phenyl)、 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1, 1, 7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl) -4H-p yran)、Rubrene((5, 6, 11，12)-Tetraphenylnaphthacene))或其組合； 憐光發(fā)光材料則包含Ir (ppy)3(Tris(2_phenylpyridine) iridium(III))、FlrPic(Bis(3 ,5-difluor〇-2-(2-pyridyl)phenyl-(2carboxypyridl)iridium (111))Λ Ir(BT)2 (acac) (Bis(2-phenylbenzothiazolato) (acetylacetonate)iridium (III))、Ir (piq)2(acac) (Bis (1-phenyl isoquinoline) (acetyl acetonate) iridium (III))、Ir (2_phq)3(Tr is (2_ph eny1quinoline)iridium(III))、Ir (piq) 3(Tris(1-phenylisoquinoline)iridium(III)) 或其組合。
[0011] 電洞傳輸層的材質(zhì)包含NPB(N,Ν'-Bis(naphthalen-1-yl) -N,Ν'-bis(phenyl)-be nzidine)、TAD(N,N，-Bis(3-methylphenyl)-N,N，-bis(phenyl)-benzidine)或TAPC(Di_[4 -(N,N-ditolyl-amino) -phenyl]cyclohexane)用以提高電洞傳輸速率。
[0012] 電洞注入層的材質(zhì)包含CuPc(PhthalocyanineCoppercomplex)、m_MTDATA(4, 4'，4 -Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)triphenylamine) >2T-NATA(4, 4', 4//-Tris( N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)triphenylamine)或F4-TCNQ(2, 3, 5, 6-Tetrafluoro_7 ，7, 8, 8, -tetracyano-quinodimethane)以降低陽極電極層與電洞傳輸層的能障，也就是可 降低驅(qū)動電壓。
[0013] 陽極電極層為一透明導(dǎo)電層，材質(zhì)可選用具有高功函數(shù)的材料，如氧化銦錫、氧化 銦鋅、氧化鋅、氧化鋁鋅或氧化錫氟。
[0014] 第二基板覆蓋在陽極電極層上，作為出光面，其材質(zhì)選用有良好透光效果的玻璃 或塑料。
[0015] 密封層的材質(zhì)為光學(xué)膠，密封層可作為上述的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)屏障，用以隔絕內(nèi) 部發(fā)光裝置主結(jié)構(gòu)與外界水分或空氣的接觸，以防進(jìn)一步產(chǎn)生不必要的水合物，而使得發(fā) 光效率降低。
[0016] 本發(fā)明的有機發(fā)光裝置制作方法，其特征在于自光子晶體層上的各層是以遠(yuǎn)程電 漿離子濺鍍法所制作，依次鍍上陰極電極層、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、電洞傳輸 層、電洞注入層和陽極電極層。
[0017] 遠(yuǎn)程電漿離子制程有別于傳統(tǒng)有機發(fā)光裝置所采用的真空蒸鍍法有所不同，一般 真空蒸鍍是將靶材于真空容室中蒸發(fā)成氣相原子或分子，通過碰撞待鍍物表面而凝結(jié)成薄 膜，由于將材料進(jìn)行加熱汽化升華的過程會有大量材料流失，且真空容室設(shè)置成本較高，待 鍍物表面溫度與靶材的蒸發(fā)速率控制不易，成品常有沉積表面不均勻、沉積薄膜易脫落與 良率低的缺點。而較佳者是采LED制程的電漿離子法，此法是將靶材設(shè)置于陰極，待鍍物設(shè) 置于陽極，濺鍍機臺中施以一高電壓于電極板，使電漿容室內(nèi)的氣體分子離子化，產(chǎn)生正電 離子、負(fù)電離子和中性自由分子，以離子轟擊靶材使的產(chǎn)生擊靶原子，擊靶原子進(jìn)入電漿而 擴散沉積至待鍍物表面，藉此可以獲得成膜均一的表面，良率也較高，但制造過程中常有電 漿離子轟擊造成有機靶材損壞的問題，因此本發(fā)明的遠(yuǎn)程電漿離子法通過調(diào)整濺鍍機臺的 功率和電漿放電空間，以屏蔽或脫離電漿的電場，使靶材不直接受離子轟擊而改與不帶電 的中性自由分子反應(yīng)，而降低靶材的損壞，節(jié)省大量制造的成本。
