5描述的第一翅片式有源圖案110和第二翅片式有源圖案120大體上相同。
[0445]參照圖40，在根據(jù)本發(fā)明的第三十一實施例的半導(dǎo)體裝置31中，第一翅片式有源圖案110的端部中的一個端部沒有從第二柵電極310的側(cè)表面沿第一方向X突出，但是第一翅片式有源圖案110的端部中的另一端部從第四柵電極260的側(cè)表面在第一方向X上突出。
[0446]第二翅片式有源圖案120的端部中的一個端部沒有從第五柵電極360的側(cè)表面在第一方向X上突出，但是第二翅片式有源圖案120的端部中的另一端部從第一柵電極210的側(cè)表面沿第一方向X突出。
[0447]參照圖41，在根據(jù)本發(fā)明的第三十二實施例的半導(dǎo)體裝置32中，第三翅片式有源圖案130的端部中的一個端部沒有從第一柵電極210的側(cè)表面沿第一方向X突出。另外，第三翅片式有源圖案130的端部中的另一端部沒有從第四柵電極260的側(cè)表面在第一方向X上突出。
[0448]第一翅片式有源圖案110和第二翅片式有源圖案120與上面參照圖37描述的第一翅片式有源圖案110和第二翅片式有源圖案120大體上相同。
[0449]現(xiàn)在將參照圖42來描述根據(jù)本發(fā)明的第三十三實施例的半導(dǎo)體裝置。為了簡明起見，下面將主要側(cè)重于與圖38的實施例的不同來描述第三十三實施例。
[0450]圖42是根據(jù)本發(fā)明的第三十三實施例的半導(dǎo)體裝置33的布局視圖。
[0451]參照圖42，在根據(jù)本發(fā)明的第三十三實施例的半導(dǎo)體裝置33中，第二柵電極310和第五柵電極360中的每個與第三翅片式有源圖案130交叉。也就是說，第二柵電極310和第五柵電極360中的每個形成在第三翅片式有源圖案360上。
[0452]第三柵電極410和第六柵電極460中的每個與第三翅片式有源圖案130交叉。第三柵電極410和第六柵電極460中的每個形成在第三翅片式有源圖案130上。
[0453]在根據(jù)本發(fā)明的第三十三實施例的半導(dǎo)體裝置33中，第三柵電極410可以覆蓋第三翅片式有源圖案130的端部中的一個端部。另外，第六柵電極460可以覆蓋第三翅片式有源圖案130的端部中的另一端部。
[0454]現(xiàn)在將參照圖43至圖45來描述根據(jù)本發(fā)明的第三十四實施例至第三十六實施例的半導(dǎo)體裝置。為了簡明起見，下面將主要側(cè)重于與圖42的實施例的不同來描述第三十四實施例至第三十六實施例。
[0455]圖43是根據(jù)本發(fā)明的第三十四實施例的半導(dǎo)體裝置34的布局視圖。圖44是根據(jù)本發(fā)明的第三十五實施例的半導(dǎo)體裝置35的布局視圖。圖45是根據(jù)本發(fā)明的第三十六實施例的半導(dǎo)體裝置36的布局視圖。
[0456]參照圖43，在根據(jù)本發(fā)明的第三十四實施例的半導(dǎo)體裝置34中，第一翅片式有源圖案110的未被第三柵電極410覆蓋的端部沒有從第四柵電極260的側(cè)表面在第一方向X
上突出。
[0457]第二翅片式有源圖案120的未被第六柵電極460覆蓋的端部沒有從第一柵電極210的側(cè)表面沿第一方向X突出。
[0458]參照圖44，在根據(jù)本發(fā)明的第三十五實施例的半導(dǎo)體裝置35中，第三翅片式有源圖案130的端部中的一個端部沒有從第二柵電極310的側(cè)表面沿第一方向X突出。另外，第三翅片式有源圖案130的端部中的另一端部沒有從第五柵電極360的側(cè)表面在第一方向X上突出。
[0459]第一翅片式有源圖案110和第二翅片式有源圖案120與上面參照圖36描述的第一翅片式有源圖案110和第二翅片式有源圖案120大體上相同。
[0460]參照圖45，在根據(jù)本發(fā)明的第三十六實施例的半導(dǎo)體裝置36中，第一翅片式有源圖案110的端部中的一個端部沒有從第二柵電極310的側(cè)表面沿第一方向X突出。另外，第一翅片式有源圖案110的端部中的另一端部沒有從第四柵電極260的側(cè)表面在第一方向X上突出。
[0461]第二翅片式有源圖案120的端部中的一個端部沒有從第五柵電極360的側(cè)表面在第一方向X上突出。另外，第二翅片式有源圖案120的端部中的另一端部沒有從第一柵電極210的側(cè)表面沿第一方向X突出。
[0462]第三翅片式有源圖案130的端部中的一個端部沒有從第二柵電極310的側(cè)表面沿第一方向X突出。另外，第三翅片式有源圖案130的端部中的另一端部沒有從第五柵電極360的側(cè)表面在第一方向X上突出。
