夠使玻璃漿料146確實地收縮，因此，能夠使粒狀導電體145的上端部和下端 部易于露出。因此，無需經(jīng)過追加的工序等而能夠形成作為粒狀導電體145的接點的部位。
[0180] 從而，本實施方式涉及的振子1，頻率特性難以發(fā)生經(jīng)時性的變化，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定 的輸出。并且，通過本發(fā)明的配線基板的制造方法，能夠高效地制造振子1。
[0181] 在此，在振子1中為了兼顧上述的厚度方向的導電性和氣密性，優(yōu)選在基底120中 使粒狀導電體145的外徑和貫通孔121U22的內(nèi)徑等最佳化。
[0182] 具體而言，如圖4所示，當將粒狀導電體145的最大直徑設(shè)為屯、將貫通孔121、122 的最小直徑設(shè)為(1 2時，優(yōu)選d/七為0. 8以上1以下，更優(yōu)選為0. 85以上0. 97以下。通過 將di/4設(shè)定于所述范圍內(nèi)，僅將一個粒狀導電體145配置于貫通孔121、122內(nèi)變得容易， 同時，由于粒狀導電體145的上端部及下端部易于從密封部144露出，因此，能夠進一步提 高貫通電極143U53的導電性。并且，由于能夠使粒狀導電體145和貫通孔121U22的間 隙的大小最佳化，因此，密封部144的體積適于兼顧其機械強度和氣密性。因此，能夠進一 步提高貫通孔121、122的氣密性。進一步，由于粒狀導電體145和貫通孔121、122的間隙 被最佳化，密封部144的制造過程中的毛細管現(xiàn)象的程度特別地增大，因此，能夠更為確實 地堵塞殘留于貫通孔121U22內(nèi)的通氣路徑，能夠特別地提高貫通孔121U22的氣密性。
[0183] 此外，當di/4低于所述下限值時，與貫通孔121U22的內(nèi)徑相比，粒狀導電體145 的外徑變得過小，因此，粒狀導電體145的上端部及下端部難以從密封部144露出，連接電 極141、151和粒狀導電體145的導電性或外部安裝電極142、152和粒狀導電體145的導電 性有可能下降。另一方面，當d/4高于所述上限值時，與貫通孔121U22的內(nèi)徑相比，粒狀 導電體145的外徑變得過大，粒狀導電體145有可能不能進入貫通孔121、122內(nèi)。
[0184]此外，所謂粒狀導電體145的最大直徑，是指一個粒狀導電體145中能夠取得的最 大的直徑，作為投影像中的最大長度而求得。
[0185] 此外，所謂貫通孔121U22的最小直徑，是指將各貫通孔121U22以正交于其軸線 的面截斷時，在截面中能夠取得的最小的內(nèi)徑。
[0186] 當將粒狀導電體145的最大直徑設(shè)為屯、將貫通孔121U22的最小長度設(shè)為L時， d/L優(yōu)選為0. 8以上1以下，更優(yōu)選為0. 85以上0. 97以下。通過將屯/L設(shè)定于上述范圍 內(nèi)，粒狀導電體145從陶瓷基板125的上面或下面突出的概率變低，因此，基板的表面的平 坦性變高，易于形成連接電極141、151和外部安裝電極142、152。
[0187] 當d/L低于上述下限值時，與貫通孔121U22的長度相比，粒狀導電體145的外 徑變得過小，粒狀導電體145的上端部及下端部難以從密封部144露出，連接電極141U51 和粒狀導電體145的導電性或外部安裝電極142、152和粒狀導電體145的導電性有可能下 降。另一方面，當VL高于上述上限值時，與貫通孔121U22的長度相比，粒狀導電體145 的外徑變得過大，粒狀導電體145有可能從貫通孔121、122露出。
[0188] 此外，所謂貫通孔121、122的最小長度，是指各貫通孔121、122能夠取得的最小的 長度。
[0189] 并且，粒狀導電體145的最大直徑屯，當然地根據(jù)貫通孔121、122的最小直徑d2 設(shè)定，還根據(jù)最小長度L而適當設(shè)定，優(yōu)選20iim以上2000iim以下，更優(yōu)選50iim以上 1000iim以下。
