體管的漏極端子。
[0178]電連接到第二雜質(zhì)區(qū)114的接觸件未形成在第二雜質(zhì)區(qū)114上。電連接到第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc的接觸件未形成在第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc上。也就是說(shuō)，第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc未電連接到諸如字線(WL)或位線(BL)的布線、提供電信號(hào)的布線等。
[0179]換言之，將第一翅片式有源圖案110電連接到供應(yīng)電力或電信號(hào)的布線的接觸件未形成在位于第一柵電極210和第二柵電極310之間的第一翅片式有源圖案110上。
[0180]然而，如圖3和圖5中未示出，第二雜質(zhì)區(qū)114電連接到形成在第二翅片式有源圖案120的第三區(qū)域120c中的第五雜質(zhì)區(qū)124。也就是說(shuō)，第二雜質(zhì)區(qū)114和第五雜質(zhì)區(qū)124通過(guò)導(dǎo)線彼此搭接。
[0181]在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I中，可以是圖2中所示的斷裂晶體管的源極端子的第四雜質(zhì)區(qū)116可以被電浮置。
[0182]在根據(jù)某些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，第一柵電極210設(shè)置在第一接觸件510和第二柵電極310之間。這樣，第一接觸件510、第一柵電極210和第二柵電極310沿第一方向X順序地布置。
[0183]因此，第一柵電極210和第二柵電極310位于第一接觸件510的在第一方向X上的一側(cè)。從第一接觸件510到第一柵電極210的距離是第一距離LI，從第一接觸件510到第二柵電極310的距離是第二距離L2。從第一接觸件510到第二柵電極310的第二距離L2大于從第一接觸件510到第一柵電極210的第一距離LI。這里，術(shù)語(yǔ)“距離”表示接觸件的在第一方向X上的寬度的中心與柵電極的在第一方向X上的寬度的中心之間的間隙，不過(guò)距離能夠從每個(gè)組件的其它相應(yīng)部分來(lái)測(cè)量。同樣地，在某些實(shí)施例中，存取晶體管的漏極端子(例如，112)處的位線(BL)接觸件(例如，510)與存取晶體管的字線柵極(例如，210)之間的距離比存取晶體管的漏極端子(例如，112)處的位線(BL)接觸件(例如，510)與斷裂晶體管的可使高電壓線連接到的柵極(例如，310)之間的距離短，從而以反熔絲的方式使得柵極絕緣層斷裂。在某些實(shí)施例中，在施加高電壓之后，柵極310的柵極絕緣層是斷裂的柵極絕緣層，從而對(duì)于第一翅片式有源圖案110來(lái)說(shuō)，柵極310短路。
[0184]參照?qǐng)D3，第一翅片式有源圖案110包括從第一柵電極210的側(cè)表面在第一方向X上突出或延伸的第一區(qū)域IlOa和第三區(qū)域110c。第二翅片式有源圖案120包括從第一柵電極210的側(cè)表面在第一方向X突出或延伸的第一區(qū)域120a和第三區(qū)域120c。第一翅片式有源圖案110的第一區(qū)域IlOa和第二翅片式有源圖案120的第一區(qū)域120a可以一起形成諸如圖2中所示的用于反熔絲裝置的存取晶體管的漏極。
[0185]此外，第一翅片式有源圖案110包括從第二柵電極310的側(cè)表面在第一方向X上突出或延伸的第三區(qū)域IlOc和第五區(qū)域110e。然而，因?yàn)榈诙烹姌O310不形成在第二翅片式有源圖案120上，因此，第二翅片式有源圖案120不包括從第二柵電極310的側(cè)表面在第一方向X上突出的區(qū)域。
[0186]現(xiàn)在，將參照?qǐng)D7和圖8來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I的修改示例。
[0187]參照?qǐng)D7和圖8，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I的修改示例Ia還包括第一外延層115和第二外延層125。
[0188]第一外延層115形成在第一翅片式有源圖案110上。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，第一外延層115形成在第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc上。第二雜質(zhì)區(qū)114包括第一外延層115。
[0189]第二外延層125形成在第二翅片式有源圖案120上。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，第二外延層125形成在第二翅片式有源圖案120的第三區(qū)域120c上。第五雜質(zhì)區(qū)124包括第二外延層125。
[0190]第一外延層115和第二外延層125中的每個(gè)的外周表面可以具有各種形狀。例如，第一外延層115和第二外延層125中的每個(gè)的外周表面可以具有斜方形形狀(diamondshape)、圓形形狀和矩形形狀中的至少一種。在圖8中，示出了斜方形形狀(或者五邊形形狀或六邊形形狀)。
[0191]在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I的修改示例Ia中，第一外延層115和第二外延層125可以包括相同的材料。
[0192]在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I的修改示例Ia中，如果第一柵電極210是PMOS晶體管的柵極端子，那么第一外延層115可以包括壓應(yīng)力材料。壓應(yīng)力材料可以是具有比Si的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)的材料(例如，SiGe)。壓應(yīng)力材料可以通過(guò)將壓應(yīng)力施加到第一翅片式有源圖案110(例如，第一翅片式有源圖案110的第二區(qū)域IlOb)來(lái)改善溝道區(qū)中的載流子的迀移率。
