I 以及與柵絕緣層GI交疊的柵極SG和DG。柵極SG和DG可以被形成為與半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域 交疊并且使半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)暴露。半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域被分別限定為開(kāi)關(guān)TFT的溝道 層SA以及驅(qū)動(dòng)TFT的溝道層DA。被暴露的半導(dǎo)體層SE成為與開(kāi)關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極和漏 極接觸的源極區(qū)域SSA和DSA以及漏極區(qū)域SDA和DDA。如果半導(dǎo)體材料是氧化物半導(dǎo)體材 料，則可以使用等離子體處理工藝使源極區(qū)域SSA和DSA以及漏極區(qū)域SDA和DDA導(dǎo)電。
[0088]參照?qǐng)DIOD，通過(guò)在形成有柵極SG和DG的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣材料來(lái)形 成層間絕緣層IN1。通過(guò)使用第四掩模處理對(duì)層間絕緣層INl進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成使半導(dǎo)體層的 源極區(qū)域SSA和DSA暴露的接觸孔SSH和DSH以及使半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域SDA和DDA暴露的接 觸孔SDH和DDH。在這種情況下，也形成使驅(qū)動(dòng)TFT的柵極DG的一部分暴露的柵極接觸孔GH。 [0089]參照?qǐng)D10E，在形成有接觸孔的層間絕緣層INl上連續(xù)地涂覆透明導(dǎo)電材料和金屬 材料。該透明導(dǎo)電材料可以是諸如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦錫鋅氧化物這樣的材料。通 過(guò)使用第五掩模處理對(duì)透明導(dǎo)電材料和金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成開(kāi)關(guān)TFT ST的源極SS和 漏極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT DT的源極DS和漏極DD。在發(fā)光區(qū)域AA中形成僅由透明導(dǎo)電材料制成的 第一存儲(chǔ)電容器電極SG1。在這種情況下，第一存儲(chǔ)電容器電極SGl電連接到開(kāi)關(guān)TFT的漏極 SD。此外，開(kāi)關(guān)TFT的漏極SD連接到驅(qū)動(dòng)TFT的柵極DG。
[0090] 使用半色調(diào)掩模來(lái)執(zhí)行第五掩模處理。使用半色調(diào)掩模，開(kāi)關(guān)TFT ST的源極SS和 漏極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT DT的源極DS和漏極DD中的每一個(gè)由包括透明導(dǎo)電材料ITO和金屬材料 ME的雙層形成，并且第一存儲(chǔ)電容器電極SGl由包括透明導(dǎo)電材料ITO的單層形成。TFT ST 和DT的源極SS、DS和漏極SD、DD可以由包括透明導(dǎo)電材料ITO的單層形成，但是考慮到透明 導(dǎo)電材料ITO的高的薄層電阻，TFT ST、DT的源極SS、DS和漏極SD、DD可以由已經(jīng)堆疊有透明 導(dǎo)電材料ITO和金屬材料ME的雙層形成。
[0091] 參照?qǐng)D10F，通過(guò)在形成有TFT ST和DT的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣材料來(lái)形 成鈍化層IN2。接下來(lái)，在鈍化層IN2上涂覆透明導(dǎo)電材料。通過(guò)使用第六掩模處理對(duì)透明導(dǎo) 電材料進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成第二存儲(chǔ)電容器電極SG2。第二存儲(chǔ)電容器電極SG2被形成為與第一 存儲(chǔ)電容器電極SGl交疊。
[0092] 在這種情況下，第一存儲(chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2被形成為在發(fā) 光區(qū)域AA中彼此與在第一存儲(chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2之間插入的鈍化 層IN2交疊。在第一存儲(chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2交疊的區(qū)域中形成存儲(chǔ) 電容器STG。因此，在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示器中，因?yàn)榇鎯?chǔ)電容器電極SGl 和SG2由透明導(dǎo)電材料制成，所以能夠在不減小孔徑比的情況下在整個(gè)發(fā)光區(qū)域AA中形成 存儲(chǔ)電容器電極SGl和SG2。因此，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示器能夠確保足夠 的存儲(chǔ)電容器STG，因?yàn)槟軌蛐纬删哂袑挼拿娣e的存儲(chǔ)電容器STG。
