(VD
[0253] ?熱膨脹系數(shù)：6. 9Xl〇-6/°C
[0254] 〈球狀導(dǎo)電體的各條件〉
[0255] ?材質(zhì)：銅
[0256] ?最大直徑：200iim
[0257] ?體積：3. 94Xl(T3mm3 (V2)
[0258] ?熱膨脹系數(shù)：16. 7Xl〇-6/°C
[0259] [2]下面，將掩模配置于陶瓷基板的上面，涂布玻璃漿料（液狀組合物）。之后，使 陶瓷基板反轉(zhuǎn)，再次將掩模配置于上面，涂布玻璃漿料。以下，例舉所使用的玻璃漿料的各 條件。
[0260] 〈玻璃漿料的各條件〉
[0261] ?玻璃漿料的構(gòu)成材料：ZnO?B203 ?Si02玻璃
[0262] ?玻璃粉末的熱膨脹系數(shù)：7X10_6/°C
[0263] ?玻璃粉末的平均粒徑：1. 5iim
[0264] ?玻璃漿料的體積：小于V2 -V:
[0265] [3]下面，煅燒涂布有玻璃漿料的陶瓷基板。由此，使玻璃體粒子彼此燒結(jié)，得到密 封部。
[0266] 在此，觀察密封部，確認(rèn)比球狀導(dǎo)電體的頂部凹陷。從而，在陶瓷基板的厚度方向 上，求取凹部的最深部和球狀導(dǎo)電體的頂部的距離（凹部的深度）。
[0267] 〈密封部的各條件〉
[0268] ?凹部的深度：25iim
[0269] [4]然后，將掩模配置于陶瓷基板的上面，涂布導(dǎo)電漿料（Cu漿料）。接著，使陶瓷 基板反轉(zhuǎn)，再次將掩模配置于上面，涂布導(dǎo)電漿料。然后，煅燒涂布的導(dǎo)電漿料，形成電極 等。如上得到具備貫通電極的樣品。
[0270] (實(shí)施例2)
[0271] 除了將球狀導(dǎo)電體的材質(zhì)變更為Fe-Ni合金之外，與實(shí)施例1同樣地得到具備貫 通電極的樣品。此外，球狀導(dǎo)電體的各條件如下所述。
[0272] 〈球狀導(dǎo)電體的各條件〉
[0273] ?材質(zhì)：Fe_Ni合金（42Alloy)
[0274] ?最大直徑：180iim
[0275] ?體積：2. 87Xl(T3mm3
[0276] ?熱膨脹系數(shù)：4. 8X10_3/°C
[0277](實(shí)施例3)
[0278] 除了將玻璃粉末的構(gòu)成材料變更為下述的玻璃之外，與實(shí)施例1同樣地得到具備 貫通電極的樣品。此外，玻璃漿料的各條件如下所述。
[0279]〈玻璃漿料的各條件〉
[0280] ?玻璃粉末的構(gòu)成材料：Si02?B203?Na20 ?A1203玻璃
[0281] ?玻璃粉末的熱膨脹系數(shù)：3X10_3/°C
[0282] ?玻璃粉末的平均粒徑：1. 5iim
[0283](實(shí)施例4~13)
[0284] 除了將陶瓷基板、球狀導(dǎo)電體、凹部及玻璃粉末的條件變更為表1之外，分別與實(shí) 施例1同樣地得到具備貫通電極的樣品。
[0285](實(shí)施例 14)
[0286] 除了將球狀導(dǎo)電體的材質(zhì)變更為Fe-Ni-Co合金之外，與實(shí)施例1同樣地得到具備 貫通電極的樣品。此外，球狀導(dǎo)電體的各條件如下所述。
[0287]〈球狀導(dǎo)電體的各條件〉
[0288] ?材質(zhì)：Fe-Ni-Co合金（科伐合金）
[0289] ?最大直徑：205iim
[0290] ?體積：4. 25Xl(T3mm3
[0291] ?熱膨脹系數(shù)：4. 7X 10_3/°C
[0292](實(shí)施例I5~2〇)
[0293] 除了將陶瓷基板、球狀導(dǎo)電體、凹部及玻璃粉末的條件變更為表1之外，分別與實(shí) 施例1同樣地得到具備貫通電極的樣品。
[0294](實(shí)施例21~24)
[0295] 除了將陶瓷基板、球狀導(dǎo)電體、凹部及玻璃粉末的條件變更為表1之外，分別與實(shí) 施例1同樣地得到具備貫通電極的樣品。
[0296](實(shí)施例 25)
[0297] 除了使用玻璃粉末代替玻璃漿料，進(jìn)行鋪滿玻璃粉末的作業(yè)代替涂布玻璃漿料的 作業(yè)之外，與實(shí)施例1同樣地得到具備貫通電極的樣品。
[0298](實(shí)施例26~28)
[0299] 除了將陶瓷基板、球狀導(dǎo)電體、凹部及玻璃粉末的條件變更為表1之外，分別與實(shí) 施例25同樣地得到具備貫通電極的樣品。