[0193]在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I的修改示例Ia中，如果第一柵電極210是NMOS晶體管的柵極端子，那么第一外延層115可以由與第一翅片式有源圖案110相同的材料或拉應(yīng)力材料制成。例如，如果第一翅片式有源圖案110是Si，那么第一外延層115可以是Si或具有比Si的晶格常數(shù)小的晶格常數(shù)的材料(例如，SiC)。
[0194]在圖8中，第一外延層115和第二外延層125分別形成在第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc和第二翅片式有源圖案120的第三區(qū)域120c上。然而，這僅是一個(gè)示例。
[0195]例如，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I的修改示例Ia中，第一雜質(zhì)區(qū)至第五雜質(zhì)區(qū)112、114、116、122和124中的每個(gè)可以包括外延層。因此，均包括外延層的第一雜質(zhì)區(qū)至第五雜質(zhì)區(qū)112、114、116、122和124形成在第一翅片式有源圖案110和第二翅片式有源圖案120的相應(yīng)的區(qū)域上。
[0196]在圖8中，形成在第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc上的第一外延層115可以連接到形成在第二翅片式有源圖案120的第三區(qū)域120c上的第二外延層125。然而，本發(fā)明不限于此，第一外延層115和第二外延層125也可以彼此分離。
[0197]現(xiàn)在將參照?qǐng)D9至圖13來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第二至第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，在下文中將主要側(cè)重于與圖3至圖8的實(shí)施例的不同來(lái)描述第二實(shí)施例至第四實(shí)施例。
[0198]圖9和圖10是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2的視圖。圖11和圖12是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置3的視圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置4的視圖。具體地，圖9、圖11和圖13是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例至第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2至4的布局視圖。圖10和圖12分別是沿圖9的線A-A和圖11的線B-B截取的剖視圖。
[0199]參照?qǐng)D9和圖10，在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2中，場(chǎng)絕緣層105包括第一區(qū)域106和比第一區(qū)域106高的第二區(qū)域107。第二柵電極310的一部分形成在場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107上。
[0200]例如，從基底100的頂表面到場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107的頂表面的高度比從基底100的頂表面到場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106的頂表面的高度大。
[0201]具體地，第一翅片式有源圖案110包括沿第一方向X順序地布置的第一縱向區(qū)域至第四縱向區(qū)域(下文也稱作第一區(qū)域至第四區(qū)域)110a至110d。另外，第一翅片式有源圖案110不包括從第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd沿第一方向X延伸的附加區(qū)域。
[0202]在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2中，第一翅片式有源圖案110的一個(gè)端部位于第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd中。例如，第一翅片式有源圖案IlOa的第四區(qū)域IlOd可以包括第一翅片式有源圖案110的短(例如，端)側(cè)中的一個(gè)。這是因?yàn)榈谝怀崞接性磮D案110的端部包括第一翅片式有源圖案110的短側(cè)。
[0203]場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第一翅片式有源圖案110的端部中的一個(gè)接觸。因此，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第一翅片式有源圖案110的短(例如，端)側(cè)接觸。
[0204]這樣，第一翅片式有源圖案110的端部中的一個(gè)端部位于第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd中。因此，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第一翅片式有源圖案110的包括在第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd中的短側(cè)接觸。
[0205]沿圖9的線B-B截取的半導(dǎo)體裝置2的剖視圖可以與圖6基本相同。這里，在圖10中示出的場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106可以對(duì)應(yīng)于圖6的場(chǎng)絕緣層105。