[0093] 此外，因?yàn)樵诘谝淮鎯?chǔ)電容器電極SGl與第二存儲(chǔ)電容器電極SG2之間產(chǎn)生光的相 長(zhǎng)干涉和/或相消干涉，所以根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示器能夠提高發(fā)射效率。 也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示器中，第一存儲(chǔ)電容器電極SGl、鈍化 層IN2和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2順序地堆疊。第一存儲(chǔ)電容器電極SGl、鈍化層IN2和第二 存儲(chǔ)電容器電極SG2中的至少任何一個(gè)的折射率與第一存儲(chǔ)電容器電極SGl、鈍化層IN2和 第二存儲(chǔ)電容器電極SG2中的另一個(gè)的折射率不同。因此，能夠通過(guò)根據(jù)層之間的共振的光 放大現(xiàn)象(弱腔)來(lái)改進(jìn)發(fā)射效率和色域。
[0094]參照?qǐng)D10G，在形成有第二存儲(chǔ)電容器電極SG2的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆紅色 顏料、綠色顏料和藍(lán)色顏料。通過(guò)使用相應(yīng)的第七掩模處理、第八掩模處理和第九掩模處理 順序地對(duì)紅色顏料、綠色顏料和藍(lán)色顏料進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)順序地形成紅色濾色器CF、綠色濾色 器CF和藍(lán)色濾色器CF。在要分別顯示紅色、綠色和藍(lán)色的像素區(qū)域中選擇性地形成紅色濾 色器CF、綠色濾色器CF和藍(lán)色濾色器CF。在這種情況下，紅色濾色器CF和/或藍(lán)色濾色器CF 可以被延伸并形成為使得它們覆蓋像素區(qū)域的TFT ST和DT。
[0095]參照?qǐng)D10H，通過(guò)在形成有濾色器CF的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣材料來(lái)形成 覆蓋層0C。通過(guò)使用第十掩模處理對(duì)覆蓋層OC進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成使鈍化層IN2的一部分暴露 的像素接觸孔PH。在這種情況下，雖然未在橫截面圖中示出，但是與像素接觸孔PH-起形成 使第二存儲(chǔ)電容器電極SG2的一部分暴露的存儲(chǔ)電容器接觸孔SGH(參照?qǐng)D8)。
[0096]參照?qǐng)D101，在形成有像素接觸孔PH的覆蓋層OC上連續(xù)地涂覆透明導(dǎo)電材料和絕 緣材料。該絕緣材料可以包括諸如二氧化娃(Si 〇2 )、娃氮化物(S iNx)或氮氧化娃(Si ON)這樣 的無(wú)機(jī)絕緣材料，但是本發(fā)明不限于此。例如，絕緣材料可以包括通過(guò)使用S iH4、NH3、N2〇或 N2氣體的CVD工藝而形成的所有類(lèi)型的絕緣材料。通過(guò)使用第十一掩模處理對(duì)透明導(dǎo)電材 料和絕緣材料進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成第一陽(yáng)極ANOl、絕緣層IN3以及使驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極DD的一 部分暴露的像素接觸孔PH。第一陽(yáng)極ANOl和絕緣層IN3被形成為與發(fā)光區(qū)域AA交疊。
[0097] 可以通過(guò)兩次蝕刻處理來(lái)執(zhí)行第十一掩模處理。通過(guò)使用主濕蝕刻處理對(duì)透明導(dǎo) 電材料和絕緣材料進(jìn)行構(gòu)圖，來(lái)使第一陽(yáng)極ANOl和絕緣層IN3形成為與發(fā)光區(qū)域AA交疊。在 這種情況下，部分地蝕刻（即，半蝕刻)通過(guò)覆蓋層OC暴露的鈍化層IN2的一部分(參照?qǐng)D101 的①）。接下來(lái)，通過(guò)輔干蝕刻處理使像素接觸孔PH形成為使驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極DD的一部分 暴露（參照?qǐng)D101的②）。在一些實(shí)施方式中，可以通過(guò)單個(gè)濕蝕刻處理來(lái)形成第一陽(yáng)極 ANOl、絕緣層IN3以及使驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極DD的一部分暴露的像素接觸孔PH。在這種情況 下，可能存在以下的問(wèn)題：由于歸因于濕蝕刻的底切(undercut)而導(dǎo)致過(guò)寬地形成像素接 觸孔PH并且漏極DD下面的不必要的部分被蝕刻。因此，可以通過(guò)兩次蝕刻處理來(lái)執(zhí)行第十 一掩模處理。
[0098] 在附圖中，已經(jīng)例示了形成有一對(duì)第一陽(yáng)極ANOl和絕緣層IN3的結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施 方式中，可以堆疊并且形成一對(duì)或更多對(duì)第一陽(yáng)極ANOl和絕緣層IN3。此外，可以在像素區(qū) 域的一部分中選擇性地形成第一陽(yáng)極ANOl和絕緣層IN3。也就是說(shuō)，可以在需要改進(jìn)光效率 和色域的像素區(qū)域中選擇性地形成第一陽(yáng)極ANOl和絕緣層IN3。