[0300](比較例1)
[0301] 除了代替工序[1]~[3]而經(jīng)過(guò)通過(guò)導(dǎo)電漿料（Cu漿料）填埋貫通孔并煅燒的工 序以外，與實(shí)施例1同樣地得到具備貫通電極的樣品。此外，導(dǎo)電漿料中的Cu粉末的平均 粒徑為2. 5um。
[0302](比較例2)
[0303] 除了將2個(gè)以上的球狀導(dǎo)電體、即與貫通孔的最小直徑相比平均粒徑足夠小的金 屬粉末填入貫通孔內(nèi)并配置以外，與實(shí)施例1同樣地得到具備貫通電極的樣品。所使用的 球狀導(dǎo)電體的各條件列舉如下。
[0304] 〈球狀導(dǎo)電體的各條件〉
[0305] ?材質(zhì)：銅
[0306] ?最大直徑：30iim
[0307] ?體積：1. 33Xl(T5mm3
[0308] ?熱膨脹系數(shù)：16. 7X10_6/°C
[0309] (比較例3)
[0310] 除了將2個(gè)以上的球狀導(dǎo)電體、即與貫通孔的最小直徑相比非常小的金屬粉末填 入貫通孔內(nèi)并配置以外，與實(shí)施例2同樣地得到具備貫通電極的樣品。所使用的球狀導(dǎo)電 體的各條件列舉如下。
[0311] 〈球狀導(dǎo)電體的各條件〉
[0312] ?材質(zhì)：Fe_Ni合金（42Alloy)
[0313] ?最大直徑：40um
[0314] ?體積：3. 15X10W
[0315] ?熱膨脹系數(shù)：4. 8Xl〇-3/°C
[0316] (比較例4)
[0317] 除了將2個(gè)以上的球狀導(dǎo)電體、即與貫通孔的最小直徑相比非常小的金屬粉末填 入貫通孔內(nèi)并配置以外，與實(shí)施例2同樣地得到具備貫通電極的樣品。所使用的球狀導(dǎo)電 體的各條件列舉如下。
[0318] 〈球狀導(dǎo)電體的各條件〉
[0319] ?材質(zhì)：Fe-Ni_Co合金（科伐合金）
[0320] ?最大直徑：50iim
[0321] ?體積：6. 16Xl(T5mm3
[0322] ?熱膨脹系數(shù)：4. 7X10_3/°C
[0323] (比較例5)
[0324] 除了將1個(gè)球狀導(dǎo)電體壓入貫通孔內(nèi)并配置以外，與實(shí)施例1同樣地得到具備貫 通電極的樣品。所使用的球狀導(dǎo)電體的各條件示于表1。
[0325] 下面，將各實(shí)施例及各比較例中的具備貫通電極的樣品的制造條件示于表1及表 2〇
[0326] 表 1
[0327]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種配線基板的制造方法，其特征在于，其為制造具備貫通電極的配線基板的方法， 具有： 在形成有貫通孔的陶瓷基板的所述貫通孔內(nèi)，配置一個(gè)粒狀導(dǎo)電體的工序； 將含有玻璃粉末的組合物供給至所述貫通孔內(nèi)的工序；W及 加熱所述組合物的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板的制造方法，其特征在于，當(dāng)將所述粒狀導(dǎo)電體的 最大直徑設(shè)為di、將所述貫通孔的最小直徑設(shè)為d2時(shí)，d i/d2為0. 8 W上1 W下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的配線基板的制造方法，其特征在于，當(dāng)將所述粒狀導(dǎo)電體 的最大直徑設(shè)為di、將所述貫通孔的最小長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)時(shí)，di/L為0. 8 W上1 W下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的配線基板的制造方法，其特征在于，當(dāng)將所述貫通孔的體積 設(shè)為Vi、將所述粒狀導(dǎo)電體的體積設(shè)為V2時(shí)，供給至所述貫通孔內(nèi)的所述組合物的體積小 于 Vl - V 2。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特征在于，所述玻璃粉 末的構(gòu)成材料為包含B203及SiO 2的玻璃材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特征在于，當(dāng)將所述 玻璃粉末的平均粒徑設(shè)為ds、將所述貫通孔的最小直徑設(shè)為d2時(shí)，d 3/d2為0. 