復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]B⑶(Bipolar-CMOS-DMOS)技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù)。這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作二極管(Bipolar )、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(CMOS)和雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(DM0S)器件，因此簡(jiǎn)稱為B⑶技術(shù)。
[0003]高壓BCD技術(shù)一般是指器件耐壓在100V以上的BCD技術(shù)，高壓BCD技術(shù)目前廣泛應(yīng)用在AC-DC電源、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，通常要求功率器件的耐壓達(dá)到500V到800V不等。
[0004]LDM0S(lateral double diffus1n M0S)器件和LIGBT(Lateral Insulated GateBipolar)器件都屬于高壓橫向半導(dǎo)體器件，在AC交流應(yīng)用中一般作為后續(xù)模塊的驅(qū)動(dòng)器件。通常，LDM0S器件和LIGBT器件的所有電極都在器件表面，便于和低壓電路部分集成設(shè)
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[0005]RESURF(Reduce Surface Field)技術(shù)是應(yīng)用于高壓橫向半導(dǎo)體器件的一種技術(shù)，此技術(shù)可以獲得耐壓和導(dǎo)通電阻之間很好的平衡和優(yōu)化。
[0006]D.R.Disney等在2001年提出了一種具有雙導(dǎo)電通道的LDM0S器件，此器件結(jié)構(gòu)后來(lái)又被稱為“Tr i p 1 e Re surf結(jié)構(gòu)”。但是，此結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是:此結(jié)構(gòu)的P型埋層電位浮空，使得器件在擊穿時(shí)P埋層沒有耗盡，靠近鳥嘴的電場(chǎng)變大，從而降低了器件的可靠性。
[0007]S.H.Lee等在2008年提出了一種Triple Resurf結(jié)構(gòu)的源指頭尖倒角優(yōu)化方案，可以在盡量小的損失導(dǎo)通效率下，減小器件的面積。但是此結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)如下:一是p埋層仍然是浮空結(jié)構(gòu)，其缺點(diǎn)如上述D.R.Disney等提出的器件結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，二是源指頭尖倒角技術(shù)需要使用輕摻雜的額外掩模板，這增加了制造成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件，有利于提高器件的可靠性。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件，所述復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件的版圖包括沿直線排布的直邊部分，所述直邊部分設(shè)置有增強(qiáng)型器件，在所述直邊部分的剖面方向上，所述增強(qiáng)型器件包括:
[0010]半導(dǎo)體襯底；
[0011]并列地位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一高壓阱和第二高壓阱，所述第一高壓阱和第二高壓阱具有第一摻雜類型；
[0012]第一場(chǎng)氧化層，位于所述第一高壓阱內(nèi)；
[0013]第一漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述第一場(chǎng)氧化層第一側(cè)的第一高壓阱內(nèi)，所述第一漏極歐姆接觸區(qū)具有第一摻雜類型或第二摻雜類型，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；
[0014]第一源極歐姆接觸區(qū)，位于所述第二高壓阱內(nèi)，所述第一源極歐姆接觸區(qū)具有第一摻雜類型；
[0015]第一柵極，至少覆蓋所述第一源極歐姆接觸區(qū)和所述第一場(chǎng)氧化層第二側(cè)之間的半導(dǎo)體襯底，所述第一場(chǎng)氧化層的第一側(cè)遠(yuǎn)離所述第二高壓阱，所述第一場(chǎng)氧化層的第二側(cè)靠近所述第二高壓阱。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述第二高壓阱的摻雜濃度小于所述第一高壓阱的摻雜濃度。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，在所述直邊部分的剖面方向上，所述增強(qiáng)型器件還包括:第一低壓阱，位于所述第二高壓阱內(nèi)，所述第一低壓阱具有第二摻雜類型，所述第一源極歐姆接觸區(qū)位于所述第一低壓阱內(nèi)。