[0206]參照?qǐng)D9的沿線B-B截取的剖視圖(例如，如圖6中所示)，第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)端部可以接觸場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106但不接觸場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107。因此，第二翅片式有源圖案120的包括在第二翅片式有源圖案120的第三區(qū)域120c中的短側(cè)可以接觸場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106。
[0207]第二柵電極310不僅形成在場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106上，而且還形成在場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107上。
[0208]第二柵電極310的一部分可以形成在場(chǎng)絕緣層105的與第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd接觸的第二區(qū)域107上。例如，如圖10中所示，第二柵電極310的在第一方向X上的寬度可以比第一翅片式有源圖案110和第二柵電極310之間的疊置區(qū)域的寬度大。
[0209]在根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2中，因?yàn)榈谝怀崞接性磮D案110的端部位于第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd中，所以可以不使用本發(fā)明的第一實(shí)施例中設(shè)置的第三柵電極410。
[0210]此外，參照?qǐng)D9，第一翅片式有源圖案110的端部中的一個(gè)端部位于第二柵電極310下面并與第二柵電極310疊置。因此，第一翅片式有源圖案110包括從第二柵電極310的一側(cè)表面在第一方向X上突出的第三區(qū)域110c，但不包括從第二柵電極310的另一側(cè)表面在第一方向X上突出的區(qū)域。
[0211]在圖10中，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107的頂表面與第一翅片式有源圖案110的頂表面位于同一平面中。然而，本發(fā)明不限于此。也就是說(shuō)，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107的頂表面也可以比第一翅片式有源圖案110的頂表面高或低。
[0212]如圖9和圖10中所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2不包括圖2中示出的斷裂晶體管的源極端子。
[0213]參照?qǐng)D11和12，在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置3中，場(chǎng)絕緣層105包括第一區(qū)域106和比第一區(qū)域106高的第二區(qū)域107。第一柵電極210的一部分形成在場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107上。
[0214]具體地，第二翅片式有源圖案120包括第一區(qū)域120a和第二區(qū)域120b。第二翅片式有源圖案120不包括從第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b沿第一方向X延伸的附加區(qū)域。因此，第二翅片式有源圖案120不包括能夠與第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc對(duì)應(yīng)的部分。
[0215]在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置3中，第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)端部可以位于第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b中。因此，第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b可以包括第二翅片式有源圖案120的短(例如，端)側(cè)中的一個(gè)短側(cè)。
[0216]場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)接觸。因此，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第二翅片式有源圖案120的短側(cè)中的一個(gè)接觸。
[0217]如所示，第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)端部位于第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b中。因此，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第二翅片式有源圖案120的包括在第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b中的短側(cè)接觸。
[0218]沿圖11的線A-A截取的半導(dǎo)體裝置3的剖視圖可以與圖5基本相同。這里，在圖12中示出的場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106可以與圖5的場(chǎng)絕緣層105對(duì)應(yīng)。
