層11，配置于光子晶體層2、陰極電 極層3、電子注入層4、電子傳輸層5、發(fā)光層6、電洞傳輸層7、電洞注入層8與陽(yáng)極電極層9 的兩側(cè)。
[0042] 第一基板1作為底板，第一基板1可為玻璃、塑料、半導(dǎo)體材料、娃、陶瓷或具有絕 緣表面層的金屬及電路板材料，本實(shí)施例采用玻璃為第一基板1 ;并于第一基板1上建置 光子晶體層2,本發(fā)明的光子晶體層2是以不同粒徑的納米級(jí)三維光子晶體微粒與紫外光 膠混合而成，三維光子晶體的材料可包含金屬、無機(jī)化合物、有機(jī)化合物或其組合，而本實(shí) 施例的三維光子晶體微粒材料為苯乙烯，紫外光膠則包含以丙烯酸酯系列化合物、苯乙烯 系列化合物、丙烯酸系列化合物或其組合，本實(shí)施例選用甲基丙烯酸酯為單體作為材料組 合；陰極電極層3為一金屬電極，其材質(zhì)選自鋁、鎂、鋰、銀、鈣或前述的金屬氟化物，本實(shí)施 例采用金屬鋁；電子注入層4為堿金屬氧化物或堿金屬氟化物，本實(shí)施例采用氟化鋰；電子 傳輸層5可為TPBI、BCP、BPHEN、0XD_7、Bebq2、BAlq或Znq2，本實(shí)施例采用TPBI;而發(fā)光層 6則由有機(jī)材料發(fā)光層材質(zhì)包含有機(jī)熒光發(fā)光材料、有機(jī)磷光發(fā)光材料或其組合，其中熒 光發(fā)光材料包含Alq3、AND、DPVBI、MCP、TCP、TCTA、CBP、26DCzPPy、C545T、Perylene、TBPe、 DPAVBi、DCJTB、Rubrene或其組合，磷光發(fā)光材料則包含Ir(ppy) 3、FlrPic、Ir(BT) 2 (acac)、 Ir(piq) 2 (acac)、Ir(2-phq)3、Ir(piq) 3或其組合，本實(shí)施例以Alq3作為主體發(fā)光材料，參雜 Perylene作為一藍(lán)光發(fā)光層、以Alq3參雜C545T形成一綠光發(fā)光層和以Alq3參雜DCJTB形 成一紅光發(fā)光層，堆疊藍(lán)光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和紅光發(fā)光層以構(gòu)建本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 層；電洞傳輸層7可以選用NPB、TAD或TAPC，本實(shí)施例選用NPB;電洞注入層8可以為CuPc、 m-MTDATA、2T-NATA或F4-TCNQ本實(shí)施例采用CuPc;陽(yáng)極電極層9可為氧化銦錫、氧化銦鋅、 氧化鋅、氧化鋁鋅或氧化錫氟，本實(shí)施例為氧化銦錫；第二基板10設(shè)置于陽(yáng)及電極層上，本 實(shí)施例中采用高透光材質(zhì)的玻璃作為第二基板10 ;最后封裝光學(xué)膠以構(gòu)建密封層11，即可 構(gòu)建出本發(fā)明優(yōu)化的高效率發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)。
[0043] 將上述本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置進(jìn)行表面電漿共振模擬試驗(yàn)，請(qǐng)參考圖2,圖2為 無光子晶體層實(shí)施例對(duì)照組圖，再參考圖3,圖3為本發(fā)明的光子晶體層實(shí)施例試驗(yàn)組圖， 證明光子晶體層表面之間隙可以破壞金屬電極的表面電漿子共振的效果，且為證明此技術(shù) 有益于提高光取出效率，請(qǐng)參考下表，下表為偵測(cè)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的外部量子效率 (ExternalQuantumEffiency)結(jié)果對(duì)照表，結(jié)果顯示有三維光子晶體層的發(fā)光裝置，其外 部量子效率為21. 0%，相較無三維光子晶體層的對(duì)照組為14. 3%，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置 可提升46. 9%的發(fā)光效率，同時(shí)請(qǐng)參照?qǐng)D4,圖4為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置發(fā)光光譜圖，虛 線為不含三維光子晶體層的對(duì)照組，實(shí)線為含有三維光子晶體層的有機(jī)發(fā)光裝置，結(jié)果顯 示本發(fā)明確實(shí)能夠有效提升發(fā)光裝置的可見光強(qiáng)度。
[0044]
[0045] 本發(fā)明的高效率有機(jī)發(fā)光裝置其結(jié)構(gòu)如上所述，然本發(fā)明也提供一有機(jī)發(fā)光裝置 的制作方法，以上述本發(fā)明的發(fā)光裝置所采用的材料為一實(shí)施例，以了解本發(fā)明的有機(jī)發(fā) 光裝置的制造方法的技術(shù)意涵，其制作方法具體步驟如下述：步驟A提供一濺鍍機(jī)臺(tái)，該濺 鍍機(jī)臺(tái)包含一陽(yáng)極與一陰極，并于該濺鍍機(jī)臺(tái)的該陽(yáng)極與該陰極相對(duì)區(qū)域間注入一氣體分 子，本實(shí)施例采用直流濺鍍機(jī)，并于該濺鍍機(jī)臺(tái)的該陽(yáng)極與該陰極相對(duì)區(qū)域間注入惰性氣 體如氬氣。
