O的基板SUB的整個表面上涂覆絕緣材料， 并且通過對絕緣材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成岸BN。岸BN限定了將實際上成為發(fā)光區(qū)域AA的開口區(qū) 域，并且可以具有使屬于陽極ANO并將發(fā)出光的區(qū)域敞開的形狀。有機(jī)發(fā)射層OLE被形成為 覆蓋通過岸BN敞開的陽極ΑΝ0。在包括有機(jī)發(fā)射層OLE的基板SUB的整個表面上形成陰極 CAT。因此，完成了包括陽極ANO、有機(jī)發(fā)射層OLE和陰極CAT的OLED。
[0064]因為第一存儲電容器電極SGl和第二存儲電容器電極SG2可以被形成為在不減小 發(fā)光區(qū)域AA中的孔徑比的情況下具有寬的面積，所以根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的OLED顯 示器能夠確保足夠的存儲電容器STG。結(jié)果，如果TFT DT處于斷開狀態(tài)，則OLED顯示器能夠 使用在充分確保的存儲電容器STG中充入的電荷來保持像素數(shù)據(jù)直到下一周期。
[0065]〈第二實施方式〉
[0066]與使用透明存儲電容器電極來形成存儲電容器的第一實施方式相比，本發(fā)明的第 二實施方式提供了在沒有添加掩模處理的情況下具有改進(jìn)的光效率和色域的OLED顯示器。 也就是說，本發(fā)明的第二實施方式可以提供按以下的方式在不減小顏色視角的情況下具有 改進(jìn)的光效率和色域的OLED顯示器:通過順序地堆疊具有不同的折射率的第一陽極、絕緣 層和第二陽極而產(chǎn)生介電布拉格反射鏡效應(yīng)，并且還通過形成鈍化層被插入在它們之間的 第一存儲電容器電極和第二存儲電容器電極來產(chǎn)生弱腔效應(yīng)。將在OLED顯示器的上側(cè)產(chǎn)生 介電布拉格反射鏡效應(yīng)并且同時在OLED顯示器的下側(cè)產(chǎn)生弱腔效應(yīng)的結(jié)構(gòu)限定為多模腔 結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第二實施方式提供了具有這種多模腔結(jié)構(gòu)的OLED顯示器。
[0067]下面參照圖8和圖9來描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器。圖8是示意 性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖9是沿著圖8的線 ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的橫截面圖，并且示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)。 [0068]參照圖8和圖9,根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器包括:基板SUB，其被構(gòu) 造為具有在基板SUB中限定的發(fā)光區(qū)域AA和非發(fā)光區(qū)域NA;開關(guān)TFT ST;驅(qū)動TFT DT，其連 接到開關(guān)TFT ST;第一存儲電容器電極SGl，其連接到開關(guān)TFT ST;存儲電容器STG，其通過 第一存儲電容器電極SGl與第二存儲電容器電極SG2的交疊而形成；以及0LED，其連接到驅(qū) 動TFT DT。在發(fā)光區(qū)域AA中形成存儲電容器STG和0LED。在非發(fā)光區(qū)域NA中形成TFT ST和DT 或者線SL、DL、以及VDD。
[0069]按矩陣形式在基板SUB上形成掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL，因此限定像素。在掃描線SL和 數(shù)據(jù)線DL交叉的區(qū)域中形成開關(guān)TFT ST，并且開關(guān)TFT ST用于選擇像素。開關(guān)TFT ST包括 開關(guān)柵極SG、溝道層SA、開關(guān)源極SS和開關(guān)漏極SD。開關(guān)柵極SG從掃描線SL分支，并且開關(guān) 源極SS從數(shù)據(jù)線SL分支。
