方式形成。參考圖3A和圖3B，在進行離子注入時，掩膜300(例如可以是圖形化后的光刻膠)在高壓阱2A的區(qū)域為較大的單個窗口，而在高壓阱2B的區(qū)域則具有多個較小的窗口，較小的窗口具有寬度w和間距d，寬度w和間距d都可調(diào)。采用這樣的方式，高壓阱2B區(qū)域內(nèi)的有效劑量小于高壓阱2A區(qū)域內(nèi)的有效劑量，使得注入推結(jié)完成后形成的高壓阱2A的摻雜濃度大于高壓阱2B的摻雜濃度，高壓阱2A的深度也大于高壓阱2B的深度。
[0081]上述線性變摻雜的方式可以使用單個掩膜采用一步離子注入形成高壓阱2A和高壓阱2B。需要說明的是，也可以使用多個掩膜和/或多步離子注入來形成高壓阱2A和高壓阱2B。
[0082]參考圖4，圖4示出了直邊連接部分沿AA”的剖面結(jié)構(gòu)。直邊連接部分的剖面結(jié)構(gòu)與圖2所示的直邊導(dǎo)電部分的剖面結(jié)構(gòu)基本相同，區(qū)別主要在于:高壓阱2A中的埋層5A與高壓阱2B中的埋層5B相接，優(yōu)選地，可以通過體接觸區(qū)9A連接至地電位;源端的柵極7經(jīng)由互連線10引出。
[0083]其中，埋層5A和埋層5B相接，可以使得埋層5A和埋層5B在整個器件中存在電連接，從而使得擊穿時可以足夠耗盡，且有利于保護鳥嘴結(jié)構(gòu)的可靠性。需要注意的是，因為埋層5A和埋層5B相接，使得高壓阱2A位于埋層5A下方的部分導(dǎo)電路徑被隔斷，因此，本實施例中的直邊連接部分和直邊導(dǎo)電部分相互間隔。換言之，每隔適當(dāng)?shù)木嚯x(例如ΙΟΟμπι?300μπι)，埋層5Α和埋層5Β相接。
[0084]源端的柵極7經(jīng)由互連線10引出，一方面可以保證互連線10的導(dǎo)電能力，減小大電流時的電迀移等現(xiàn)象帶來的可靠性問題；另一方面，柵極7每隔適當(dāng)?shù)木嚯x(例如ΙΟΟμπι?300μπι)被引出，可以減小動態(tài)信號的延遲帶來的可靠性問題。
[0085]參考圖5，圖5示出了漏指頭尖倒角部分的耗盡型器件的剖面結(jié)構(gòu)，作為一個非限制性的例子，該耗盡型器件為JFET器件。該JFET器件包括:Ρ型摻雜的半導(dǎo)體襯底1 ； Ν型摻雜的高壓阱2Α和高壓阱2Β，并列地位于半導(dǎo)體襯底1內(nèi)，優(yōu)選地，高壓阱2Α和高壓阱2Β的邊界相接;Ρ型摻雜的低壓阱3，位于高壓阱2Β內(nèi)；場氧化層6，位于高壓阱2Α內(nèi)；Ν型摻雜的漏極歐姆接觸區(qū)8Β，位于場氧化層6第一側(cè)的高壓阱2Α內(nèi)，場氧化層6的第一側(cè)為遠離高壓阱2Β的一側(cè);Ν型摻雜的源極歐姆接觸區(qū)8Α和Ρ型摻雜的體接觸區(qū)9Α，位于低壓阱3內(nèi)；柵極7，至少覆蓋源極歐姆接觸區(qū)8Α和場氧化層6第二側(cè)之間的半導(dǎo)體襯底1，場氧化層6的第二側(cè)靠近高壓阱2Β;互連線10，分別與漏極歐姆接觸區(qū)8Β和源極歐姆接觸區(qū)8Α電連接;Ν型摻雜的低壓阱4，與低壓阱3并列地位于高壓阱2Β內(nèi)；JFET歐姆接觸區(qū)8C，位于低壓阱4內(nèi)。高壓阱2Α和高壓阱2Β中可以分別形成有Ρ型摻雜的埋層5Α和埋層5Β。其中，埋層5Β位于低壓阱3的下方，更加優(yōu)選地，埋層5Β可以和低壓阱3的底部相接。
[0086]此外，與高壓阱2Α、2Β并列地，半導(dǎo)體襯底內(nèi)還形成有另一Ρ型摻雜的低壓阱3’，該低壓阱3’中形成有地電位接觸區(qū)9Β。
[0087]需要說明的是，在上述JFET器件中，源極歐姆接觸區(qū)8Α和體接觸區(qū)9Α為偽電極接觸區(qū)。實際上，漏極歐姆接觸區(qū)8Β作為JFET器件的漏端電極接觸區(qū)，高壓阱2Α、2Β作為JFET器件的漂移區(qū)，低壓阱4和JFET歐姆接觸區(qū)作為JFET器件的源端歐姆接觸區(qū)，低壓阱3和埋層5作為JFET器件的柵極。
[0088]另外，漏指頭尖倒角部分的JFET器件結(jié)構(gòu)與圖2所示結(jié)構(gòu)的區(qū)別還在于:由于漏指頭尖倒角部分的曲率半徑變小，所以電場會向漏端集中，為了降低漏端電場，相比于圖2所示的直邊導(dǎo)電部分，漏指頭尖倒角部分內(nèi)的JFET器件漂移區(qū)的長度，也即漏極歐姆接觸區(qū)8Β和低壓阱3之間的橫向距離變得更大;此外，漏極場板10的長度(也即，與漏極歐姆接觸區(qū)8B電連接的互連線10的橫向長度)也增大了距離ΛΧ，距離ΛΧ的比例可以根據(jù)實際的器件結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化。