[0190] 當將貫通孔121U22的體積設(shè)為Vi、將粒狀導電體145的體積設(shè)為^時，供給至 貫通孔121、122內(nèi)的玻璃漿料146的體積，優(yōu)選小于Vi-V2，更優(yōu)選小于0. 9X以-V2)。 通過將玻璃漿料146的體積設(shè)定與前述范圍內(nèi)，粒狀導電體145的上端部及下端部易于從 密封部144露出，能夠更加提高連接電極141、151和粒狀導電體145的導電性或外部安裝 電極142、152和粒狀導電體145的導電性。
[0191]此外，玻璃漿料146所包含的玻璃粉末，其構(gòu)成材料只要為作為玻璃材料的粉末， 可以為任何物質(zhì)，優(yōu)選為包含B203及SiO2的玻璃材料，特別是二氧化硅玻璃、硼硅酸鹽玻璃 及磷酸鋅玻璃中的任一種更為優(yōu)選，硼硅酸鹽玻璃更進一步優(yōu)選。這種玻璃材料，與金屬材 料或陶瓷材料的密接性比較高，并且，通氣性低。因此，通過使用包含這種玻璃材料的玻璃 漿料146,能夠得到氣密性高的封裝110。此外，由于熔融時具有流動性，易于產(chǎn)生毛細管現(xiàn) 象帶來的充分的驅(qū)動力，能夠更為確實地閉塞殘留于貫通孔121U22內(nèi)的通氣路徑。
[0192]此外，玻璃粉末中可以包含ZnO、PbO、Li20、Na20、K20、MgO、CaO、SrO、BaO、Bi203、 A1203、Gd203、Y203、La203、Yb203等。
[0193] 當將玻璃基底146所包含的玻璃粉末的平均粒徑設(shè)為d3、將貫通孔121、122的最 小直徑設(shè)為d2時，d3/(12為0. 005以上0. 02以下，更優(yōu)選為0. 007以上0. 015以下。通過 將(13/(12設(shè)定于上述范圍內(nèi)，適當數(shù)量的玻璃粉末能夠進入貫通孔121U22內(nèi)。因此，當煅 燒玻璃漿料146時，玻璃漿料146和玻璃粉末的熔融物通過粒狀導電體145和貫通孔121、 122的間隙而容易滲透，以毛細管現(xiàn)象為驅(qū)動力的通氣路徑的閉塞更為顯著。
[0194] 此外，玻璃粉末的平均粒徑，通過觀察100個玻璃粒子的投影像，通過與該投影像 具有相同面積的圓的直徑（相當于投影面積圓的直徑）的平均值而求得。
[0195] 此外，玻璃漿料146所包含的玻璃粉末（密封部144)的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選為 2X10-7°C以上15X10-7°C以下，粒狀導電體145 (貫通電極143、153)的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選 為4X1(T7°C以上20X1(T7°C以下。通過將玻璃粉末或粒狀導電體145的熱膨脹系數(shù)分別 設(shè)定于上述范圍內(nèi)，即使在基底120上產(chǎn)生溫度變化，在粒狀導電體145和貫通孔121、122 之間也難以產(chǎn)生間隙。由此，能夠抑制溫度變化導致的封裝110的氣密性的下降。
[0196] 此外，該熱膨脹系數(shù)為溫度從30°C至300°C的范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0197] 此外，玻璃粉末的平均粒徑d3優(yōu)選為0. liim以上20iim以下，更優(yōu)選為0. 3 y m以 上10ym以下。當玻璃粉末的平均粒徑d3低于上述下限值時，玻璃粉末易于凝集而難以進 入細小的間隙，當然情況也根據(jù)玻璃粉末的構(gòu)成材料或間隙的大小的不同而不同。另一方 面，當玻璃粉末的平均粒徑d3高于上述上限值時，玻璃粉末難以進入間隙，當然情況也根據(jù) 玻璃粉末的構(gòu)成材料或間隙的大小的不同而不同。
[0198] 此外，玻璃粉末的玻璃轉(zhuǎn)移點，沒有特別的限定，優(yōu)選為250°C以上570°C以下，更 優(yōu)選為300°C以上500°C以下。
[0199] 進一步，玻璃粉末的軟化點也沒有特別的限定，優(yōu)選為300°C以上650°C以下，更 優(yōu)選為330°C以上600°C以下。
