>[0036]圖12A至圖121是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的OLED顯示器的方法的 橫截面圖。
[0037] 圖13A至圖13E是示出了圖12G與圖12H之間的處理過程的詳細(xì)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]現(xiàn)在將詳細(xì)地參考本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中例示了本發(fā)明的示例。在任何可 能的情況下，將在整個(gè)附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或相似的部件。將要注意的 是，如果確定公知技術(shù)會(huì)誤導(dǎo)本發(fā)明的實(shí)施方式，則將省略這些公知技術(shù)的詳細(xì)描述。在描 述一些實(shí)施方式時(shí)，相同的元件與第一實(shí)施方式結(jié)合進(jìn)行代表性地描述，并且可以在其它 實(shí)施方式中被省略。
[0039]〈第一實(shí)施方式〉
[0040]下面參照?qǐng)D5和圖6來描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器。圖5是示意 性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6是沿著圖5的線 ΙΙ-ΙΓ截取的橫截面圖，并且示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示的示意結(jié)構(gòu)。 [0041]參照?qǐng)D5和圖6,根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器包括:基板SUB，其被構(gòu) 造為具有在基板SUB中限定的發(fā)光區(qū)域AA和非發(fā)光區(qū)域NA;開關(guān)TFT ST;驅(qū)動(dòng)TFT DT，其連 接到開關(guān)TFT ST;第二存儲(chǔ)電容器電極SG2,其被構(gòu)造為與驅(qū)動(dòng)TFT DT接觸；存儲(chǔ)電容器 STG，其通過第二存儲(chǔ)電容器電極SG2與第一存儲(chǔ)電容器電極SGl的交疊而形成；以及0LED， 其通過第二存儲(chǔ)電容器電極SG2連接到驅(qū)動(dòng)TFT DT。在發(fā)光區(qū)域AA中形成存儲(chǔ)電容器STG和 0LED，并且在非發(fā)光區(qū)域NA形成中TFT ST和DT或者線SL、DL、以及VDD。
[0042]按矩陣形式在基板SUB上形成掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL，因此限定像素。在掃描線SL和 數(shù)據(jù)線DL交叉的區(qū)域中形成開關(guān)TFT ST，并且開關(guān)TFT ST用于選擇像素。開關(guān)TFT ST包括 開關(guān)柵極SG、溝道層SA、開關(guān)源極SS和開關(guān)漏極SD。開關(guān)柵極SG連接到掃描線SL，并且開關(guān) 源極SS從數(shù)據(jù)線SL分支。
[0043] 驅(qū)動(dòng)TFT DT包括驅(qū)動(dòng)?xùn)艠ODG、溝道層DA、驅(qū)動(dòng)源極DS和驅(qū)動(dòng)漏極DD。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠ODG連 接到開關(guān)漏極SD，并且驅(qū)動(dòng)源極DS從驅(qū)動(dòng)電流線VDD分支。
[0044] 鈍化層IN2被形成為覆蓋TFT ST和DT的源極SS和DS以及漏極SD和DD，并且使驅(qū)動(dòng) 漏極DD的一部分暴露。在鈍化層IN2上按與驅(qū)動(dòng)漏極DD的一部分接觸的方式形成第二存儲(chǔ) 電容器電極SG2。在這種情況下，第二存儲(chǔ)電容器電極SG2利用在第二存儲(chǔ)電容器電極SG2與 第一存儲(chǔ)電容器電極SGl之間插入的鈍化層IN2與第一存儲(chǔ)電容器電極SGl交疊，這在相應(yīng) 的TFT ST和DT的源極SS和DS以及漏極SD和DD形成時(shí)被同時(shí)形成，因此形成存儲(chǔ)電容器STG。 [0045]因?yàn)榇鎯?chǔ)電容器STG通過由透明導(dǎo)電材料制成的第二存儲(chǔ)電容器電極SG2和第一 存儲(chǔ)電容器電極SGl的交疊而形成，所以存儲(chǔ)電容器STG可以被形成為在不減小發(fā)光區(qū)域AA 中的孔徑比的情況下具有寬的面積。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器能夠 確保足夠的存儲(chǔ)電容器STG。
[0046]可以按與每個(gè)像素區(qū)域?qū)?yīng)的方式在發(fā)光區(qū)域AA中的第二存儲(chǔ)電容器電極SG2上 形成每個(gè)濾色器CF。紅色濾色器CF、綠色濾色器CF和藍(lán)色濾色器CF可以交替地設(shè)置在濾色 器CF中。濾色器CF還可以包括白色濾色器CF。在這種情況下，紅色濾色器CF和/或綠色濾色 器CF還可以在屬于像素區(qū)域并且形成有TFT ST和DT的區(qū)域上按覆蓋TFT ST和DT的方式延 伸并形成。