[0089]其中，高壓阱2Β的摻雜濃度小于高壓阱2Α的摻雜濃度，高壓阱2Β的深度也可以小于高壓阱2Α的深度，而且低壓阱3下方具有埋層5Β，使得JFET器件具有較大的開通電流，而且具有較小的關(guān)斷電流。該JFET器件的導(dǎo)通電流和關(guān)斷電壓等參數(shù)例如可以通過圖3Α和圖3Β所示的注入方式進行調(diào)節(jié)，也即，在使用線性變摻雜的方式注入形成高壓阱2Α和高壓阱2Β時，可以通過調(diào)節(jié)高壓阱2Β區(qū)域的窗口寬度w和窗口間距d來調(diào)節(jié)。
[0090]參考圖6，圖6示出了源指頭尖倒角部分的器件剖面結(jié)構(gòu)，包括:P型摻雜的半導(dǎo)體襯底1;N型摻雜的高壓阱2A，高壓阱2A包括相接的第一區(qū)域2A’和第二區(qū)域2A”；場氧化層6，位于高壓阱2A內(nèi)；P型摻雜的低壓阱3，與高壓阱2A并列地位于半導(dǎo)體襯底1內(nèi)；N型摻雜的漏極歐姆接觸區(qū)8B，位于場氧化層6第一側(cè)的高壓阱2A的第一區(qū)域2A’內(nèi)，場氧化層6的第一側(cè)為遠離低壓阱3的一側(cè);N型摻雜的源極歐姆接觸區(qū)8A和P型摻雜的體接觸區(qū)9A，位于低壓阱3內(nèi)；柵極7，至少覆蓋源極歐姆接觸區(qū)8A和場氧化層6第二側(cè)之間的半導(dǎo)體襯底1，場氧化層6的第二側(cè)靠近低壓阱3;互連線10，分別與漏極歐姆接觸區(qū)8B和源極歐姆接觸區(qū)8A電連接。高壓阱2A的第一區(qū)域2A’內(nèi)形成有P型摻雜的埋層5A，低壓阱3下方的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)形成有P型摻雜的埋層5B。優(yōu)選地，埋層5B可以和低壓阱3的底部相接。
[0091]源指頭尖倒角部分的器件結(jié)構(gòu)與圖2所示結(jié)構(gòu)的區(qū)別還在于:在源指頭尖倒角部分，由于曲率半徑變小，電場會向源端集中，為了降低源端電場，與直邊部分相比，器件漂移區(qū)的長度變長，去除了源端的高壓阱2B;漂移區(qū)中的高壓阱向漏端縮小為第一區(qū)域2A’，而靠近源端的部分則為第二區(qū)域2A”。采樣這樣的結(jié)構(gòu)，一方面可以減小器件在源指頭尖倒角部分的曲率效應(yīng)，提高器件耐壓和可靠性;另一方面使得這部分的導(dǎo)電路徑得以保留，從而更加有效地利用芯片面積。
[0092]需要說明的是，在第一實施例中，如圖2、圖4、圖5所示的直邊導(dǎo)電部分、直邊連接部分、漏指頭尖倒角部分，各個部分的高壓阱2A可以在同一工藝步驟或相同的多個工藝步驟中同步形成，類似地，高壓阱2B、場氧化層6、埋層5、低壓阱3、柵極7、漏極歐姆接觸區(qū)8B、源極歐姆接觸區(qū)8A、體接觸區(qū)9A也可以在同一工藝步驟或相同的多個工藝步驟中同步形成。
[0093]第二實施例
[0094]參考圖7，圖7示出了第二實施例的復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件直邊導(dǎo)電部分的剖面結(jié)構(gòu)，也即圖1所示版圖沿AA’方向的剖面結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)與圖2所示的結(jié)構(gòu)基本相同，區(qū)別僅在于各個摻雜區(qū)域的摻雜類型與圖2相反，從而形成P型的LDM0S結(jié)構(gòu)。
[0095]相應(yīng)地，直邊連接部分的結(jié)構(gòu)也與圖4所示相同，僅僅是各個摻雜區(qū)域的摻雜類型相反。對于源指頭尖倒角部分和漏指頭尖倒角部分，其各個摻雜區(qū)域的摻雜類型可以和第一實施例(參見圖5和圖6)相同，也可以相反。
[0096]第三實施例
[0097]參考圖8，圖8示出了第三實施例的復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件直邊導(dǎo)電部分的剖面結(jié)構(gòu)，也即圖1所示版圖沿AA’方向的剖面結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)與圖2所示的結(jié)構(gòu)基本相同，區(qū)別僅在于漏極歐姆接觸區(qū)8B的摻雜類型與圖2所示實施例相反，也即為P型摻雜，其他摻雜區(qū)域的摻雜類型與圖2所示實施例相同，從而形成了LIGBT器件。
[0098]相應(yīng)地，直邊連接部分的結(jié)構(gòu)也與圖4所示相同，僅僅是漏極歐姆接觸區(qū)8B的摻雜類型相反。對于源指頭尖倒角部分和漏指頭尖倒角部分，其各個摻雜區(qū)域的摻雜類型可以和第一實施例(參見圖5和圖6)相同，或者按照器件類型的需要取適當(dāng)?shù)膿诫s類型。
[0099]第四實施例