[0200] 玻璃粉末的熱特性在上述范圍的話，玻璃熔融時具有充分的流動性，同時，在加熱 時能夠抑制對于粒狀導電體145或陶瓷材料的熱影響，因此，從兼顧貫通電極143、153的導 電性和氣密性的觀點來看是有效的。
[0201]此外，優(yōu)先考慮導電性的情況下，例如將前述的連接電極141、151等的構(gòu)成材料 用于粒狀導電體145的構(gòu)成材料，另一方面，考慮與陶瓷基板125的熱膨脹差的情況下，優(yōu) 選使用Fe-Ni-Co系合金或者Fe-Ni系合金。由于這些合金的熱膨脹系數(shù)與陶瓷材料特別 接近，因此，在粒狀導電體145和貫通孔121U22之間特別地難以產(chǎn)生間隙。因此，例如即 使在熱沖擊施加于振子1的情況下，也能夠繼續(xù)維持貫通電極143、153的導電性和氣密性。 其結(jié)果是，能夠得到即使在嚴苛的環(huán)境下也具有高可靠性的振子1。
[0202] 此外，可以由非導電性的材料構(gòu)成粒狀導電體145的內(nèi)部的一部分。作為非導電 性的材料，可以例舉陶瓷材料、玻璃材料、有機材料、非導電性金屬材料等。
[0203] 此外，可以通過導電性的材料覆蓋粒狀導電體145的表面。作為該導電性的材料， 可以例舉前述的連接電極141U51等的構(gòu)成材料。此外，作為該導電性的材料，通過使用耐 候性優(yōu)異的材料，能夠幾乎不降低粒狀導電體145的導電性而提高耐候性。作為耐候性優(yōu) 異的材料，例如可以例舉金、鉬、鈦、鋁、鎂等的單體或者包含其的化合物或混合物。
[0204] 此外，粒狀導電體145的形狀，只要為粒狀，不一定為正圓球狀。例如，可以為旋轉(zhuǎn) 橢圓體那樣的球狀，或者為將梯形繞將其上底及下底垂直二等分的軸線旋轉(zhuǎn)而成的梯形旋 轉(zhuǎn)體，或者為圓柱、角柱那樣的柱狀體，或者為圓錐、角錐那樣的錐體，或者為各種多面體， 可以為任意的異形體。但是，考慮到毛細管現(xiàn)象發(fā)生的容易性、依存于粒狀導電體145的形 狀的密封部144的形狀、向貫通孔121、122配置粒狀導電體145的容易性等，優(yōu)選為球狀， 更優(yōu)選為近似正圓球狀的形狀。特別是，當玻璃粉末燒結(jié)或熔融固化時會伴隨體積收縮，此 時，以向發(fā)生毛細管現(xiàn)象的區(qū)域聚集的方式而收縮。并且，由于粒狀導電體145形成球狀， 因此，填充有玻璃粉末的粒狀導電體145和貫通孔121U22的內(nèi)壁的間隙的橫截面積，必然 地朝向發(fā)生該毛細管現(xiàn)象的區(qū)域逐漸變小。因此，熔融的玻璃粉末容易從間隙的內(nèi)部順次 地被填充，能夠形成氣密性特別優(yōu)異的密封部144。
[0205] 此外，密封部144根據(jù)貫通孔121U22或粒狀導電體145的形狀而適宜設(shè)定，沒有 特別的限定，優(yōu)選形成環(huán)狀，更優(yōu)選形成圓環(huán)狀。當密封部144形成上述形狀時，在填埋貫 通孔121U22和粒狀導電體145的間隙的同時，使粒狀導電體145的上端部和下端部易于 露出。因此，貫通電極143、153能夠更加確實地兼顧導電性和氣密性。
[0206] 此外，在密封部144形成環(huán)狀的情況下，其軸方向的兩端位于貫通孔121U22的兩 開口部。
[0207] 圖9的（a)為用掃描型電子顯微鏡觀察圖2所示的振子所包括的基底（相當于本 發(fā)明的配線基板的第一實施方式）的樣品截面的觀察圖像的一例，圖9的（b)為示意性示 出從圖9的（a)所示的觀察圖像讀取的各部的圖。
[0208] 如圖9的（a)、圖9的（b)所示，密封部144以填埋貫通孔121和粒狀導電體145的 間隙的方式而設(shè)置，形成軸方向（圖9的（a)、圖9的（b)的上下方向）長的環(huán)狀（筒狀）。
[0209]此外，粒狀導電體145被密封部144包圍的同時，其上端部（一部分）1451從密封 部144露出。
[0210] 進一步，在圖9的（a)、圖9的（b)的密封部144中，其上端成為連接陶瓷基板125 的上面和粒狀導電體145的表面的傾斜面1441。并且，該傾斜面1441和粒狀導電體145的 表面的連接處，相比粒狀導電體145的上端，位于其下方。粒狀導電體145中的位于該連接 處上方的部分，相當于前述的從密封部