[0046] 步驟B于該濺鍍機(jī)臺(tái)的該陽(yáng)極與該陰極的相對(duì)區(qū)域外設(shè)置一靶材沉降區(qū)，并在該 靶材沉降區(qū)放置一被濺鍍物，此被濺鍍物即為第一基板1和設(shè)置于其上的光子晶體層2,本 實(shí)施例中第一基板1為玻璃，而光子晶體層2是以不同粒徑的納米級(jí)三維光子晶體微粒與 紫外光膠混合制作而成，其中三維光子晶體微?？梢员揭蚁┲谱?，請(qǐng)參考圖5,圖5為本發(fā) 明的光子晶體微粒掃描式電顯圖，本發(fā)明選擇結(jié)合200、230、250nm三種不同粒徑的光子晶 體微粒，其癥結(jié)點(diǎn)在于不同粒徑的三維光子晶體微?？煞瓷洳煌秶目梢姽獠ǘ危?qǐng)參 考圖6,圖6為本發(fā)明的不同粒徑光子晶體反射光譜圖，證明當(dāng)三維光子晶體粒徑為200nm 時(shí)，可反射460nm附近波長(zhǎng)的藍(lán)光、粒徑為230nm時(shí)，可反射550nm附近波長(zhǎng)的綠光、粒徑為 250nm時(shí)，則可反射600nm附近波長(zhǎng)的紅光，因此選用此三種粒徑之三維光子晶體微粒，以 提升發(fā)光裝置對(duì)可見光的發(fā)光強(qiáng)度，將不同粒徑的三維光子晶體混合丙烯酸甲酯單體為主 劑的紫外光膠，如甲基丙烯酸甲酯，并加入光敏劑，涂布于第一基板上，并放置在波長(zhǎng)約為 350至370nm的紫外光燈下照射15至20分鐘，使其于第一基板上均勻固化形成光子晶體 層，請(qǐng)參考圖7,圖7為本發(fā)明的光子晶體層掃描式電顯圖，對(duì)照?qǐng)D5與圖7可以發(fā)現(xiàn)紫外光 膠能夠填充其微粒的間隙，此舉有益于提升整體結(jié)構(gòu)的使用強(qiáng)度和耐性。
[0047] 步驟C在該陰極放置一靶材，并施加一功率的高壓電場(chǎng)，使該氣體分子離子化形 成一離化氣體，本實(shí)施例采用鋁金屬，并施加一低功率的高壓電場(chǎng)，本實(shí)施例設(shè)定濺鍍條件 使其功率為1瓦至1〇〇瓦之間，通以直流電源使腔室內(nèi)產(chǎn)生一高壓，使惰性氣體離子化，同 時(shí)產(chǎn)生大量正、負(fù)電離子和中性自由分子，機(jī)臺(tái)可配置有接地線，將帶電離子導(dǎo)離陰極。
[0048] 步驟D該離化氣體的中性分子與該靶材反應(yīng)，使該靶材產(chǎn)生的轟擊原子沉積在該 被濺鍍物的表面，并形成一沉積薄膜層，本實(shí)施例中即陰極電極層3。
[0049] 步驟E置換該陰極的該靶材的材料，將步驟D的包含該沉積薄膜層的該被濺鍍物 放置于該靶材沉降區(qū)，供該靶材產(chǎn)生的轟擊原子沉積于該沉積薄膜層的表面，并藉此形成 一多層結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中即置換該陰極的該靶材的材料為氟化鋰，將步驟D的已濺鍍上一 沉積薄膜層的該被濺鍍物放置于該靶材沉降區(qū)，即已層疊上陰極電極層3的第一基板1和 光子晶體層2,作為供該靶材的轟擊原子沉積的表面，再形成一另一沉積薄膜層，在本實(shí)施 例中即為電子注入層4,再置換靶材為TPBI，以層疊上電子傳輸層5,而發(fā)光層6則分別對(duì) 不同色光進(jìn)行濺鍍，首先可先以Alq3作為主體發(fā)光材料，參雜Perylene作為藍(lán)光發(fā)光層的 滅鍛用革E材，于電子傳輸層4上滅鍛形成一藍(lán)光發(fā)光層，以Alq3參雜C545T形成一綠光發(fā) 光層，以Alq3參雜DCJTB形成一紅光發(fā)光層，層疊藍(lán)光、綠光和紅光三層作為發(fā)光層6,再以 NPB作為靶材濺鍍形成電洞傳輸層7,以CuPC作為靶材在電洞傳輸層7上形成電洞注入層 8,最后選用ΙΤ0作為靶材，以形成陽(yáng)極電極層9,并藉此形成一多層結(jié)構(gòu)。
[0050] 步驟F將一第二基板設(shè)置于該多層結(jié)構(gòu)上，本實(shí)施例中采用高透光材質(zhì)的玻璃作 為第二基板10。此時(shí)發(fā)光裝置的制造程序已完成，最后再注入光學(xué)膠包覆上述各層的兩側(cè)， 以密封整體主結(jié)構(gòu)并形成密封層11，完成發(fā)光裝置的封裝程序。
[0051] 本發(fā)明的一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制作方法，旨在提供業(yè)界一改良的有機(jī)發(fā)光裝置 結(jié)構(gòu)，降低光能耗散以提升光利用率，并揭示一優(yōu)化的有機(jī)發(fā)光裝置制作方法，使相關(guān)業(yè)者 能夠據(jù)此以實(shí)施本發(fā)明的高效率有機(jī)發(fā)光裝置，甚至以此方法制作其他有機(jī)發(fā)光裝置，而 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，不枉本發(fā)明的初衷。
[0052] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即 依本發(fā)明權(quán)利要求及說明內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明涵蓋的范圍 內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于其包含： 一第一基板； 一光子晶體層，配置于該第一基板上； 一陰極電極層，配置于該光子晶體層上；