[0099]參照?qǐng)D10J，在形成有像素接觸孔PH和絕緣層IN3的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆透 明導(dǎo)電材料。通過(guò)使用第十二掩模處理對(duì)透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成第二陽(yáng)極AN02。第 二陽(yáng)極AN02通過(guò)像素接觸孔PH與驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極DD接觸。在這種情況下，第二陽(yáng)極AN02 還可以與第一陽(yáng)極ANOl接觸。此外，雖然未在橫截面圖中示出，但是第二陽(yáng)極AN02通過(guò)存儲(chǔ) 電容器接觸孔SGH與第二存儲(chǔ)電容器電極SG2接觸(參照?qǐng)D8)。因此，驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極DD、 第二陽(yáng)極AN02和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2電連接。
[0100]在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示器中，因?yàn)橛删哂胁煌凵渎实牟牧现?成的兩個(gè)或更多個(gè)層交替地堆疊，所以產(chǎn)生介電布拉格反射鏡效應(yīng)。也就是說(shuō)，本發(fā)明的第 二實(shí)施方式可以提供以下的OLED顯示器:在該OLED顯示器中，因?yàn)榫哂胁煌恼凵渎实牡?一陽(yáng)極ANOl、絕緣層IN3和第二陽(yáng)極AN02順序地堆疊，所以在第一陽(yáng)極ANOl、絕緣層IN3和第 二陽(yáng)極AN02之間產(chǎn)生相長(zhǎng)干涉和相消干涉，并由此改進(jìn)了光效率和色域。此外，與歸因于微 腔的共振效應(yīng)不同，因?yàn)槭褂昧私殡姴祭穹瓷溏R效應(yīng)，所以本發(fā)明的第二實(shí)施方式可以 提供在提高光效率的同時(shí)不減小顏色視角的OLED顯示器。例如，第一陽(yáng)極ANOl和第二陽(yáng)極 A02可以由折射率為2.0的ITO制成，并且絕緣層IN3可以由折射率為1.5的SiO2制成?？梢匀?上所述地通過(guò)在相鄰的層之間堆疊具有不同的折射率的材料來(lái)產(chǎn)生介電布拉格反射鏡效 應(yīng)。
[0101 ]接下來(lái)，返回參照?qǐng)D9，在形成有第二陽(yáng)極AN02的基板SUB的整個(gè)表面上涂覆絕緣 材料。通過(guò)對(duì)絕緣材料進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成岸BN。岸BN限定了將實(shí)際上成為發(fā)光區(qū)域AA的開(kāi)口 區(qū)域，并且可以具有使屬于第二陽(yáng)極AN02并將發(fā)出光的區(qū)域敞開(kāi)的形狀。有機(jī)發(fā)射層OLE被 形成為覆蓋通過(guò)岸BN敞開(kāi)的第二陽(yáng)極AN02。在包括有機(jī)發(fā)射層OLE的基板SUB的整個(gè)表面上 形成陰極CAT。因此，完成了包括第二陽(yáng)極AN02、有機(jī)發(fā)射層OLE和陰極CAT的OLED。
[0102]因?yàn)榈谝淮鎯?chǔ)電容器電極SGl和第二存儲(chǔ)電容器電極SG2可以被形成為在不減小 發(fā)光區(qū)域AA中的孔徑比的情況下具有寬的面積，所以根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯 示器能夠確保足夠的存儲(chǔ)電容器STG。結(jié)果，如果TFT DT處于斷開(kāi)狀態(tài)，則OLED顯示器能夠 使用在充分確保的存儲(chǔ)電容器STG中填充的電荷而保持像素?cái)?shù)據(jù)直到下一周期。
[0103]此外，因?yàn)樵谏蟼?cè)產(chǎn)生介電布拉格反射鏡效應(yīng)并且同時(shí)在下側(cè)產(chǎn)生弱腔效應(yīng)，所 以根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式可以提供在防止顏色視角減小的同時(shí)具有改進(jìn)的光效率和 色域的OLED顯示器。
[0104]下面通過(guò)光譜分析實(shí)驗(yàn)的結(jié)果來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED顯示器的效 果。圖IlA是例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的效果。圖IlB是例示了根據(jù)本發(fā)明的第二 實(shí)施方式的效果。在圖IlA和圖IlB中，橫軸表示可見(jiàn)射線(xiàn)區(qū)域的波長(zhǎng)，并且縱軸表示光強(qiáng) 度。此外，在曲線(xiàn)圖中，細(xì)線(xiàn)100示出了根據(jù)傳統(tǒng)OLED顯示器的不包括第一存儲(chǔ)電容器電極/ 鈍化層/第二存儲(chǔ)電容器電極結(jié)構(gòu)和第一陽(yáng)極/絕緣層/第二陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的OLED顯示器中的光 譜的分布。
[0105] 在圖IlA中，粗線(xiàn)200示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的具有第一存儲(chǔ)電容器電 極/鈍化層/第二存儲(chǔ)電容器電極結(jié)構(gòu)的OLED顯示器中的光譜的分布。參照?qǐng)D11A，粗線(xiàn)200 所占據(jù)的總面