005 W上0. 02 W下。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特征在于， 所述玻璃粉末的熱膨脹系數(shù)為2X i〇-7°c W上15X i〇-7°c W下， 所述粒狀導(dǎo)電體的熱膨脹系數(shù)為4X icre/c W上20X icre/c W下。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特征在于，所述粒狀導(dǎo) 電體的構(gòu)成材料為化-Ni-Co系合金或者化-Ni系合金。
9. 一種配線基板，其特征在于， 所述配線基板具有陶瓷基板、貫通所述陶瓷基板的貫通孔、設(shè)置于所述貫通孔內(nèi)的一 個(gè)粒狀導(dǎo)電體W及密封所述貫通孔的密封部， 所述密封部是由玻璃材料構(gòu)成的環(huán)狀的部位，W所述粒狀導(dǎo)電體的一部分露出的方式 設(shè)置于所述粒狀導(dǎo)電體和所述貫通孔的內(nèi)表面之間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的配線基板，其特征在于，所述配線基板進(jìn)一步具有環(huán)狀的凹 部，所述環(huán)狀的凹部包圍所述粒狀導(dǎo)電體的所述一部分，并且在所述陶瓷基板的厚度方向 上與所述粒狀導(dǎo)電體的一部分相比更為凹陷。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的配線基板，其特征在于，所述密封部及所述粒狀導(dǎo)電體分 別在所述凹部的內(nèi)表面露出。
12. -種元件收納用封裝，其特征在于，具備權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的配線基 板。
13. -種電子裝置，其特征在于，具備：權(quán)利要求12所述的元件收納用封裝、收納于所 述元件收納用封裝內(nèi)的元件、對(duì)所述元件收納用封裝所具備的配線基板和所述元件進(jìn)行電 連接的電配線。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于，所述元件為振動(dòng)片。
15. -種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求13或14所述的電子裝置。
16. -種移動(dòng)體，其特征在于，具備權(quán)利要求13或14所述的電子裝置。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種具有低電阻的貫通配線并且具有氣密性的配線基板、能夠容易地制造這種配線基板的制造方法、具備所述配線基板的元件收納用封裝、具備所述元件收納用封裝的電子裝置、以及具備所述電子裝置的電子設(shè)備及移動(dòng)體。包括本發(fā)明的配線基板的制造方法的振子的制造方法具有：在形成有貫通孔121、122的陶瓷基板125的貫通孔121、122內(nèi)，各配置一個(gè)粒狀導(dǎo)電體145的工序；將玻璃漿料146供給至貫通孔121、122內(nèi)的工序；煅燒玻璃漿料146的工序；形成電極的工序；以及配置振動(dòng)片、配置蓋的工序。當(dāng)將粒狀導(dǎo)電體145的最大直徑設(shè)為d1、將貫通孔121、122的最小直徑設(shè)為d2時(shí)，d1/d2為0.8以上1以下。
【IPC分類(lèi)】H05K3-40, H05K1-02
【公開(kāi)號(hào)】CN104640377
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410643885
【發(fā)明人】石上秀樹(shù), 中村英文, 塩原幸彥, 大槻哲也, 宮尾哲郎
【申請(qǐng)人】精工愛(ài)普生株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2014年11月11日
【公告號(hào)】US20150130326