[0049]第二源極歐姆接觸區(qū)，位于所述第四低壓阱內，所述第二源極歐姆接觸區(qū)具有第一摻雜類型；
[0050]第二柵極，至少覆蓋所述第二源極歐姆接觸區(qū)和所述第三場氧化層第二側之間的半導體襯底，所述第三場氧化層的第一側遠離所述第四低壓阱，所述第三場氧化層的第二側靠近所述第四低壓阱。
[0051]根據(jù)本實用新型的一個實施例，在所述源指頭尖倒角部分的剖面方向上，所述增強型器件還包括:
[0052]第二摻雜類型的第五埋層，位于所述第五高壓阱的第一區(qū)域內；
[0053]第二摻雜類型的第六埋層，位于所述第四低壓阱下方的半導體襯底內。
[0054]根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述第一區(qū)域的深度大于所述第二區(qū)域的深度。
[0055]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下優(yōu)點:
[0056]本實用新型實施例的復合高壓半導體器件中，位于直邊部分的增強型器件中，位于源端的第二高壓阱的摻雜濃度小于漂移區(qū)部分的第一高壓阱的摻雜濃度，從而可以獲得有效的低壓阱浮空電位，可以防止擊穿或泄漏電流流入半導體襯底導致的可靠性問題，有利于保護源端，從而有利于提高整個器件的可靠性。
[0057]進一步地，本實用新型實施例的復合高壓半導體器件中，位于直邊部分的增強型器件中，位于漂移區(qū)部分的第一高壓阱以及第一高壓阱中的第一埋層共同形成“TripleResurf”結構，從而使得器件具有高耐壓、低導通電阻等優(yōu)良特性。此外，位于第二高壓阱內的第二埋層位于低壓阱下方，一方面增大了低壓阱的結深，從而減小了源端鳥嘴部分的電場，另一方面減小了低壓阱的寄生電阻，從而提高了器件的安全工作區(qū)和可靠性。
[0058]另外，本實用新型實施例的復合高壓半導體器件中，直邊部分包括相互間隔的直邊導電部分和直邊連接部分，在直邊連接部分內，第一埋層和第二埋層相互連接(優(yōu)選為連接至地電位)，而在直邊導電部分內，第一埋層和第二埋層之間存在間隔，也即二者彼此隔離，采用這樣的方式，使得整個器件中的第一埋層和第二埋層電連接，從而使得器件在擊穿時能足夠耗盡而且可以保護鳥嘴結構的可靠性。此外，柵極可以僅在直邊連接部分內通過互連線引出，一方面可以保證互連線的導電能力，減小或避免大電流時的電迀移等現(xiàn)象導致的可靠性問題，另一方面可以減小動態(tài)信號的延遲帶來的可靠性問題。
【附圖說明】
[0059]圖1是根據(jù)本實用新型第一實施例的復合高壓半導體器件的版圖示意圖；
[0060]圖2是圖1沿AA’方向的剖面結構示意圖；
[0061]圖3A和圖3B示出了根據(jù)本實用新型第一實施例的復合高壓半導體器件的第一高壓阱和第二高壓阱的形成過程；
[0062]圖4是圖1沿AA”方向的剖面結構示意圖；
[0063]圖5是圖1沿BB’方向的剖面結構示意圖；
[0064]圖6是圖1沿CC’方向的剖面結構示意圖；
[0065]圖7是根據(jù)本實用新型第二實施例的復合高壓半導體器件的直邊導電部分的剖面結構示意圖；
[0066]圖8是根據(jù)本實用新型第三實施例的復合高壓半導體器件的直邊導電部分的剖面結構示意圖；
[0067]圖9是根據(jù)本實用新型第四實施例的復合高壓半導體器件的直邊導電部分的剖面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0068]下面結合具體實施例和附圖對本實用新型作進一步說明，但不應以此限制本實用新型的保護范圍。
[0069]第一實施例
