間交接晶圓W時(shí)使設(shè)于外部的真空輸送室的晶圓輸送機(jī)構(gòu)進(jìn)入到處理容器I內(nèi)，該閘閥12用于對(duì)該輸入輸出口 11進(jìn)行開(kāi)閉。
[0042]在比所述輸入輸出口 11靠上部側(cè)的位置，以皇積在構(gòu)成處理容器I的主體的側(cè)壁之上的方式設(shè)有排氣管道13，該排氣管道13由鋁等金屬構(gòu)成，是通過(guò)將縱截面的形狀為方型的管道彎曲成圓環(huán)狀而構(gòu)成的。排氣管道13的內(nèi)周面沿著周向朝向處理容器I內(nèi)開(kāi)口，將自處理空間312流出的氣體經(jīng)由該開(kāi)口排出到排氣管道13內(nèi)。在排氣管道13的外壁面形成有排氣口 132，在該排氣口 132與由真空栗等構(gòu)成的排氣部65相連接。排氣部65與設(shè)于處理容器I的未圖示的壓力計(jì)相連接，通過(guò)根據(jù)壓力計(jì)的指示結(jié)果來(lái)增加或減少排氣量，能夠?qū)μ幚砣萜鲀?nèi)的壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)。排氣口 132、排氣部65相當(dāng)于用于對(duì)處理空間312內(nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣部。
[0043]在處理容器I內(nèi)的靠所述排氣管道13的內(nèi)側(cè)的位置配置有載置臺(tái)2。載置臺(tái)2由比晶圓W大一圈的圓板構(gòu)成，該圓板由陶瓷、金屬構(gòu)成。在載置臺(tái)2的內(nèi)部埋設(shè)有作為用于將晶圓W加熱到例如350°C?450°C的成膜溫度的加熱部的加熱器21。另外，也可以根據(jù)需要設(shè)置用于將晶圓W固定于該載置臺(tái)2的上表面?zhèn)鹊妮d置區(qū)域內(nèi)的未圖示的靜電卡盤(pán)。
[0044]載置臺(tái)2具有環(huán)狀的載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22，該載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22以與該載置臺(tái)2的側(cè)周面之間隔著間隙的方式自側(cè)方包圍該側(cè)周面。載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22由例如氧化鋁等構(gòu)成，載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22具有上下端分別開(kāi)口的扁平的圓筒形狀的筒狀部221，且筒狀部221的上端部在整個(gè)周向上朝向內(nèi)側(cè)彎曲而形成彎曲部222 (圖2)。該彎曲部222卡定于載置臺(tái)2的上表面?zhèn)戎芫壊?，該彎曲?22的厚度尺寸大于晶圓W的厚度尺寸。
[0045]并且，為了提高利用后述的清潔氣體對(duì)載置臺(tái)2進(jìn)行清潔的清潔效果，在該載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22的與載置臺(tái)2的周緣部相接觸的彎曲部222的下表面?zhèn)?，沿著周向設(shè)有用于使清潔氣體進(jìn)入、擴(kuò)散的槽部223。
[0046]如圖1所示，在所述排氣管道13的開(kāi)口部的下端位置設(shè)有作為包圍構(gòu)件的內(nèi)環(huán)131，該內(nèi)環(huán)131以填充該排氣管道13與載置臺(tái)2之間的間隙的方式包圍載置臺(tái)2，并將處理容器I的內(nèi)部分成上部側(cè)的空間(處理空間312)和下部側(cè)的空間(底部區(qū)域10)。該內(nèi)環(huán)131是由例如鋁形成的環(huán)狀的構(gòu)件，其具有以隔著間隙地包圍所述載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22的側(cè)周面的方式配置的筒狀部131a。也可以是，內(nèi)環(huán)131利用例如石英制的環(huán)覆蓋(日文:y V夕'力/《一)來(lái)覆蓋其上表面?zhèn)取?br>[0047]在載置臺(tái)2的下表面?zhèn)戎醒氩窟B接有貫穿處理容器I的底面且沿上下方向延伸的棒狀的升降軸23。