[0463]現(xiàn)在將參照圖2與圖46中的(a)和(b)來描述當(dāng)將根據(jù)實施例1至實施例45的半導(dǎo)體裝置用在圖1的存儲單元陣列50中時所能夠獲得的效果。
[0464]圖46中的(a)示出了連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量與連接到字線WL的存取晶體管的數(shù)量相等(例如，比例為3:3)的情況。例如，圖46中的(a)可以表示包括存取晶體管結(jié)構(gòu)4602和反熔絲結(jié)構(gòu)4604的反熔絲存儲單元(通常被稱為反熔絲裝置)。
[0465]圖46中的(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體裝置I至半導(dǎo)體裝置45的某些方面，例如，連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量與連接到字線WL的存取晶體管的數(shù)量不同(例如，比例為1:3)的情況。例如，圖46中的(b)可以表示包括具有三個晶體管的存取晶體管結(jié)構(gòu)4606和具有一個晶體管的反熔絲結(jié)構(gòu)4608的反熔絲存儲單元。
[0466]在反熔絲存儲單元被編程之前，在(a)的情形下，連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量為三個。這里，流經(jīng)位線BL的截止電流由斷裂晶體管中的每個斷裂晶體管來產(chǎn)生。
[0467]在反熔絲存儲單元被編程之前，在(b)的情形下，連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量為一個。這里，流經(jīng)位線BL的截止電流由一個斷裂晶體管產(chǎn)生。
[0468]因此，在反熔絲存儲單元被編程之前，反熔絲存儲單元的截止電流與連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量成比例，因此，在(b)的情形下的截止電流將比在(a)的情形下的截止電流小。
[0469]在反熔絲存儲單元被編程之后，在(a)的情形下，連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量為3個。然而，如果將編程電壓施加到高電壓線WP，那三個晶體管之中具有最弱的柵極絕緣層的(一個或多個)晶體管擊穿(break down) ο因此，擊穿的斷裂晶體管被編程并用作電阻器。這樣可包括比全部斷裂晶體管少的晶體管。因此，無論連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量為多少，只有具有最弱的柵極絕緣層的斷裂晶體管會擊穿。
[0470]在反熔絲存儲單元被編程后，如下進行讀取。在下面的示例中，對于(a)的情形假設(shè)在編程階段期間僅斷裂晶體管中的一個斷裂晶體管被擊穿。
[0471]為了讀取編程的反熔絲存儲單元，在位線BL中產(chǎn)生導(dǎo)通電流。當(dāng)通過施加到連接到字線WL的存取晶體管的操作電壓形成溝道時，導(dǎo)通電流從編程的斷裂晶體管朝著位線BL流動，但其僅流經(jīng)連接到編程的斷裂晶體管的一個存取晶體管。這里，經(jīng)過存取晶體管結(jié)構(gòu)4602的導(dǎo)通電流取決于存取晶體管結(jié)構(gòu)4602的電阻，并隨著存取晶體管結(jié)構(gòu)4602的導(dǎo)通電阻Rm的值減小而增大，反之亦然。
[0472]存取晶體管結(jié)構(gòu)4602的導(dǎo)通電阻Rm的值隨著連接到字線WL的存取晶體管的柵極端子的寬度增大而減小，反之亦然。這里，在僅有一個斷裂晶體管已被編程的情況下，由于電流僅流經(jīng)連接到編程的斷裂晶體管的那個存取晶體管，因此存取晶體管的柵極端子的寬度顯著地減小，使得存取晶體管結(jié)構(gòu)4602的導(dǎo)通電阻Rm增大，并且導(dǎo)通電流減小。
[0473]因此，在(a)的情形下，在反熔絲存儲單元被編程之后，反熔絲存儲單元的導(dǎo)通電流(電流與電流所流經(jīng)的存取晶體管的數(shù)量成比例)減小。
[0474]在根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體裝置I至半導(dǎo)體裝置45中，連接到高電壓線WP的斷裂晶體管的數(shù)量比連接到字線WL的存取晶體管的數(shù)量少。例如，根據(jù)本發(fā)明的這些實施例的半導(dǎo)體裝置I至半導(dǎo)體裝置45使截止電流減小而使導(dǎo)通電流增大。
