元3內(nèi)，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6與像素單元3--對應(yīng)，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15設(shè)置在任意相鄰的兩個像素單元3之間。如此設(shè)計，與一個像素單元3內(nèi)設(shè)置有多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6相比，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6與像素單元3--對應(yīng)，可減少工藝復(fù)雜度，此外，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15設(shè)置在任意相鄰的兩個像素單元3之間，可使在柵線1的、未被第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6覆蓋的位置處并聯(lián)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15，從而使整條柵線1均并聯(lián)有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可減小柵線1的電阻。因此，如此設(shè)計既可以減少工藝復(fù)雜度，又可以減小柵線1的電阻使顯示裝置正常顯示畫面。
[0046]在上述實施例中，如圖7所示，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投影與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6在陣列基板上的投影可至少部分交疊，設(shè)置在鈍化層14上的第四過孔16位于該交疊區(qū)域內(nèi)，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15通過第四過孔16與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6電連接;此外，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投影和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6在陣列基板上的投影也可不交疊，此時，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投影和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6在陣列基板上的投影恰好接觸，第四過孔16位于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15的上述接觸邊緣，第四過孔16中可以填充導(dǎo)電材料，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15通過第四過孔16中的導(dǎo)電材料與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6的邊緣接觸，從而實現(xiàn)電連接。優(yōu)選地，如圖7所示，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投影和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6在陣列基板上的投影至少部分交疊，與第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6在陣列基板上的投影不交疊相比，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6的接觸面積較大，因而可使第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6的連接更穩(wěn)定。
[0047]在上述實施例中，陣列基板還包括與柵線1同層設(shè)置的柵極，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投影和柵極在陣列基板上的投影可至少部分交疊。其中，上述柵極也包含在薄膜晶體管中。由于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6電連接，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6與柵線1電連接，因而第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與柵線1電連接，此外，由于柵線1與柵極連接，因而，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15上所加載的信號與柵極上所加載的柵極信號相同；另外，由于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15在陣列基板上的投影和柵極在陣列基板上的投影至少部分交疊，而在薄膜晶體管中，柵極在陣列基板上的投影與有源層10在陣列基板上的投影交疊，因而，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與有源層10至少部分交疊，這使得當(dāng)在第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15和柵極上加載柵極信號時，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15和柵極共同驅(qū)動有源層10，因而可增加有源層10中的載流子迀移率，提高顯示裝置的顯示性能。
[0048]在上述實施例中，陣列基板還包括設(shè)置在鈍化層14上的像素電極17，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與像素電極17同層同材料設(shè)置。如此設(shè)計，可使第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15與像素電極17同時形成，因而可簡化陣列基板的制作工藝。
[0049]在上述實施例中，由于柵線1具有與其并聯(lián)的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15，使得柵線1的電阻較小，此時稍微增加?xùn)啪€1的電阻不會影響顯示畫面的顯示效果，因而可減小柵線1的寬度，使柵線1的寬度范圍在2Μ?-10μπι之間，由于與現(xiàn)有技術(shù)中柵線的寬度為20μπι以上相比，可減小柵線1的寬度，因而可提高顯示裝置的開口率。
[0050]需要說明的是，如圖2所示，當(dāng)柵線1的寬度減小時，為使第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6與柵線1電連接更穩(wěn)定，柵線1在第一過孔7的位置處的寬度比柵線1其他位置處的寬度寬，此時形成的第一過孔7的尺寸較大，因而可使第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6與柵線1的連接更穩(wěn)定。同理可知，柵線1在第二過孔16的位置處比柵線1其他位置處的寬度寬。
[0051]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所提供的陣列基板。由于該顯示裝置包括以上技術(shù)方案中的陣列基板，因此該顯示裝置與以上技術(shù)方案中的陣列基板具有相同的有益效果，在此不再贅述。
[0052]需要說明的是，本發(fā)明實施例所提供的顯示裝置可為:電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0053]實施例二
[0054]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，如圖9所示，該方法包括:
[0055]S901、形成柵金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形。示例性地，通過等離子增強化學(xué)氣相沉積、濺射或者熱蒸發(fā)等方法形成一層?xùn)沤饘賹樱跂沤饘賹由贤扛补饪棠z，使用具有柵線的圖形的掩膜板遮蓋涂覆有光刻膠的柵金屬層，經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等步驟后，形成包括柵線的圖形。
[0056]S902、在柵線所在膜層上形成絕緣層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝在絕緣層上形成對應(yīng)于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第一過孔。示例性地，通過等離子增強化學(xué)氣相沉積、濺射或者熱蒸發(fā)等方法，在柵線所在膜層上，形成一層絕緣層，然后，通過構(gòu)圖工藝使絕緣層上形成對應(yīng)于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第一過孔。
[0057]S903、在絕緣層上形成第一導(dǎo)電層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形，其中，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過第一過孔與柵線電連接。示例性地，通過等離子增強化學(xué)氣相沉積、濺射或者熱蒸發(fā)等方法形成一層第一導(dǎo)電層，在第一導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，使用具有第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形的掩膜板遮蓋涂覆有光刻膠的柵極層，經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等步驟后，形成包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形。
[0058]由于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過至少兩個第一過孔與柵線電連接，使得第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與柵線并聯(lián)，這相當(dāng)于為柵線并聯(lián)一個電阻，因而可減小柵線的電阻值，并且，根據(jù)電阻值與信號延時時間的關(guān)系式可知，電阻值與信號延遲時間呈正比，因而減小柵線的電阻值可減小柵線的信號延遲時間，使現(xiàn)有技術(shù)中無法正常顯示的部分像素單元正常顯示，與現(xiàn)有技術(shù)中無法正常顯示的像素單元的數(shù)量相比，本發(fā)明中無法正常顯示的像素單元的數(shù)量明顯減少，因而可改善顯示裝置不能正常顯示畫面的問題。
[0059]在上述實施例中，在S903之前，陣列基板的制作方法還包括:在絕緣層上形成有源層膜層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成包括有源層的圖形;在有源層所在膜層上形成刻蝕阻擋層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，在刻蝕阻擋層上形成對應(yīng)于源極的第二過孔和對應(yīng)于漏極的第三過孔;通過一次構(gòu)圖工藝同時形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形和源極和漏極的圖形；其中，源極和漏極分別通過第二過孔和第三過孔與有源層電連接。
[0060]在上述實施例中，在S903之后，陣列基板的制作方法還包括:在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所在膜層上，形成鈍化層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成對應(yīng)于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第二過孔，示例性地，通過等離子增強化學(xué)氣相沉積、濺射或者熱蒸發(fā)等方法，在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所在膜層上，形成一層鈍化層，然后，通過構(gòu)圖工藝使鈍化層上形成對應(yīng)于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第二過孔;在鈍化層上形成第二導(dǎo)電層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過第二過孔與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接，示例性地，通過等離子增強化學(xué)氣相沉積、濺射或者熱蒸發(fā)等方