該升降軸23的下端部經(jīng)由水平地配置于處理容器I的下方側(cè)的板狀的升降板232、活塞桿233而與用于使該活塞桿233突出或退回的馬達(dá)部24相連接。升降板232、活塞桿233、馬達(dá)部24構(gòu)成升降軸23的升降機(jī)構(gòu)。升降機(jī)構(gòu)通過(guò)使升降軸23上下移動(dòng)來(lái)使載置臺(tái)2在對(duì)晶圓W進(jìn)行成膜的處理位置與位于該處理位置的下方側(cè)的交接位置(在圖1中利用單點(diǎn)劃線記載)之間升降，在該交接位置，與自輸入輸出口 11進(jìn)入的晶圓輸送機(jī)構(gòu)之間交接晶圓W。
[0048]如圖1、圖4所示，在處理容器I的底面設(shè)有供升降軸23穿過(guò)的貫通口 15，升降軸23穿過(guò)該貫通口 15的內(nèi)側(cè)并在處理容器I的下方位置與升降板232相連接。貫通口 15的開(kāi)口口徑的大小為例如能夠?qū)⑸递S23的側(cè)周面配置于距貫通口 15的內(nèi)周面1mm?50mm左右的內(nèi)側(cè)的位置的程度。為了將設(shè)有貫通口 15的處理容器I內(nèi)保持為真空氣氛，在貫通口 15的口緣部與升降板232之間以自側(cè)方包圍升降軸23的周?chē)姆绞皆O(shè)有波紋管231，該波紋管231將處理容器I內(nèi)的氣氛同外部劃分開(kāi)并隨著升降板232的升降動(dòng)作而進(jìn)行伸縮。
[0049]在載置臺(tái)2的下方側(cè)設(shè)有例如3根支承銷(xiāo)25，該3根支承銷(xiāo)25用于在與外部的晶圓輸送機(jī)構(gòu)之間交接晶圓W時(shí)自晶圓W的下表面?zhèn)戎С芯AW而將其抬起。支承銷(xiāo)25連接于升降機(jī)構(gòu)26而升降自如，通過(guò)使支承銷(xiāo)25經(jīng)由沿上下方向貫穿載置臺(tái)2的通孔201而相對(duì)于載置臺(tái)2的上表面突出或退回，從而與晶圓輸送機(jī)構(gòu)之間交接晶圓W。
[0050]在排氣管道13的上表面?zhèn)龋苑舛聢A形的開(kāi)口的方式設(shè)有圓板狀的支承板32，在這些排氣管道13與支承板32之間設(shè)有用于將處理容器I內(nèi)保持為氣密的O型密封圈133。在支承板32的下表面?zhèn)仍O(shè)有具有開(kāi)口部315的頂板部31，開(kāi)口部315用于向處理空間312供給反應(yīng)氣體、置換氣體，利用螺栓323將頂板部31支承并固定于支承板32。
[0051]在頂板部31的下表面?zhèn)刃纬捎邪疾?，在該凹部形成有自中央?cè)朝向外周側(cè)去逐漸擴(kuò)展的形狀的傾斜面。在該傾斜面的更外側(cè)設(shè)有環(huán)狀且平坦的頂端部314。
[0052]在使載置臺(tái)2上升到處理位置時(shí)，頂板部31配置為，使設(shè)于載置臺(tái)2的載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22的上表面和頂端部314的下表面彼此相對(duì)。由頂板部31的凹部和載置臺(tái)2的上表面圍成的空間成為對(duì)晶圓W進(jìn)行成膜的處理空間312。
[0053]另外，如圖1所示，對(duì)載置臺(tái)2的處理位置的高度進(jìn)行設(shè)定，以便在頂板部31的頂端部314的下表面與載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22的彎曲部的上表面之間形成間隙。所述排氣管道13朝向該間隙開(kāi)口，從而將供給到處理空間312的反應(yīng)氣體朝向側(cè)方排出。
[0054]在頂板部31的所述凹部的中央部形成有用于向處理空間312內(nèi)供給反應(yīng)氣體的氣體供給路徑311。氣體供給路徑311沿上下方向貫穿頂板部31的中央部，在氣體供給路徑311的下端部形成有開(kāi)口部315 (氣體供給孔)，該開(kāi)口部315在下方側(cè)朝向載置臺(tái)2開(kāi)口。在該開(kāi)口部315的下方側(cè)設(shè)有分散板33，該分散板33用于與自氣體供給路徑311供給過(guò)來(lái)的反應(yīng)氣體相碰撞而使反應(yīng)氣體在處理空間312內(nèi)分散。