[0475]因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體裝置I至半導(dǎo)體裝置45可以增大導(dǎo)通電流與截止電流的比例。
[0476]圖47示出了包括圖1的存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的實施例。
[0477]參照圖47，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3100可被實施為蜂窩電話、智能電話、個人數(shù)字助理(PAD)或無線通信裝置。數(shù)字處理系統(tǒng)3100包括存儲系統(tǒng)3140。
[0478]存儲系統(tǒng)3140包括存儲裝置和能夠控制存儲裝置的操作的存儲控制器。存儲控制器可以在處理器的控制下控制存儲裝置的數(shù)據(jù)存取操作(例如，編程操作、擦除操作或讀取操作)。存儲裝置可以包括諸如在圖1至圖45的實施例中描述的反熔絲存儲單元陣列。
[0479]在處理器和存儲控制器的控制下，被編程到存儲裝置中的頁數(shù)據(jù)可以顯示在顯示器3120上。
[0480]無線電收發(fā)器3110可通過天線ANT接收或發(fā)送無線電信號。例如，無線電收發(fā)器3110可將通過天線ANT接收的無線電信號轉(zhuǎn)換為可由處理器處理的信號。因此，處理器可處理從無線電收發(fā)器3110輸出的信號并將處理后的信號發(fā)送到存儲系統(tǒng)3140或顯示器3120。另外，無線電收發(fā)器3110可以將從處理器輸出的信號轉(zhuǎn)換為無線電信號并通過天線ANT將無線電信號發(fā)送到外部裝置。
[0481]輸入裝置3130是這樣一種裝置:用于控制處理器的操作的控制信號或者將要被處理器處理的數(shù)據(jù)能夠通過輸入裝置3130來輸入。輸入裝置3130可被實施為諸如觸摸板或計算機鼠標(biāo)、按鍵或鍵盤的定點裝置(pointing device)。
[0482]處理器可以控制顯示器3120顯示從存儲系統(tǒng)3140輸出的數(shù)據(jù)、從無線電收發(fā)器3110輸出的數(shù)據(jù)或者從輸入裝置3130輸出的數(shù)據(jù)。根據(jù)實施例，能夠控制存儲裝置的操作的存儲控制器可與存儲裝置一起形成堆疊結(jié)構(gòu)。
[0483]圖48示出了包括圖1的存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的另一實施例。
[0484]參照圖48，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3200可被實施為諸如數(shù)字相機或附有數(shù)字相機的蜂窩電話的圖像處理裝置。
[0485]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3200可包括圖像傳感器3210、顯示器3220和存儲系統(tǒng)3230。
[0486]存儲系統(tǒng)3230包括存儲裝置以及能夠控制存儲裝置的數(shù)據(jù)處理操作的存儲控制器。存儲裝置可包括諸如圖1至圖45的實施例中描述的反熔絲存儲單元陣列。
[0487]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3200的圖像傳感器3210將光學(xué)圖像裝換為數(shù)字信號并將數(shù)字信號發(fā)送到存儲系統(tǒng)3230。數(shù)字信號可以通過存儲系統(tǒng)3230來處理，以被顯示在顯示器3220上或通過存儲控制器存儲在存儲裝置中。另外，存儲在存儲裝置中的數(shù)據(jù)顯示在顯示器3220上。根據(jù)實施例，能夠控制存儲裝置的操作的存儲控制器可以被實施為處理器的一部分或?qū)嵤榕c處理器分離的芯片。
[0488]圖49示出了包括圖1的存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的另一實施例。
[0489]參照圖49，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3300可被實施為諸如固態(tài)硬盤(SSD)的數(shù)據(jù)存儲裝置。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3300可包括多個存儲裝置3310和能夠控制存儲裝置3310中的每個存儲裝置的數(shù)據(jù)處理操作的存儲控制器3320。存儲裝置3310中的一個或更多個存儲裝置可以包括諸如圖1至圖45的實施例中描述的反熔絲存儲單元陣列。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3300可以被實施為例如存儲模塊。
