κ小于或等于約0. 75/μπκ小于 或等于約0. 5/μm或者小于或等于約0. 25/μm，導致制品在整個光波長狀態(tài)或者光波長狀 態(tài)的選定的波長范圍區(qū)段具有約為2個百分點的平均振幅幅度。
[0090] 在圖8所示的實施方式中，折射率梯度可以是由多層不連續(xù)子層形成的。在一個 或多個實施方式中，多層子層可包括2層或更多層子層、10層或更多層子層、20層或更多層 子層、30層或更多層子層、40層或更多層子層、50層或更多層子層、60層或更多層子層、70 層或更多層子層、80層或更多層子層、90層或更多層子層、100層或更多層子層、110層或更 多層子層、120層或更多層子層、130層或更多層子層、140層或更多層子層、150層或更多層 子層，以及其間的所有范圍和子范圍。雖然本文陳述了光學膜120的厚度、機械性質和光學 性質，但是子層的數(shù)量沒有特別限制。子層可具有相互相同或不同厚度。在一個或多個實 施方式中，每一層子層具有具體的折射率，并且當與其他子層結合時，形成折射率梯度的一 部分。
[0091]在一個或多個實施方式中，可以通過組成梯度形成折射率梯度。在此類實施方式 中，可以對第一表面122處或者與第一表面122相鄰處的組成進行調節(jié)，以提供本文所述的 折射率，并且第一表面122處或者與第一表面122相鄰處的組成可以包括比第二表面124 處或者與第二表面124相鄰處的材料展現(xiàn)出較低折射率的材料。可以對第二表面124處或 者與第二表面124相鄰處的組成進行調節(jié)，以提供本文所述的折射率，并且第二表面124處 或者與第二表面124相鄰處的組成可以包括比第一表面122處或者與第一表面122相鄰處 所使用的材料展現(xiàn)出較高折射率的材料。例如，當希望低折射率時，可以使用氧化物來代替 氮化物。當希望高折射率時，可以使用氮化物。在圖8所示的例子中，每層子層具有具體組 成，當與其他子層結合時，其形成組成梯度，從而形成折射率梯度。
[0092]在一個或多個【具體實施方式】中，組成梯度可以由諸如Si、A1、N、0、C和/或其組合 之類的材料形成。在一個或多個【具體實施方式】中，由Si、Al、N和/或0形成組成梯度。在 一個例子中，折射率梯度可以包括娃含量梯度，其中，沿著從第一表面122到第二表面124 的折射率梯度的厚度，硅含量下降。在另一個例子中，折射率梯度可以包括鋁含量梯度，其 中，沿著從第一表面122到第二表面124的折射率梯度的厚度，鋁含量增加。在另一個例子 中，折射率梯度可以包括氧含量梯度，其中，沿著從第一表面122到第二表面124的折射率 梯度的厚度，氧含量下降或者保持恒定。在另一個例子中，折射率梯度可以包括氮含量梯 度，其中，沿著從第一表面122到第二表面124的折射率梯度的厚度，氮含量增加或者保持 恒定。在一些例子中，折射率梯度包括硅含量梯度、鋁含量梯度、氧含量梯度和氮含量梯度 中的至少兩個、至少三個或者全部四個。
[0093]在一個或多個實施方式中，可以通過孔隙率梯度形成折射率梯度。在此類實施方 式中，可以對第一表面122處或者與第一表面122相鄰處的孔隙率進行調節(jié)，以提供本文所 述的折射率，并且第一表面122處或者與第一表面122相鄰處的孔隙率可以包括比第二表 面124處或者與第二表面124相鄰處的孔隙率更大的孔隙率?？梢詫Φ诙砻?24處或者 與第二表面124相鄰處的孔隙率進行調節(jié)，以提供本文所述的折射率，并且第二表面124處 或者與第二表面124相鄰處的孔隙率可以包括比第一表面122處或者與第一表面122相鄰 處的孔隙率更小的孔隙率。