[0070]參考圖1，圖1示出了該復合高壓半導體器件的版圖結構，包括直邊部分101、漏指頭尖倒角部分102和源指頭尖倒角部分103，漏指頭尖倒角部分102、源指頭尖倒角部分103分別與直邊部分101連接。其中，直邊部分101沿直線排布;漏指頭尖倒角部分102和源指頭尖倒角部分103彎曲排布，例如，二者可以具有適當?shù)牡菇切螤?。其中，直邊部?01包括相互間隔的多個直邊導電部分和多個直邊連接部分，剖面線AA’所處的區(qū)域為其中一個直邊導電部分，剖面線AA”所處的區(qū)域為其中一個直邊連接部分。剖面線BB’處于源指頭尖倒角部分102，剖面線CC’處于漏指頭尖倒角部分103。
[0071]此外，在該版圖上分布有復合高壓半導體器件的漏極11、柵極12、源極13以及地電極10等。
[0072]該復合高壓半導體器件中集成有增強型器件和耗盡型器件，增強型器件可以位于直邊部分101和源指頭尖倒角部分103，耗盡型器件可以位于漏指頭尖倒角部分102。
[0073]其中，增強型器件例如可以是LDM0S器件或LIGBT器件，但并不限于此;耗盡型器件可以是JFET器件但并不限于此。增強型器件和耗盡型器件可以共用漏極11，使得版圖更加緊湊，從而有利于減小芯片面積。
[0074]本領域技術人員應當理解，在AC交流應用中，驅動電路的工作通常需要一個啟動電路。在此啟動電路中，傳統(tǒng)的啟動電路是從整流橋輸出端直接串聯(lián)一個大電阻，整流橋通過該大電阻給旁路電容充電，直到啟動電路開始工作。這種方式的缺點是:驅動電路正常工作后，啟動電阻上仍然要浪費一定的功耗，且外圍方案中需要增加一個電阻元件，增加的整機的成本。采用本實施例的復合高壓半導體器件，增強型器件可以作為驅動器件，耗盡型器件可以作為啟動電路中的高壓啟動器件，有利于簡化電路，降低成本。
[0075]參考圖2，圖2示出了直邊導電部分沿AA’的剖面結構。作為一個非限制性的例子，此處集成的增強型器件為N型的LDM0S器件，該LDM0S器件包括:P型摻雜的半導體襯底1;N型摻雜的高壓阱2A和高壓阱2B，并列地位于半導體襯底1內，優(yōu)選地，高壓阱2A和高壓阱2B的邊界相接;P型摻雜的低壓阱3，位于高壓阱2B內；場氧化層6，位于高壓阱2A內；N型摻雜的漏極歐姆接觸區(qū)8B，位于場氧化層6第一側的高壓阱2A內，場氧化層6的第一側為遠離高壓阱2B的一側;N型摻雜的源極歐姆接觸區(qū)8A和P型摻雜的體接觸區(qū)9A，位于低壓阱3內；柵極7，至少覆蓋源極歐姆接觸區(qū)8A和場氧化層6第二側之間的半導體襯底1，場氧化層6的第二側靠近高壓阱2B;互連線10，分別與漏極歐姆接觸區(qū)8B和源極歐姆接觸區(qū)8A電連接。高壓阱2A和高壓阱2B中可以分別形成有P型摻雜的埋層5A和埋層5B。其中，埋層5B位于低壓阱3的下方，更加優(yōu)選地，埋層5B可以和低壓阱3的底部相接。
[0076]此外，與高壓阱2A、2B并列地，半導體襯底內還形成有另一P型摻雜的低壓阱3’，該低壓阱3’中形成有地電位接觸區(qū)9B。
[0077]高壓阱2A內的埋層5A和高壓阱2A形成“TripleResurf”結構，從而使得器件可以獲得高耐壓、低導通電阻等優(yōu)良特性;位于高壓阱2B中的埋層5B位于低壓阱3下方，一方面可以增大低壓阱3的結深從而減小源端鳥嘴部分的電場，另一方面可以減小低壓阱3的寄生電阻，從而提高器件的安全工作區(qū)和可靠性
[0078]更具體而言，柵極7可以包括柵介質層以及位于柵介質層上的柵電極，其中，柵介質層的材料可以是氧化硅，柵電極的材料可以是多晶硅。柵極7可以延伸至覆蓋場氧化層6的一部分，形成柵極場板結構?；ミB線10的材料可以是鋁或者其他導電金屬材料?；ミB線10的一部分也可以延伸至覆蓋場氧化層6的一部分，用作金屬場板，以優(yōu)化器件表面電場，提高器件耐壓。
[0079]高壓阱2B的摻雜濃度小于高壓阱2A的摻雜濃度。更優(yōu)選地，高壓阱2B的深度小于高壓阱2A的深度。采用這樣的結構，可以獲得有效的低壓阱3的浮空電位，防止擊穿或泄露電流流入半導體襯底導致的整個器件的可靠性問題。
[0080]高壓阱2A和高壓阱2B可以采用線性變摻雜的