[0490]圖50示出了包括圖1的存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的另一實施例。
[0491 ] 參照圖50，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)(例如，數(shù)據(jù)存儲裝置)3400可以被實施為獨立磁盤冗余陣列(RAID)系統(tǒng)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3400可以包括RAID控制器3420和多個存儲模塊3410-1至3410-n，其中，η是自然數(shù)。
[0492]存儲模塊3410-1至3410_η中的每個存儲模塊可以是圖49中示出的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3300。存儲模塊3410-1至3410-n可以構(gòu)成RAID陣列。
[0493]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)3400可以被實施為例如個人計算機(PC)或SSD。在編程操作期間，響應(yīng)于從主機接收的編程命令，RAID控制器3420可根據(jù)基于RAID級別信息從多個RAID級別中選擇的任意一個RAID級別將從主機輸出的編程數(shù)據(jù)發(fā)送到存儲模塊3410-1至3410-n中的任意一個存儲模塊。另外，在讀取操作期間，響應(yīng)于從主機接收的讀取命令，RAID控制器3420可以根據(jù)基于RAID級別信息從RAID級別中選擇的任意一個RAID級別將從存儲模塊3410-1至3410-n中的任意一個存儲模塊讀取的數(shù)據(jù)發(fā)送到主機。
[0494]圖51示出了包括多個圖1的存儲裝置的模塊的實施例。
[0495]參照圖51，模塊3500可以包括多個存儲裝置3520-1至3520-5、存儲控制器3530和與存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置的輸入/輸出的數(shù)據(jù)接口的光學(xué)接口3510。存儲裝置3520-1至3520-5中的一個或更多個可包括諸如圖1至圖45的實施例中描述的反熔絲存儲單元陣列。
[0496]光學(xué)接口 3510可包括輸入/輸出控制器和信號轉(zhuǎn)換器。輸入/輸出控制器可控制存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置的輸入/輸出操作。信號轉(zhuǎn)換器可將關(guān)于存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置的輸入/輸出的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為光學(xué)信號。
[0497]光學(xué)接口 3510利用光學(xué)通信提供在存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置和主機之間的數(shù)據(jù)交換。光學(xué)接口 3510可利用光纖或波導(dǎo)發(fā)送或接收數(shù)據(jù)。交換的數(shù)據(jù)適用于發(fā)送高速信號(例如，符合串行高級技術(shù)附件(SATA)標(biāo)準的信號)的情況，或者可利用波分復(fù)用(WDM)來發(fā)送或接收該數(shù)據(jù)。
[0498]根據(jù)實施例，能夠控制存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置的操作的存儲控制器3530可以設(shè)置在存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置中或者可以與存儲裝置3520-1至3520-5中的每個存儲裝置一起形成堆疊結(jié)構(gòu)。
[0499]圖52是包括圖1的存儲裝置的多芯片封裝件的實施例的示意性概念圖。
[0500]參照圖52，多芯片封裝件3600可以包括順序地堆疊在封裝件基底3610上的多個半導(dǎo)體芯片3630至3650。半導(dǎo)體芯片3630至3650中的每個可以是存儲控制器或存儲裝置。每個存儲裝置可以包括諸如在圖1至圖45的實施例中描述的反熔絲存儲單元陣列。硅通孔(TSV)、引線、凸塊或焊球3620可以用于使半導(dǎo)體芯片3630至3650彼此電連接。