[0094]在一個或多個【具體實施方式】中，可以通過在光學膜120的具體位置中包含多個納 米孔，來形成孔隙率梯度。形成或提供所述多個納米孔的材料沒有特別的限制，可以包括如 下材料，例如：31、41州、0、(：，及其組合。適用于產(chǎn)生孔隙率梯度的材料還包括110 2、他205、 Hf02、Zr02、氧化銦錫（ΙΤ0)、ZnO、MgO,以及其他已知的光學材料。在一個或多個實施方式 中，光學膜120 (或者，在【具體實施方式】中，光學改性層130)可以包括厚度大于或等于10nm、 大于或等于25nm、大于或等于50nm或者大于或等于100nm并且平均孔隙度約為5-75% 的區(qū)域。在一些實施方式中，該區(qū)域的孔隙率范圍如下：約為5%-70%、約為5%-65%、 約為5% -60%、約為5% -55%、約為5% -50%、約為5% -45%、約為5% -40%、約為 10% -75%、約為 15% -75%、約為 20% -75%、約為 25% -75%、約為 30% -75%、約為 35% -75%、約為40% -75%、約為20% -40%、約為20% -35%，以及其間的所有范圍和子 范圍?？紫抖忍荻瓤梢跃哂屑s為20-35%的平均孔隙度。
[0095]在一個或多個【具體實施方式】中，制品可包括基材、多孔光學改性層（其包含例如 多孔和非多孔A1203)以及耐劃痕層（其包含A10xNy)。在一些實施方式中，多孔A1203可以 被認為是Si02形成的層或子層的替代品。多孔層或子層的孔隙度可以如下：使得具有較大 孔隙度的層或子層放置成更靠近基材（即，位于第一表面122處或者與第一表面122相鄰 處），而不具有孔隙度的層或子層放置成位于第二表面124處或者與第二表面124相鄰處。 在其他實施方式中，可以結合孔隙度梯度和組成梯度，以提供折射率梯度。
[0096] 在一個或多個替代實施方式中，光學膜120可包括密度梯度和/或彈性模量梯度， 作為本文所述的折射率梯度的補充或替代。在一個或多個實施方式中，光學膜120可以為 制品提供強度保留性質（例如，借由孔隙度梯度、密度梯度和/或彈性模量梯度）。在此類 實施方式中，光學膜可抑制裂紋生長，所述裂紋是在基材110或耐劃痕層140中的一個中形 成的，并且橋接進入基材110或耐劃痕層140中的另一個。在一些實施方式中，光學膜可以 與獨立層結合或者與多個獨立層結合，其中，所述獨立層作為裂紋減緩層。這些裂紋減緩層 可以具有光學功能或者不具有光學功能。
[0097] 適用于光學改性層130的示例性材料包括：Si02、A1203、Ge02、SiO、AlOxNy、A1N、 Si3N4、SiOxNy、SiuAlv0xNy、Ta205、Nb205、Ti02、Zr02、TiN、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、Sn02、Hf02、Y203、 M〇03、DyF3、YbF3、YF3、CeF3、聚合物、含氟聚合物、等離子體聚合化的聚合物、硅氧烷聚合物、 硅倍半氧烷、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚苯砜、聚碳酸酯、聚對苯二甲 酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、丙烯酸聚合物、氨基甲酸酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯， 以及本領域已知的其他材料。
[0098] 在一個或多個實施方式中，光學改性層130具有小于或等于約800nm的物理 厚度。光學改性層130的物理厚度可以是如下范圍：約為10_800nm、約為50-800nm、約 為 100-800nm、約為 150-800nm、約為 200-800nm、約為 10-750nm、約為 10-700nm、約為 10_650nm、約為 10_600nm、約為 10_550nm、約為 10_500nm、約為 10_450nm、約為 10_400nm、 約為10-350nm、約為10-300nm，以及其間的所有范圍和子范圍。在類似或替代實施方式 中，光學改性層130的物理厚度范圍可以約為0.5-5μπι。在一些情況下，光學改性層130 的物理厚度可以是如下范圍：約為〇. 5-2. 9μm、約為0. 5-2. 8μm、約為0. 5-2. 7μm、約為 0· 5-2. 6μm、約為 0· 5-2. 5μm、約為 0· 5-2. 4μm、約為 0· 5-2. 3μm、約為 0· 5-2. 2μm、約為 0· 5-2. 1μπκ約為 0· 5-2μπκ約為 0· 75-5μπκ約為 1-5μπκ約為 1· 1-3μπκ約為 1· 2-3μπκ 約為1. 3-3μm、約為1. 4-3μm或者約為1. 5-3μm，以及其間的所有范圍和子范圍。