[0018]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，在所述直邊部分的剖面方向上，所述增強(qiáng)型器件還包括:
[0019]第二摻雜類型的第一埋層，位于所述第一高壓阱內(nèi)；
[0020]第二摻雜類型的第二埋層，位于所述第一低壓阱下方的第二高壓阱內(nèi)。
[0021]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述直邊部分包括多個(gè)直邊導(dǎo)電部分和多個(gè)直邊連接部分，所述直邊導(dǎo)電部分和直邊連接部分相互間隔，其中，
[0022]在所述直邊導(dǎo)電部分內(nèi)，所述第一埋層和第二埋層之間存在間隔；
[0023]在所述直邊連接部分內(nèi)，所述第一埋層和第二埋層相接。
[0024]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一低壓阱內(nèi)還具有體接觸區(qū)，所述直邊連接部分內(nèi)的第一埋層和第二埋層通過(guò)所述體接觸區(qū)連接至地電位。
[0025]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一柵極僅在所述直邊連接部分內(nèi)通過(guò)互連線引出，而在所述直邊導(dǎo)電部分內(nèi)不引出。
[0026]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一埋層和/或第二埋層為線性變摻雜結(jié)構(gòu)。
[0027]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一高壓阱的深度大于所述第二高壓阱的深度。
[0028]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓半導(dǎo)體器件的版圖還包括彎曲排布的漏指頭尖倒角部分，所述漏指頭尖倒角部分與所述直邊部分相接，所述漏指頭尖倒角部分設(shè)置有耗盡型器件。
[0029]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，在所述漏指頭尖倒角部分的剖面方向上，所述耗盡型器件包括:
[°03°]所述半導(dǎo)體襯底；
[0031]并列地位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第三高壓阱和第四高壓阱，所述第三高壓阱和第四高壓阱具有第一摻雜類型；
[0032]第二場(chǎng)氧化層，位于所述第三高壓阱內(nèi)；
[0033]第二漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述第二場(chǎng)氧化層第一側(cè)的第三高壓阱內(nèi)，所述第二漏極歐姆接觸區(qū)具有第一摻雜類型，所述第二場(chǎng)氧化層的第一側(cè)為遠(yuǎn)離所述第四高壓阱的一側(cè)；
[0034]第二低壓阱，位于所述第四高壓阱內(nèi)，所述第二低壓阱具有第二摻雜類型，所述第二低壓阱作為JFET器件的柵極；
[0035]第三低壓阱，與所述第二低壓阱并列地位于所述第四高壓阱內(nèi)，所述第三低壓阱具有第一摻雜類型；
[0036]JFET歐姆接觸區(qū)，位于所述第三低壓阱內(nèi)，所述JFET歐姆接觸區(qū)作為所述JFET器件的源極；
[0037]其中，所述第四高壓阱的摻雜濃度小于所述第三高壓阱的摻雜濃度。
[0038]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，在所述漏指頭尖倒角部分的剖面方向上，所述耗盡型器件還包括:
[0039]第二摻雜類型的第三埋層，位于所述第三高壓阱內(nèi)；
[0040]第二摻雜類型的第四埋層，位于所述第二低壓阱下方的第四高壓阱內(nèi)。
[0041]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述增強(qiáng)型器件和耗盡型器件共用漏極。
[0042]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第三高壓阱的深度大于所述第四高壓阱的深度。
[0043]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述高壓半導(dǎo)體器件的版圖還包括彎曲排布的源指頭尖倒角部分，所述源指頭尖倒角部分與所述直邊部分相接，所述源指頭尖倒角部分設(shè)置有增強(qiáng)型器件，在所述源指頭尖倒角部分的剖面方向上，所述增強(qiáng)型器件包括:
[0044]所述半導(dǎo)體襯底；
[0045]位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第五高壓阱，所述第五高壓阱具有第一摻雜類型，所述第五高壓阱包括相接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的摻雜濃度小于第一區(qū)域的摻雜濃度；
[0046]第三場(chǎng)氧化層，位于所述第五高壓阱內(nèi)；
[0047]第四低壓阱，與所述第五高壓阱并列地位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；
[0048]第三漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述第一場(chǎng)氧化層第一側(cè)的第五高壓阱的第一區(qū)域內(nèi)，所述第三漏極歐姆接觸區(qū)具有第一摻雜類型或第二摻雜類型；