[0070] 驅(qū)動TFT DT包括驅(qū)動?xùn)艠ODG、溝道層DA、驅(qū)動源極DS和驅(qū)動漏極DD。驅(qū)動?xùn)艠ODG連 接到開關(guān)漏極SD，并且驅(qū)動源極DS從驅(qū)動電流線VDD分支。
[0071] 形成構(gòu)造為覆蓋TFT ST和DT的源極SS和DS以及漏極SD和DD的鈍化層IN2。在鈍化 層IN2上形成通過存儲電容器接觸孔SGH與第二陽極AN02接觸的第二存儲電容器電極SG2。 在這種情況下，第二存儲電容器電極SG2與在形成TFT ST和DT的源極SS和DS以及漏極SD和 DD時同時形成的第一存儲電容器電極SGl交疊，鈍化層IN2被插入在第二存儲電容器電極 SG2與第一存儲電容器電極SGl之間，因此形成存儲電容器STG。第一存儲電容器電極SGl連 接到開關(guān)TFT ST的漏極SD。
[0072] 存儲電容器STG可以被形成為在不減小發(fā)光區(qū)域AA中的孔徑比的情況下具有寬的 面積，這是因為由透明導(dǎo)電材料制成的第二存儲電容器電極SG2和第一存儲電容器電極SGl 被形成為彼此交疊。因此，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器能夠確保足夠的存儲 電容器STG。
[0073] 此外，因為在第一存儲電容器電極SGl與第二存儲電容器電極SG2之間產(chǎn)生光的相 長干涉（constructive interference)和/或相消干涉（destructive interference)，所以 根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器能夠提高發(fā)射效率。也就是說，在根據(jù)本發(fā)明的 第二實施方式的OLED顯示器中，第一存儲電容器電極SGl、鈍化層IN2和第二存儲電容器電 極SG2順序地堆疊。第一存儲電容器電極SGl、鈍化層IN2和第二存儲電容器電極SG2中的至 少任何一個的折射率與第一存儲電容器電極SG1、鈍化層IN2和第二存儲電容器電極SG2中 的另一個的折射率不同。因此，能夠通過層之間的光放大現(xiàn)象(弱腔)來改進(jìn)發(fā)射效率和顏 色純度。
[0074]每個濾色器CF可以被設(shè)置在發(fā)光區(qū)域AA中的第二存儲電容器電極SG2上，使得每 個濾色器CF與每個像素區(qū)域?qū)?yīng)。濾色器CF可以具有交替地設(shè)置在該濾色器CF中的紅色濾 色器CT、綠色濾色器CT和藍(lán)色濾色器CT，并且還可以包括白色濾色器CF。在這種情況下，紅 色濾色器CF和/或綠色濾色器CF還可以按覆蓋TFT ST和DT的方式延伸并且形成在屬于像素 區(qū)域并形成有TFT ST和DT的區(qū)域中。
[0075]在形成有濾色器CF的基板SUB的整個表面上形成覆蓋層0C。覆蓋層OC涂覆在基板 SUB的整個表面上，以使得形成有濾色器CF的基板SUB的表面平坦。
[0076]在覆蓋層OC上順序地形成第一陽極ANOl和絕緣層IN3,使得它們在發(fā)光區(qū)域AA中 交疊。在絕緣層IN3和覆蓋層OC上形成第二陽極AN02,并且該第二陽極AN02通過被形成為穿 透覆蓋層OC和鈍化層IN2的像素接觸孔PH與驅(qū)動TFT DT的漏極DD接觸。在這種情況下，第二 陽極AN02可以與第一陽極ANOl接觸。在附圖中，已經(jīng)例示了形成有一對第一陽極ANOl和絕 緣層IN3的結(jié)構(gòu)，但是可以堆疊一對或更多對第一陽極ANOl和絕緣層IN3。也就是說，在本發(fā) 明的第二實施方式中，可以包括多個第一陽極ANOl和絕緣層IN3。在這種情況下，所述多個 第一陽極ANOl和絕緣層IN3可以交替地堆疊。
[0077] 在根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器中，因為由具有不同的折射率的材料 制成的兩個層或更多個層交替地堆疊，所以產(chǎn)生介電布拉格反射鏡效應(yīng)。也就是說，在本發(fā) 明的第二實施方式中，第一陽極ANOl、絕緣層IN3和第二陽極AN02順序地堆疊，并且在多個 層之間產(chǎn)生相長干涉和相消干涉。在這種情況下，第一陽極ANOl、絕緣層IN3和第二陽極 AN02中的至少任何一個的折射率與第一陽極ANOl、絕緣層IN3和第二陽極AN02中的另一個 的折射率不同。因此，在本發(fā)明的第二實施方式中，雖然沒有形成適合于紅色、綠色和藍(lán)色 或白色波長的共振厚度，但是能夠通過第一陽極AN01、絕緣層IN3和第二陽極AN02的折射率 之間的差以及其光的反射和集中來改進(jìn)紅色、綠色、藍(lán)色和白色的整個波長帶的光效率以 及色域。
