀流路443。環(huán)狀流入口 442配置在環(huán)狀流出口 444的周圍。流入環(huán)狀流入口 442的氣體被環(huán)狀流路443向內(nèi)側(cè)引導(dǎo),并從環(huán)狀流出口 444向內(nèi)側(cè)噴
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