[0219]參照沿圖11的線A-A截取的剖視圖，第一翅片式有源圖案110的設(shè)置有第一翅片式有源圖案110的端部中的一個(gè)端部的第五區(qū)域IlOe的一部分被第三柵電極410覆蓋。因此，第一翅片式有源圖案110的位于第一翅片式有源圖案110的第五區(qū)域IlOe中的所述端部不與場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107接觸。然而，第一翅片式有源圖案110的第五區(qū)域IlOe的下部與場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106接觸。
[0220]第一柵電極210不僅可以形成在場(chǎng)絕緣層105的第一區(qū)域106上，而且還可以形成在場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107上。
[0221]第一柵電極210的一部分可以形成在場(chǎng)絕緣層105的與第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b接觸的第二區(qū)域107上。例如，如圖12中所示，第一柵電極210的在第一方向X上的寬度可以比第二翅片式有源圖案120和第一柵電極210之間的疊置區(qū)域的寬度大。
[0222]此外，參照?qǐng)D11，第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)端部可以位于第一柵電極210下面并且與第一柵電極210疊置。因此，第二翅片式有源圖案120包括從第一柵電極210的一側(cè)表面在第一方向X上突出的第一區(qū)域120a，但不包括從第一柵電極210的另一側(cè)表面在第一方向X上突出的區(qū)域。
[0223]在圖12中，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107的頂表面與第二翅片式有源圖案120的頂表面位于同一平面中。然而，本發(fā)明不限于此。場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107的頂表面也可以比第二翅片式有源圖案120的頂表面高或低。
[0224]沿圖13的線A-A截取的剖視圖可以與圖10基本相同，沿圖13的線B-B截取的剖視圖與圖12相同。
[0225]參照?qǐng)D13，在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置4中，場(chǎng)絕緣層105包括第一區(qū)域106和比第一區(qū)域106高的第二區(qū)域107。第一柵電極210的一部分和第二柵電極310的一部分形成在場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107上。
[0226]具體地，第一翅片式有源圖案110包括沿第一方向X順序地布置的第一區(qū)域IlOa至第四區(qū)域110d。第一翅片式有源圖案110不包括從第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd沿第一方向X延伸的附加區(qū)域。
[0227]第二翅片式有源圖案120包括第一區(qū)域120a和第二區(qū)域120b。第二翅片式有源圖案120不包括從第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b沿第一方向X延伸的附加區(qū)域。因此，第二翅片式有源圖案120不包括可以與第一翅片式有源圖案110的第三區(qū)域IlOc對(duì)應(yīng)的部分。
[0228]在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置4中，第一翅片式有源圖案110的端部中的一個(gè)端部位于第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd中。另外，第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)端部位于第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b中。
[0229]因此，第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd可以包括第一翅片式有源圖案110的短側(cè)中的一個(gè)短側(cè)。第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b可以包括第二翅片式有源圖案120的短側(cè)中的一個(gè)短側(cè)。
[0230]場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107可以與第一翅片式有源圖案110的包括在第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd中的短側(cè)接觸，并且與第二翅片式有源圖案120的包括在第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b中的短側(cè)接觸。
[0231]因此，場(chǎng)絕緣層105的第二區(qū)域107與第一翅片式有源圖案110的第四區(qū)域IlOd和第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b接觸。
[0232]第二柵電極310的在第一方向X上的寬度可以比第一翅片式有源圖案110和第二柵電極310之間的疊置區(qū)域的寬度大。第一柵電極210的在第一方向X上的寬度可以比第二翅片式有源圖案120和第一柵電極210之間的疊置區(qū)域的寬度大。
[0233]此外，參照?qǐng)D13，第一翅片式有源圖案110的端部中的一個(gè)端部可以位于第二柵電極310下面并且與第二柵電極310疊置。另外，第二翅片式有源圖案120的端部中的一個(gè)端部可以位于第一柵電極210下面并與第一柵電極210疊置。
[0234]因此，第一翅片式有源圖案110包括從第二柵電極310的一側(cè)表面在第一方向X上突出的第三區(qū)域110c，但不包括從第二柵電極310的另一側(cè)表面沿第一方向X突出的區(qū)域。此外。第二翅片式有源圖案120包括從第一柵電極210的一側(cè)表面在第一方向X上突出的第一區(qū)域120a，但不包括從第一柵電極210的另一側(cè)表面沿第一方向X突出的區(qū)域。