[0099] 在一些實施方式中，當以浸入狀態(tài)測量時，光學改性層在光波長狀態(tài)展現(xiàn)出小于 或等于約2%、小于或等于約1. 5%、小于或等于約0. 75%、小于或等于約0. 5%、小于或等 于約0. 25 %、小于或等于約0. 1 %或者甚至小于或等于約0. 05 %的平均反光率。如本文 所用術語"浸入狀態(tài)"包括通過減去或者任意其他方式去除除了涉及光學改性層之外的界 面處制品所產(chǎn)生的反射和/或通過移除與空氣的界面，來測量平均反射率。在一些情況 下，光學改性層可以在其他波長范圍，例如約450-650nm、約420-680nm、約420-740nm、約 420-850nm或者約420-950nm，展現(xiàn)出該平均反光率。在一些實施方式中，光學改性層在光 波長狀態(tài)展現(xiàn)出大于或等于約90%、大于或等于92%、大于或等于94%、大于或等于96% 或者大于或等于98%的平均透射率。
[0100] -些實施方式的光學膜120包括耐劃痕層140,其可以包括無機碳化物、氮化物、 氧化物、鉆石狀材料，或者它們的組合。用于耐劃痕層140的合適材料的例子包括金屬氧化 物、金屬氮化物、金屬氧氮化物、金屬碳化物、金屬氧碳化物，和/或其組合。示例性金屬包 括B、Al、Si、Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Mo、Sn、Hf、Ta和W。可用于耐劃痕層140的材料的具體 例子可以包括：A1203、A1N、A10xNy、Si3N4、SiOxNy、SiuAlvOxN y、鉆石、鉆石狀碳、SixCy、SixOyCz、 Zr02、Ti0xNy，及其組合。
[0101] 可以對耐劃痕層140的組成進行改性，以提供具體性質（例如，硬度）。在一個 或多個實施方式中，耐劃痕層140展現(xiàn)出在耐劃痕層的主表面上測得的約為5-30GPa的平 均硬度，這是在耐劃痕層的主表面上，通過用波克威馳壓痕儀對表面進行壓痕，形成至少約 100nm壓痕深度的壓痕所測得的。在一個或多個實施方式中，耐劃痕層140展現(xiàn)出如下范圍 的平均硬度：約為6-30GPa、約為7-30GPa、約為8-30GPa、約為9-30GPa、約為10-30GPa、約 為 12-30GPa、約為 5-28GPa、約為 5-26GPa、約為 5-24GPa、約為 5-22GPa、約為 5-20GPa、約為 12-25GPa、約為15-25GPa、約為16-24GPa、約為18-22GPa，以及其間的所有范圍和子范圍。
[0102] 耐劃痕層140的物理厚度可以約為0-3μπι或者約為1. 5-3μπι。在一些實施 方式中，耐劃痕層140的物理厚度可以是如下范圍：約為1.5-3μπκ約為1.5-2. 8μπκ約 為 1. 5-2. 6μm、約為 1. 5-2. 4μm、約為 1. 5-2. 2μm、約為 1. 5-2μm、約為 1. 6-3μm、約為 L7-3μπι、約為L8-3μπι、約為L9-3μπι、約為 2-3μπι、約為 2· 1-3μπι、約為 2· 2-3μπι、約 為2. 3-3μπι，以及其間的所有范圍和子范圍。在【具體實施方式】中，耐劃痕層140可以較薄， 并且可以具有小于約1μπι的厚度。在一些情況下，單獨的光學改性層130或者光學改性 層130與基材110的組合提供了一定的硬度（進而提供了耐劃痕層），使得可以降低耐劃 痕層的厚度。