[0501]另外，根據(jù)實施例，多芯片封裝件3600可以以堆疊有存儲控制器和多個存儲單元陣列裸片50的結(jié)構(gòu)來實施。
[0502]盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體地示出并描述了本發(fā)明的各個方面，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對其做出形式和細節(jié)上的各種改變。因此，期望的是，本實施例在各方面被認為是示意性的而不是限制性的，參照權(quán)利要求書而不是前面的描述來表明本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置包括: 基底; 第一翅片式有源圖案，在基底上沿第一方向延伸，并且包括沿第一方向順序地布置的第一縱向區(qū)域至第四縱向區(qū)域； 第二翅片式有源圖案，在基底上沿第一方向延伸，并且包括沿第一方向順序地布置的第一縱向區(qū)域和第二縱向區(qū)域，其中，第一翅片式有源圖案的第一縱向區(qū)域與第二翅片式有源圖案的第一縱向區(qū)域?qū)?yīng)，以面對第二翅片式有源圖案的第一縱向區(qū)域，其中，第一翅片式有源圖案的第二縱向區(qū)域與第二翅片式有源圖案的第二縱向區(qū)域?qū)?yīng)，以面對第二翅片式有源圖案的第二縱向區(qū)域； 第一柵電極，沿與第一方向不同的第二方向延伸，并形成在第一翅片式有源圖案的第二縱向區(qū)域和第二翅片式有源圖案的第二縱向區(qū)域上； 第二柵電極，沿第二方向延伸，形成在第一翅片式有源圖案的第四縱向區(qū)域上，并且不形成在第二翅片式有源圖案上；以及 接觸件，電連接到第一翅片式有源圖案的第一縱向區(qū)域和第二翅片式有源圖案的第一縱向區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第二柵電極是用于反熔絲裝置的斷裂晶體管的柵極端子。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，反熔絲裝置包括多個存取晶體管和至少所述斷裂晶體管，并且包括的存取晶體管的數(shù)量比包括的斷裂晶體管的數(shù)量大。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一柵電極形成用于存取晶體管的柵極并且電連接到字線，第二柵電極形成用于斷裂晶體管的柵極并且電連接到高電壓線。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 第一翅片式有源圖案的第三縱向區(qū)域是位于第一翅片式有源圖案的第二縱向區(qū)域和第一翅片式有源圖案的第四縱向區(qū)域之間的區(qū)域，以及 第二翅片式有源圖案包括與第一翅片式有源圖案的第三縱向區(qū)域?qū)?yīng)的第三縱向區(qū)域，其中，第二翅片式有源圖案的第三縱向區(qū)域在縱向上比第一翅片式有源圖案的第三縱向區(qū)域短。6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一翅片式有源圖案，通過場絕緣層限定，沿第一方向延伸，并且包括沿第一方向順序地布置的第一區(qū)域至第四區(qū)域； 第二翅片式有源圖案，通過場絕緣層限定，沿第一方向延伸，并且包括沿第一方向布置的第一區(qū)域和第二區(qū)域； 第一柵電極，沿與第一方向不同的第二方向延伸，并且形成在第一翅片式有源圖案的第二區(qū)域和第二翅片式有源圖案的第二區(qū)域上； 第二柵電極，沿第二方向延伸，形成在第一翅片式有源圖案的第四區(qū)域上，且不形成在第二翅片式有源圖案上；以及 接觸件，電連接到第一翅片式有源圖案的第一區(qū)域和第二翅片式有源圖案的第一區(qū)域。7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第二翅片式有源圖案還包括第三區(qū)域， 其中，第二翅片式有源圖案的第二區(qū)域設(shè)置在第二翅片式有源圖案的第一區(qū)域和第二翅片式有源圖案的第三區(qū)域之間，并且所述半導(dǎo)體裝置還包括: 第一外延層，形成在第一翅片式有源圖案的第三區(qū)域上；以及 第二外延層，形成在第二翅片式有源圖案的第三區(qū)域上。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一外延層和第二外延層彼此連接。