[0235]現(xiàn)在，將參照?qǐng)D14來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，以下將主要側(cè)重于與圖3至圖8的實(shí)施例的不同來(lái)描述第五實(shí)施例。
[0236]圖14是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5的布局視圖。
[0237]具體地，沿圖14的線A-A截取的剖視圖與圖5相同，沿圖14的線B-B截取的剖視圖與圖6相同。另外，如果圖14的附圖標(biāo)記對(duì)應(yīng)于圖6的附圖標(biāo)記，那么沿圖14的線D-D截取的剖視圖與圖6基本相同。
[0238]參照?qǐng)D14，根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5還包括具有第一區(qū)域130a和第二區(qū)域130b的第三翅片式有源圖案130。
[0239]第三翅片式有源圖案130可以從基底100突出。第三翅片式有源圖案130被場(chǎng)絕緣層105所限定，第三翅片式有源圖案130的頂表面比場(chǎng)絕緣層105的頂表面更突出。
[0240]第三翅片式有源圖案130可以沿第一方向X延伸。第一翅片式有源圖案110至第三翅片式有源圖案130可以沿第二方向Y布置。
[0241]第三翅片式有源圖案130可以包括沿第一方向X延伸的長(zhǎng)側(cè)和沿第二方向Y延伸的短側(cè)。在沿第二方向Y布置的第一翅片式有源圖案110至第三翅片式有源圖案130中，第一翅片式有源圖案110的長(zhǎng)側(cè)、第二翅片式有源圖案120的長(zhǎng)側(cè)和第三翅片式有源圖案130的長(zhǎng)側(cè)可以彼此面對(duì)。
[0242]第三翅片式有源圖案130可以包括第一區(qū)域130a和第二區(qū)域130b。第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a和第三翅片式有源圖案130的第二區(qū)域130b可以彼此直接連接。這兩個(gè)區(qū)域可以一起形成諸如圖2中描繪的用于反熔絲裝置的存取晶體管的漏極。
[0243]第三翅片式有源圖案130還可以包括在第三翅片式有源圖案130的第二區(qū)域130b的一側(cè)上的第三區(qū)域130c。因此，第三翅片式有源圖案130的第二區(qū)域130b設(shè)置在第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a和第三翅片式有源圖案130的第三區(qū)域130c之間。
[0244]第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a至第三區(qū)域130c可以沿第一方向X順序地布置。
[0245]在根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5中，第三翅片式有源圖案130的端部中的一個(gè)端部可以位于第三翅片式有源圖案130的第三區(qū)域130c中。因此，第三翅片式有源圖案130的第三區(qū)域130c可以包括第三翅片式有源圖案130的短側(cè)中的一個(gè)短側(cè)。
[0246]第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a至第三區(qū)域130c可以分別與第一翅片式有源圖案110的第一區(qū)域IlOa至第三區(qū)域IlOc以及第二翅片式有源圖案120的第一區(qū)域120a至第三區(qū)域120c對(duì)應(yīng)。因此，第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a可以形成例如圖2中描繪的存取晶體管的漏極的一部分。
[0247]第一柵電極210沿第二方向Y延伸并與第一翅片式有源圖案110至第三翅片式有源圖案130交叉。
[0248]第一柵電極210形成在第一翅片式有源圖案110至第三翅片式有源圖案130上。更具體地，第一柵電極210形成在第一翅片式有源圖案110的第二區(qū)域110b、第二翅片式有源圖案120的第二區(qū)域120b和第三翅片式有源圖案130的第二區(qū)域130b上。
[0249]第二柵電極310與第一翅片式有源圖案110交叉。然而，第二柵電極310不與第二翅片式有源圖案120和第三翅片式有源圖案130交叉。
[0250]第二柵電極310形成在第一翅片式有源圖案110上，但是不形成在第二翅片式有源圖案120和第三翅片式有源圖案130上。
[0251]第一接觸件510形成在第一翅片式有源圖案110的第一區(qū)域110a、第二翅片式有源圖案120的第一區(qū)域120a和第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a上。
[0252]第一接觸件510電連接到第一翅片式有源圖案110的第一區(qū)域110a、第二翅片式有源圖案120的第一區(qū)域120a和第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a上。
[0253]第一接觸件510可以將第一翅片式有源圖案110的第一區(qū)域110a、第二翅片式有源圖案120的第一區(qū)域120a和第三翅片式有源圖案130的第一區(qū)域130a電連接。
[0254]在圖14中，第三翅片式有源圖案130包括從第一柵電極210的側(cè)表面在第一方向X上突出的第一區(qū)域130a和第三區(qū)域130c。然而，因?yàn)榈诙烹姌O310未形成在第三翅片式有源圖案130上，因此第三翅片式有源圖案130不包括從第二柵電極310的側(cè)表面沿第一方向X突出的部分。例如能夠在下面進(jìn)一步描述的圖46中的(b)中看出諸如圖14中描繪的反熔絲存儲(chǔ)單元的概念電路圖。
[0255]在圖14中，第一翅片式有源圖案110位于第二翅片式有源圖案120和第三翅片式有源圖案130之間。然而，這僅