例如，耐劃痕層140的厚度可以是如下范圍：約為l-900nm、約為l-800nm、約 為l-700nm、約為l-600nm、約為l-500nm、約為l-400nm、約為l-300nm、約為l-200nm、約為 l-100nm、約為 100-750nm、約為 100-500nm、約為 100-250nm、約為 250-750nm，以及其間的所 有范圍和子范圍。在一些情況下，光學膜130可以不含耐劃痕層。在此類實施方式中，單獨 的光學改性層130或者光學改性層130與基材110的組合提供了一定水平的硬度，使得制 品展現(xiàn)出本文所述的硬度范圍，從而為制品賦予耐劃痕層或耐磨損性。
[0103] 在一個或多個實施方式中，耐劃痕層140的折射率大于或等于約1. 7。在一些情況 下，耐劃痕層140的折射率可以大于或等于約1. 8、大于或等于1. 9、大于或等于2或者大于 或等于2. 1。耐劃痕層的折射率可以大于基材110的折射率。在【具體實施方式】中，當以約 550nm的波長測量時，耐劃痕層的折射率約比基材的折射率大0. 05個折射率單位或者約大 0. 2個折射率單位。
[0104] -個或多個實施方式的包覆層150可以包括低折射率材料，例如Si02、Al203、Ge02、 SiO、A10xNy、SiOxNy、SiuAlv0xNy、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、DyF3、YbF3、YF3和CeF3,以及其他此類 材料。包覆層150的折射率可以是如下范圍：約為1. 3-1. 7、約為1. 3-1. 65、約為1. 3-1. 6、 約為1. 3-1. 55、約為1. 35-1. 7、約為1. 4-1. 7、約為1. 45-1. 7、約為1. 4-1. 65,以及其間的所 有范圍和子范圍。
[0105] 包覆層的物理厚度可以是如下范圍：約為0-100nm、約為0·l-50nm、約為l-50nm、 約為5-50nm、約為10-50nm、約為0-40、約為0-30、約為0-20nm、約為0-10nm、約為 0.l-15nm、約為 0.l-12nm、約為 0.l-10nm、約為 0.l-8nm、約為 8-12nm、約為 9-10nm，以及其 間的所有范圍和子范圍。在一個或多個實施方式中，制品在涂覆表面101 (其可以包括包覆 層）處的折射率大于或等于約1. 7?？梢圆捎没诠柰榈牡湍Σ敛牧希ㄟ^液體沉積或氣相 沉積方法，形成包覆層150,包括氟硅烷、烷基硅烷以及硅倍半氧烷等。在一個或多個實施方 式中，包覆層可以包括兩種或更多種材料或者兩層或更多層子層（例如，4層子層或6層子 層）。包覆層可以提供減反射功能，特別是當采用多層子層時。子層可以包括不同折射率， 并且可以包括具有高折射率（H)和低折射率（L)的層，其中，"高"和"低"是相互相對而言， 并且處于減反射膜的已知范圍內。子層可以布置成使得高反射率子層和低反射率子層是交 替的。材料或子層可以包括例如Si02SSi0xNy。在此類實施方式中，一層或多層子層的厚 度可以約為4-50nm，單獨而言或者作為組合形式而言。在一些實施方式中，包覆層150可以 包括布置在包覆層的下方子層（例如，SiOjP/或SiOxNy層）上的厚度約為0.l-20nm的基 于硅烷的低摩擦子層。
[0106] 可以對光學膜120的層的物理厚度和/或光學厚度進行調節(jié)，以實現(xiàn)所需的 光學性質和機械性質（例如，硬度）。例如，可以將耐劃痕層140制造得較薄，例如約為 100-500nm，同時仍提供對于劃痕、磨損或損壞事件（包括制品掉落到硬表面例如瀝青、水 泥或砂紙上的掉落事件）的部分抗性。也可以對包覆層物理厚度和/或光學厚度進行調節(jié)。 當希望甚至更低的總反射率時，可以包含包覆層。還可以包含包覆層以進一步調節(jié)制品的 顏色。例如，本文所述的光學膜改變a*和b*坐標中的入射照射角使得色移最小化，但是可 能還展現(xiàn)出對于反射