9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一翅片式有源圖案還包括第五區(qū)域， 其中，第一翅片式有源圖案的第四區(qū)域設(shè)置在第一翅片式有源圖案的第三區(qū)域和第一翅片式有源圖案的第五區(qū)域之間； 所述半導(dǎo)體裝置還包括:虛設(shè)柵電極，沿第二方向延伸，并且形成在第一翅片式有源圖案的第五區(qū)域上， 其中，虛設(shè)柵電極覆蓋第一翅片式有源圖案的一個端部。10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，場絕緣層包括第一區(qū)域和比第一區(qū)域高的第二區(qū)域，以及 其中，第一翅片式有源圖案的一個端部位于第一翅片式有源圖案的第四區(qū)域中，場絕緣層的第二區(qū)域與第一翅片式有源圖案的所述端部接觸。11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，場絕緣層包括第一區(qū)域和比第一區(qū)域高的第二區(qū)域，其中，第二翅片式有源圖案的一個端部位于第二翅片式有源圖案的第二區(qū)域中，場絕緣層的第二區(qū)域與第二翅片式有源圖案的所述端部接觸。12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一翅片式有源圖案形成反熔絲存儲單元的存取晶體管和斷裂晶體管的一部分。13.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一翅片式有源圖案的第一區(qū)域和第一翅片式有源圖案的第三區(qū)域中的每個包括η型雜質(zhì)區(qū)。14.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，接觸件和第二柵電極之間的距離比接觸件和第一柵電極之間的距離大。15.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置包括: 多個翅片式有源圖案，沿第一方向延伸，并且相對于彼此沿與第一方向不同的第二方向布置； 接觸件，電連接到所述多個翅片式有源圖案； 第一柵電極，沿第二方向延伸并形成在所述多個翅片式有源圖案中的至少兩個上；以及 第二柵電極，沿第二方向延伸并形成在所述多個翅片式有源圖案中的至少一個上， 其中，第一柵電極設(shè)置在接觸件和第二柵電極之間，與第一柵電極交叉的翅片式有源圖案的數(shù)量比與第二柵電極交叉的翅片式有源圖案的數(shù)量多。16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一柵電極是存取晶體管的柵電極，第二柵電極是斷裂晶體管的柵電極，半導(dǎo)體裝置是反熔絲裝置。17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一柵電極與反熔絲裝置的所述多個翅片式有源圖案中的所有翅片式有源圖案交叉。18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，斷裂晶體管包括斷裂介電層以用作電阻器。19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第一柵電極電連接到字線，第二柵電極電連接到高電壓線。20.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個翅片式有源圖案中的第一翅片式有源圖案的一個端部沿第一方向延伸超過第二柵電極，所述多個翅片式有源圖案中的第二翅片式有源圖案的一個端部沿第一方向延伸超過第一柵電極但不沿第一方向延伸超過第二柵電極。
【專利摘要】提供了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：多個翅片式有源圖案，沿第一方向延伸，并且相對于彼此沿與第一方向不同的第二方向布置；接觸件，電連接到所述多個翅片式有源圖案；第一柵電極，沿第二方向延伸并形成在所述多個翅片式有源圖案中的至少兩個上；第二柵電極，沿第二方向延伸并形成在所述多個翅片式有源圖案中的至少一個上。第一柵電極設(shè)置在接觸件和第二柵電極之間，與第一柵電極交叉的翅片式有源圖案的數(shù)量比與第二柵電極交叉的翅片式有源圖案的數(shù)量多。
【IPC分類】H01L27/115
【公開號】CN104979362
【申請?zhí)枴緾N201510163033
【發(fā)明人】崔賢民, 前田茂伸, 尹智勛
【申請人】三星電子株式會社
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年4月8日
【公告號】US20150294979