[0018] 本發(fā)明一種有機發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于在一濺鍍機臺的兩電極板間注 入一氣體分子，于兩電極板外放置一光子晶體層，此光子晶體層形成于一第一基板上，在濺 鍍機臺的陰極放置一靶材，控制機臺施加一功率的電壓，使氣體分子離子化形成一離化氣 體，通過導(dǎo)出離化氣體中的中性自由分子，使之與靶材反應(yīng)，而產(chǎn)生擊靶原子并于光子晶體 層上沉積，形成一濺鍍薄膜，再以一第二基板覆蓋于濺鍍薄膜上。
[0019] 其中濺鍍機臺可選用直流濺鍍機、射頻濺鍍機或磁控濺鍍機，此濺鍍機臺所采用 的氣體分子為氦、氖、氬、氪、氙或氡等惰性氣體，且使用的濺鍍功率低于1〇〇瓦。
[0020] 而有機發(fā)光裝置中各層材料的選用，如第一基板可以玻璃、塑料、半導(dǎo)體材料、硅、 陶瓷或具有絕緣表面層的金屬及電路板材料作為底板。靶材則放置各種欲鍍物材料，如金 屬材料、電子注入材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、電洞傳輸材料、電洞注入材料或透明導(dǎo)電 材料，用以形成所需的濺鍍薄膜，因此光子晶體層與第二基板之間形成多層的濺鍍薄膜，其 組合可為陰極電極層、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、電洞傳輸層、電洞注入層與陽極電 極層。第二基板則選用可透光的玻璃或塑料。最后再將第一基板與第二基板之間各層結(jié)構(gòu) 以光學(xué)膠進(jìn)行密封，以形成一密封層保護內(nèi)部結(jié)構(gòu)不受外界因子影響，如與水或氧氣等因 子，產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì)。
[0021] 本發(fā)明揭示一改良的有機發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法，將光子晶體層設(shè)置于第一 基板和陰極電極層之間，通過光子晶體層的納米周期性結(jié)構(gòu)，減少表面電漿子模態(tài)的光能 耗損，并增強特定波長的光反射，以提升發(fā)光效率，同時據(jù)此改良結(jié)構(gòu)輔以低功率的遠(yuǎn)程電 漿離子法進(jìn)行制作，以改善成品良率和降低制造成本，進(jìn)而使業(yè)界能夠大量生產(chǎn)此高發(fā)光 效率的有機發(fā)光裝置。
【附圖說明】
[0022] 圖1為本發(fā)明的有機發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)圖。
[0023] 圖2為無光子晶體層實施例對照組圖。
[0024] 圖3為本發(fā)明的光子晶體層實施例試驗組圖。
[0025] 圖4為本發(fā)明的有機發(fā)光裝置發(fā)光光譜圖。
[0026] 圖5為本發(fā)明的光子晶體微粒掃描式電顯圖。
[0027] 圖6為本發(fā)明的不同粒徑光子晶體反射光譜圖。
[0028] 圖7為本發(fā)明的光子晶體層掃描式電顯圖。
[0029]【符號說明】
[0030] 1第一基板
[0031] 2光子晶體層
[0032]3陰極電極層
[0033] 4電子注入層
[0034]5電子傳輸層
[0035] 6發(fā)光層
[0036]7電洞傳輸層
[0037] 8電洞注入層
[0038] 9陽極電極層
[0039] 10第二基板
[0040] 11密封層
【具體實施方式】
[0041] 本發(fā)明的高效率有機發(fā)光裝置，將于實施方式中闡釋其改良結(jié)構(gòu)并提出一優(yōu)化制 作方式供業(yè)界利用，其整體結(jié)構(gòu)請參考圖1，圖1為本發(fā)明的有機發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明 的一種有機發(fā)光裝置，包含：一第一基板1 ;一光子晶體層2,配置于第一基板1上；一陰極 電極層3,配置于光子晶體層2上；一電子注入層4,配置于陰極電極層3上；一電子傳輸層 5,配置于電子注入層4上；一發(fā)光層6,配置于電子傳輸層5上；一電洞傳輸層7,配置于發(fā) 光層6上；一電洞注入層8,配置于電洞傳輸層7上；一陽極電極層9,配置于電洞注入層8 上；一第二基板10,配置于陽極電極層9上；以及一密封