[0047]在形成有濾色器CF的基板SUB的整個(gè)表面上形成被構(gòu)造為使第二存儲(chǔ)電容器電極 SG2的一部分暴露的覆蓋層0C。覆蓋層OC涂覆在基板SUB的整個(gè)表面上，以使得形成有濾色 器CF的基板SUB的表面平坦。
[0048]在覆蓋層OC上形成陽極ΑΝ0,使得陽極ANO與第二存儲(chǔ)電容器電極SG2接觸。陽極 ANO通過第二存儲(chǔ)電容器電極SG2電連接到驅(qū)動(dòng)TFT的漏極DD。
[0049]在陽極ANO上形成被構(gòu)造為使陽極ANO的一部分暴露的岸BN。在通過岸BN暴露的陽 極ANO的一部分上形成有機(jī)發(fā)射層OLE。按覆蓋有機(jī)發(fā)射層OLE的方式在有機(jī)發(fā)射層OLE上形 成陰極CAT。因此，完成了包括陽極ANO、有機(jī)發(fā)射層OLE和陰極CAT的OLED。
[0050]下面參照?qǐng)D7A至圖7J來詳細(xì)地描述制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示 器的過程。通過制造過程更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器的特性。 圖7A至圖7J是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器的方法的橫截面圖。 [00511參照?qǐng)D7A，在基板SUB的整個(gè)表面上涂覆不透明金屬材料。通過使用第一掩模處理 對(duì)金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成遮光層LS。遮光層LS可以被形成為與隨后要形成的TFT的半導(dǎo) 體層(具體為溝道層)交疊。遮光層LS用于保護(hù)氧化物半導(dǎo)體器件免受外部光的影響。在形 成有遮光層LS的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣材料，因此形成緩沖層BF。
[0052]參照?qǐng)D7B，在形成有緩沖層BF的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆半導(dǎo)體材料。該半導(dǎo)體 材料可以包括諸如銦鎵鋅氧化物(IGZO)這樣的氧化物半導(dǎo)體材料。通過使用第二掩模處理 對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成半導(dǎo)體層SE。
[0053]參照?qǐng)D7C，在形成有半導(dǎo)體層SE的基板SUB的整個(gè)表面上連續(xù)地涂覆絕緣材料和 金屬材料。通過使用第三掩模處理同時(shí)對(duì)絕緣材料和金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成柵絕緣層GI 以及與柵絕緣層GI交疊的柵極SG和DG。柵極SG和DG可以被形成為與半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域 交疊并且使半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)暴露。半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域被分別限定為開關(guān)TFT的溝道 層SA以及驅(qū)動(dòng)TFT的溝道層DA。被暴露的半導(dǎo)體層SE分別成為與開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源-漏 極接觸的源極區(qū)域SSA和DSA以及漏極區(qū)域SDA和DDA。如果半導(dǎo)體材料是氧化物半導(dǎo)體材 料，則可以通過等離子體處理工藝使源極區(qū)域SSA和DSA以及漏極區(qū)域SDA和DDA導(dǎo)電 (conductorize)〇
[0054]參照?qǐng)D7D，在形成有柵極SG和DG的基板SUB的整個(gè)表面上通過涂覆絕緣材料來形 成層間絕緣層IN1。通過使用第四掩模處理對(duì)層間絕緣層INl進(jìn)行構(gòu)圖來形成使半導(dǎo)體層SE 的源極區(qū)域SSA和DSA暴露的接觸孔SSH和DSH以及使半導(dǎo)體層SE的漏極區(qū)域SDA和DDA暴露 的接觸孔SDH和DDH。此時(shí)，也形成使驅(qū)動(dòng)TFT的柵極DG的一部分暴露的柵極接觸孔GH。
[0055]參照?qǐng)D7E，在形成有接觸孔的層間絕緣層INl上連續(xù)地涂覆透明導(dǎo)電材料和金屬 材料。該透明導(dǎo)電材料可以是諸如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦錫鋅氧化物這樣的材料。通 過使用第五掩模處理對(duì)透明導(dǎo)電材料和金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成開關(guān)TFT ST的源極SS和 漏極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT DT的源極DS和漏極DD。在發(fā)光區(qū)域AA中形成僅由透明導(dǎo)電材料制成的 第一存儲(chǔ)電容器電極SGl。在這種情況下，開關(guān)TFT的漏極SD連接到驅(qū)動(dòng)TFT的柵極DG。
