一電子注入層，配置于該陰極電極層上； 一電子傳輸層，配置于該電子注入層上； 一發(fā)光層，配置于該電子傳輸層上； 一電洞傳輸層，配置于該發(fā)光層上； 一電洞注入層，配置于該電洞傳輸層上； 一陽極電極層，配置于該電洞注入層上； 一第二基板，配置于該陽極電極層上；以及 一密封層，配置于該光子晶體層、該陰極電極層、該電子注入層、該電子傳輸層、該發(fā)光 層、該電洞傳輸層、該電洞注入層與該陽極電極層的兩側(cè)。2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該第一基板為玻璃、塑料、半導(dǎo)體 材料、硅、陶瓷或具有絕緣表面層的金屬及電路板材料。3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該光子晶體層包含一多層粒徑的 三維光子晶體與一紫外光膠。4. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該多層粒徑的三維光子晶體包含 一金屬、一無機(jī)化合物、一有機(jī)化合物或其組合。5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該金屬包含Au、Ag、Cu、Fe、Co、Ni、 Pd、Pt、Al、Si、Ti、Zn、Zr、V、Nb、Mo、W、Mn或其組合。6. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該無機(jī)化合物包含Ag20、Cu0、Zn0、 CdO、NiO、PdO、CoO、MgO、Si02、Sn02、Ti02、Zr02、Hf02、Th02、Ce02、C〇02、Mn02、Ir02、V02、W03、 M〇03、A1203、Y203、Yb203、Dy203、B203、Cr203、Fe203、Fe304、V205、Nb205、ZnS、ZnSe、ZnTe、(MS、(MSe、 CdTe、FeS、FeSe、FeTe、CoS、CoSe、CoTe、NiS、NiSe、NiTe、PbS、PbSe、PbTe、MnS、MnSe、MnTe、 SnS、SnSe、SnTe、MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2、Cu2S、Cu2Se、Cu2Te、Bi2S3、Bi2Se3、Bi2Te3、 SiC、TiC、ZrC、WC、NbC、TaC、Mo2C、BN、AIN、TiN、ZrN、VN、NbN、TaN、Si3N4、Zr3N4 或其組合。7. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該有機(jī)化合物包含烷氧化物系列、 苯乙烯系列、甲基丙烯酸甲酯系列、馬來酸系列、乳酸系列、胺基酸系列的聚合物或其組合。8. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該紫外光膠包含以丙烯酸酯系列 化合物、苯乙烯系列化合物、丙烯酸系列化合物或其組合。9. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該陰極電極層為一金屬電極。10. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該金屬電極的材質(zhì)包含鋁、鎂、 鋰、銀、鈣或前述的金屬氟化物。11. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該電子注入層的材質(zhì)包含堿金屬 氧化物或堿金屬氟化物。12. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該電子傳輸層的材質(zhì)包含TPBI、 BCP、BPHEN、OXD-7、Bebq2、BAlq或Znq2。13. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該發(fā)光層的材質(zhì)包含一突光發(fā)光 材料、一磷光發(fā)光材料或其組合。14. 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該熒光發(fā)光材料包含Alq3、AND、 DPVBI、MCP、TCP、TCTA、CBP、26DCzPPy、C545T、Perylene、TBPe、DPAVBi、DCJTB、Rubrene或 其組合。15. 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該磷光發(fā)光材料包含Ir(ppy)3、 FlrPic、Ir(BT)2(acac)、Ir(piq)2(acac)、Ir(2_phq)3、Ir(piq)3 或其組合。16. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該電洞傳輸層的材質(zhì)包含NPB、 TAD或TAPC。17. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該電洞注入層的材質(zhì)包含CuPc、 m-MTDATA、2T-NATA或F4-TCNQ。18. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該陽極電極層為一透明導(dǎo)電層。19. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該透明導(dǎo)電層的材質(zhì)包含氧化 銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錯(cuò)鋅或氧化錫氟。20. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該第二基板為玻璃或塑料。21. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該密封層的材質(zhì)為光學(xué)膠。22. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于：該光子晶體層上的各層是以遠(yuǎn)程 電漿離子濺鍍法所制作，依次鍍上該陰極電極層、該電子注入層、該電子傳輸層、該發(fā)光層、 該電洞傳輸層、該電洞注入層和該陽極電極層。23. -種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于其步驟依次為： A. 提供一濺鍍機(jī)臺，該濺鍍機(jī)臺包含一陽極與一陰極，并于該濺鍍機(jī)臺的該陽極與該 陰極相對區(qū)域間注入一氣體分子； B. 在該濺鍍機(jī)臺的該陽極與該陰極的相對區(qū)域外設(shè)置一靶材沉降區(qū)，并在該靶材沉降 區(qū)放置一被濺鍍物； C. 在該陰極放置一靶材，并施加一功率的高壓電場，使該氣體分子離子化形成一離化 氣體； D. 該離化氣體的中性分子與該靶材反應(yīng)，使該靶材產(chǎn)生的轟擊原子沉積在該被濺鍍物 的表面，并形成一沉積薄膜層； E. 置換該陰極的該靶材的材料，將步驟D的包含該沉積薄膜層的該被濺鍍物放置于該 靶材沉降區(qū)，供該靶材產(chǎn)生的轟擊原子沉積于該沉積薄膜層的表面，并藉此形成一多層結(jié) 構(gòu)； F. 將一第二基板設(shè)置于該多層結(jié)構(gòu)上。24. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟A的該濺鍍機(jī) 臺包含直流濺鍍機(jī)、射頻濺鍍機(jī)或磁控濺鍍機(jī)。25. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟B的該被濺鍍 物包含一光子晶體層，且該光子晶體層的材料包含一金屬、一無機(jī)化合物、一有機(jī)化合物或 其組合。26. 如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：該光子晶體層是形 成于一第一基板上，且該第一基板包含玻璃、塑料、半導(dǎo)體材料、硅、陶瓷或具有絕緣表面層 的金屬及電路板材料。27. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟C的該靶材的 材料依次采用金屬材料、電子注入材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、電洞傳輸材料、電洞注入 材料或透明導(dǎo)電材料。28. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟A的該氣體分 子包含氦、氖、氬、氪、氙或氡等惰性氣體。29. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟C的該功率為1 至100瓦。30. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟F的該多層結(jié) 構(gòu)是由陰極電極材料、電子注入材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、電洞傳輸材料、電洞注入材 料與陽極電極材料分別形成的該沉積薄膜層依次層疊的組合。31. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟F的該第二基 板包含玻璃或塑料。32. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于：步驟A的該被濺鍍 物與步驟F的該第二基板之間是以光學(xué)膠填補(bǔ)其空隙。
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制作方法，其有機(jī)發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)是在一第一基板上依次層疊一光子晶體層、一陰極電極層、一電子注入層、一電子傳輸層、一發(fā)光層、一電洞傳輸層、一電洞注入層、一陽極電極層以及一第二基板，并將一密封層，配置于前述各層的兩側(cè)；且該有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法的特征在于該陰極電極層、該電子注入層、該電子傳輸層、該發(fā)光層、該電洞傳輸層、該電洞注入層、該陽極電極層以及該第二基板，均是以遠(yuǎn)程電漿離子法制作。
【IPC分類】H01L27/32, H01L21/77
【公開號】CN105280667
【申請?zhí)枴緾N201410315582
【發(fā)明人】賴俊峰
【申請人】逢甲大學(xué)
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年7月3日