法形成一層第二導(dǎo)電層，在第二導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，使用具有第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形的掩膜板遮蓋涂覆有光刻膠的柵極層，經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等步驟后，形成包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形。
[0061]由于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過至少兩個第二過孔與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接，使得第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與柵線和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)組成的結(jié)構(gòu)并聯(lián)，這相當(dāng)于為柵線和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)組成的結(jié)構(gòu)并聯(lián)一個電阻，因而可進(jìn)一步減小柵線的電阻值，并且參見第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作方法的有益效果可知，制作形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，可使顯示裝置正常顯示畫面。
[0062]在上述實施例中，在形成柵線的同時，陣列基板的制作方法還包括:形成柵極，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在陣列基板上的投影與柵極在陣列基板上的投影至少部分交疊。如此設(shè)計，可使第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和柵極共同驅(qū)動有源層，因而可增加有源層中的載流子迀移率，提高顯示裝置的顯示性能。
[0063]本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于方法實施例而言，由于其基本相似于產(chǎn)品實施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見產(chǎn)品實施例的部分說明即可。
[0064]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括多條相互平行的柵線，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述多條柵線所在膜層上的絕緣層，以及位于所述絕緣層上的至少一個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述絕緣層上設(shè)置有對應(yīng)于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第一過孔，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第一過孔與所述柵線電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的投影與所述柵線在所述陣列基板上的投影至少部分交疊，所述第一過孔位于所述交疊區(qū)域內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極和漏極，所述源極和漏極均與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)同層設(shè)置，且均與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)不接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括位于所述絕緣層和所述源極和漏極所在膜層之間的有源層和刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層上設(shè)置有對應(yīng)于所述源極的第二過孔和對應(yīng)于所述漏極的第三過孔，所述源極和所述漏極分別通過所述第二過孔和所述第三過孔與所述有源層電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所在膜層上的鈍化層，以及位于所述鈍化層上的至少一個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述鈍化層上設(shè)置有對應(yīng)于所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第四過孔，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過第四過孔與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在每條所述柵線的延伸方向上，多個所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)依次間隔設(shè)置，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于任意相鄰的兩個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第四過孔分別和與該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相鄰的兩個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括多條相互平行的數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線圍成多個像素單元，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述像素單元內(nèi)，且所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素單元一一對應(yīng)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在任意相鄰的兩個所述像素單元之間。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的投影與所述柵線在所述陣列基板上的投影至少部分交疊，所述第四過孔位于所述交疊區(qū)域內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述柵線同層設(shè)置的柵極，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的投影與所述柵極在所述陣列基板上的投影至少部分交疊。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述鈍化層上的像素電極，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素電極同層同材料設(shè)置。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線的寬度范圍為2μπι-10μπι。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11任一項所述的陣列基板。13.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 形成柵金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形； 在所述柵線所在膜層上形成絕緣層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層上形成對應(yīng)于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第一過孔； 在所述絕緣層上形成第一導(dǎo)電層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第一過孔與所述柵線電連接。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一導(dǎo)電層之前，所述方法還包括: 在所述絕緣層上形成有源層膜層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成包括有源層的圖形； 在所述有源層所在膜層上形成刻蝕阻擋層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，在所述刻蝕阻擋層上形成對應(yīng)于源極的第二過孔和對應(yīng)于漏極的第三過孔； 通過一次構(gòu)圖工藝同時形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形和源極和漏極的圖形； 其中，所述源極和所述漏極分別通過所述第二過孔和所述第三過孔與所述有源層電連接。15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后，所述方法還包括: 在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所在膜層上，形成鈍化層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成對應(yīng)于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第四過孔； 在所述鈍化層上形成第二導(dǎo)電層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖形，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第四過孔與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成柵線的同時，所述方法還包括: 形成柵極，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述陣列基板上的投影與所述柵極在所述陣列基板上的投影至少部分交疊。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠改善因信號延遲導(dǎo)致的顯示裝置不能正常顯示畫面的問題。所述陣列基板包括多條相互平行的柵線、位于所述多條柵線所在膜層上的絕緣層、以及位于所述絕緣層上的至少一個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述絕緣層上設(shè)置有對應(yīng)于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少兩個第一過孔，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第一過孔與所述柵線電連接。本發(fā)明提供的陣列基板可應(yīng)用于具有大尺寸顯示屏幕的顯示裝置中。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12
【公開號】CN105448935
【申請?zhí)枴緾N201610005961
【發(fā)明人】江鵬, 周茂秀, 楊海鵬, 戴珂, 尹傛俊, 王章濤
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2016年1月4日