[0056]使用半色調(diào)掩模來執(zhí)行第五掩模處理。使用半色調(diào)掩模，開關(guān)TFT ST的源極SS和 漏極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT DT的源極DS和漏極DD中的每一個(gè)由包括透明導(dǎo)電材料ITO和金屬材料 ME的雙層形成，并且第一存儲(chǔ)電容器電極SGl由包括透明導(dǎo)電材料ITO的單層形成。TFT ST、 DT的源極SS、DS和漏極SD、DD可以由包括透明導(dǎo)電材料ITO的單層形成，但是考慮到透明導(dǎo) 電材料ITO的高的薄層電阻（sheet resistance)，TFT ST、DT的源極SS、DS和漏極SD、DD可以 由已經(jīng)堆疊有透明導(dǎo)電材料ITO和金屬材料ME的雙層形成。
[0057] 參照?qǐng)D7F，通過在已經(jīng)完成TFT ST和DT的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣材料來 形成鈍化層IN2。通過使用第六掩模處理對(duì)鈍化層IN2進(jìn)行構(gòu)圖來形成存儲(chǔ)電容器接觸孔 SGH0
[0058]參照?qǐng)D7G，在形成有存儲(chǔ)電容器接觸孔SGH的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆透明導(dǎo)電 材料。通過使用第七掩模處理對(duì)透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成第二存儲(chǔ)電容器電極SG2。第 二存儲(chǔ)電容器電極SG2可以被形成為與第一存儲(chǔ)電容器電極SGl交疊。第二存儲(chǔ)電容器電極 SG2通過存儲(chǔ)電容器接觸孔SGH與驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極DD接觸。
[0059] 在這種情況下，在發(fā)光區(qū)域AA中，第一存儲(chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極 SG2被形成為彼此與在第一存儲(chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2之間插入的鈍化 層IN2交疊。在第一存儲(chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2彼此交疊的區(qū)域中形成 存儲(chǔ)電容器STG。因此，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器中，因?yàn)槭褂猛该鲗?dǎo)電 材料來形成存儲(chǔ)電容器電極SGl和SG2,所以能夠在不減小孔徑比的情況下在整個(gè)發(fā)光區(qū)域 AA中形成存儲(chǔ)電容器電極SGl和SG2。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示器能夠 確保足夠的存儲(chǔ)電容器STG，因?yàn)槟軌蛐纬删哂袑挼拿娣e的存儲(chǔ)電容器STG。
[0060] 參照?qǐng)D7H，在形成有第二存儲(chǔ)電容器電極SG2的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆紅色顏 料、綠色顏料和藍(lán)色顏料。通過使用相應(yīng)的第八掩模處理、第九掩模處理和第十掩模處理順 序地對(duì)紅色顏料、綠色顏料和藍(lán)色顏料進(jìn)行構(gòu)圖來順序地形成紅色濾色器CF、綠色濾色器 CF和藍(lán)色濾色器CF。在要分別顯示紅色、綠色和藍(lán)色的像素區(qū)域中選擇性地形成紅色濾色 器CF、綠色濾色器CF和藍(lán)色濾色器CF。在這種情況下，紅色濾色器CF和/或藍(lán)色濾色器CF可 以被延伸并形成為覆蓋像素區(qū)域的TFT ST和DT。
[0061] 參照?qǐng)D71，通過在形成有濾色器CF的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣材料來形成 覆蓋層0C。通過使用第十一掩模處理對(duì)覆蓋層OC進(jìn)行構(gòu)圖來形成像素接觸孔PH。
[0062]參照?qǐng)D7J，在形成有像素接觸孔PH的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆透明導(dǎo)電材料。通 過使用第十二掩模處理對(duì)透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成陽極ΑΝ0。陽極ANO通過像素接觸孔 PH與第二存儲(chǔ)電容器電極SG2接觸。此外，陽極ANO還通過第二存儲(chǔ)電容器電極SG2電連接到 驅(qū)動(dòng)TFT的漏極DD。
[0063]接下來，返回參照?qǐng)D6，在形成有陽極AN