[0078] 此外，與根據(jù)的微腔的共振效應(yīng)不同，使用了介電布拉格反射鏡效應(yīng)，因為光譜帶 寬沒有變窄，所以本發(fā)明的第二實施方式可以提供在不減小顏色視角的情況下具有改進(jìn)的 光效率的OLED顯示器。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器包括多個像素區(qū)域。所述多個像素區(qū)域 可以包括按矩陣形式布置的第一像素區(qū)域，每個第一像素區(qū)域具有堆疊有第一陽極ANOl和 絕緣層IN3的結(jié)構(gòu)。在一些實施方式中，所述多個像素區(qū)域可以包括按矩陣形式布置的第一 像素區(qū)域和第二像素區(qū)域。在這種情況下，第二像素區(qū)域不具有堆疊有第一陽極ANOl和絕 緣層IN3的結(jié)構(gòu)。也就是說，第一陽極ANOl和絕緣層IN3可以選擇性地僅形成像素區(qū)域的一 部分。
[0080]例如，可以僅在需要改進(jìn)的光效率和色域的像素區(qū)域中選擇性地形成第一陽極 ANOl和絕緣層IN3。也就是說，可以僅在紅色像素區(qū)域中形成第一陽極ANOl和絕緣層IN3,使 得顯示具有通過介電布拉格反射鏡效應(yīng)而改進(jìn)的光效率和色域的紅色。
[0081 ] 在這種情況下，第一陽極ANOl和第二陽極AN02中的每一個可以具有5:0 A至2000 A 的厚度。在第一陽極ANOl和第二陽極AN02之間插入的絕緣層IN3可以具有】〇〇 A至5000 A的 厚度。
[0082]在第二陽極AN02上形成被構(gòu)造為使第二陽極AN02的一部分暴露的岸BN。在通過岸 BN暴露的第二陽極AN02的一部分上形成有機(jī)發(fā)射層OLE。按覆蓋有機(jī)發(fā)射層OLE的方式在有 機(jī)發(fā)射層OLE上形成陰極CAT。因此，完成了包括第二陽極AN02、有機(jī)發(fā)射層OLE和陰極CAT的 OLED0
[0083]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器具有以下的多模腔結(jié)構(gòu)：在 該多模腔結(jié)構(gòu)中，在上側(cè)產(chǎn)生介電布拉格反射鏡效應(yīng)，并且同時在下側(cè)產(chǎn)生弱腔效應(yīng)。因 此，本發(fā)明的第二實施方式可以提供在防止顏色視角減小的同時具有改進(jìn)的光效率和色域 的OLED顯示器。
[0084]下面參照圖IOA至圖IOJ來詳細(xì)地描述制造根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯 示器的過程。通過制造過程更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器的特 性。圖IOA至圖IOJ是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的OLED顯示器的方法的橫截面 圖。
[0085]參照圖10A，在基板SUB的整個表面上涂覆不透明金屬材料。通過使用第一掩模處 理對金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成遮光層LS。遮光層LS可以被形成為與隨后要描述的TFT的半 導(dǎo)體層(具體為溝道層)交疊。遮光層LS用于保護(hù)氧化物半導(dǎo)體器件免受外部光的影響。通 過在形成有遮光層LS的基板SUB的整個表面上涂覆絕緣材料來形成緩沖層BF。
[0086]參照圖10B，在形成有緩沖層BF的基板SUB的整個表面上涂覆半導(dǎo)體材料。該半導(dǎo) 體材料可以包括諸如銦鎵鋅氧化物(IGZO)這樣的氧化物半導(dǎo)體材料。通過使用第二掩模處 理對半導(dǎo)體材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成半導(dǎo)體層SE。
[0087]參照圖IOC，在形成有半導(dǎo)體層SE的基板SUB的整個表面上連續(xù)地涂覆絕緣材料和 金屬材料。通過使用第三掩模處理同時對絕緣材料和金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成柵絕緣層G