[0055]分散板33由例如圓形的板材構(gòu)成，分散板33的上表面?zhèn)戎醒氩坑勺灾С邪?2的下表面延伸的支承棒331支承。分散板33以在自正下方看氣體供給路徑311的開(kāi)口部315時(shí)覆蓋該開(kāi)口部315的方式配置在該開(kāi)口部315的下方側(cè)。
[0056]另一方面，氣體供給路徑311的上游側(cè)分支成用于向氣體供給路徑311供給氨氣和置換用的氮?dú)獾陌惫┙o路徑321和用于向氣體供給路徑311供給四氯化鈦氣體和置換用的氮?dú)獾乃穆然伖┙o路徑322。
[0057]氨供給路徑321和四氯化鈦供給路徑322分別經(jīng)由配管與氨氣供給源62、四氯化鈦氣體供給源64相連接，這些配管分別在中途分支而與共用的氮?dú)夤┙o源63a相連接。在各配管上設(shè)有開(kāi)閉閥602和流量調(diào)整部601，該開(kāi)閉閥602用于進(jìn)行氣體的供給和切斷供給，該流量調(diào)整部601用于對(duì)氣體供給量進(jìn)行調(diào)整。
[0058]為了將附著在處理容器I內(nèi)的器件上的反應(yīng)生成物去除，所述成膜裝置包括用于自彼此不同的位置分別向載置臺(tái)2的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)裙┙o清潔氣體的機(jī)構(gòu)。
[0059]在本例子的成膜裝置中，經(jīng)由所述氣體供給路徑311向載置臺(tái)2的上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體。
[0060]詳細(xì)而言，用于在成膜時(shí)供給氨氣、四氯化鈦氣體等的氨供給路徑321、四氯化鈦供給路徑322的配管分別分支而與共用的清潔氣體供給源61a相連接。在本例子中，示出作為清潔氣體而使用三氟化氯(ClF3)的例子。在各配管上設(shè)有開(kāi)閉閥602和流量調(diào)整部601，該開(kāi)閉閥602用于進(jìn)行氣體的供給和切斷供給，該流量調(diào)整部601用于對(duì)氣體供給量進(jìn)行調(diào)整。從自載置臺(tái)2的上表面?zhèn)认蛱幚砣萜鱅內(nèi)供給清潔氣體這樣的觀點(diǎn)來(lái)看，氣體供給路徑311、氨供給路徑321、四氯化鈦供給路徑322、清潔氣體供給源61a等相當(dāng)于本實(shí)施方式中的第I清潔氣體供給部。
[0061]在具有所述結(jié)構(gòu)的成膜裝置中，設(shè)有用于抑制因被供給到處理容器I內(nèi)的反應(yīng)氣體通過(guò)貫通口 15與升降軸23之間并到達(dá)波紋管231的內(nèi)表面而產(chǎn)生的反應(yīng)生成物的堆積的機(jī)構(gòu)。
[0062]以下，說(shuō)明該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
[0063]為了抑制反應(yīng)氣體到達(dá)波紋管231，在貫通口 15設(shè)有:蓋構(gòu)件41，其插入到處理容器I的主體與升降軸23之間，用于將貫通口 15封堵；筒狀構(gòu)件42，其配置于該蓋構(gòu)件41與波紋管之間；以及環(huán)構(gòu)件43，其配置于處理容器I的底面，用于支承這些蓋構(gòu)件41、筒狀構(gòu)件42 (圖3、圖4)。
[0064]蓋構(gòu)件41是用于將設(shè)于處理容器I的底面的貫通口 15與升降軸23之間的空間封堵的筒狀的構(gòu)件。在構(gòu)成蓋構(gòu)件41的主體的圓筒部414的上端形成有凸緣部411，將蓋構(gòu)件41的凸緣部411的下表面卡定于環(huán)構(gòu)件43，而將蓋構(gòu)件41配置于所述貫通口 15與升降軸23之間。
[0065]如圖4所示，以在升降軸23的側(cè)周面與圓筒部414的內(nèi)周面之間形成間隙的方式配置蓋構(gòu)件41，升降軸23能夠沿上下方向在蓋構(gòu)件41的內(nèi)側(cè)自由移動(dòng)。換種說(shuō)法說(shuō)明升降軸23和蓋構(gòu)件41的配置狀態(tài)，可以說(shuō):蓋構(gòu)件41以與升降軸23的側(cè)周面之間隔著間隙地包圍升降軸23的方式配置，且以在所述間隙以外的部位阻止蓋構(gòu)件41的下方側(cè)空間(波紋管231內(nèi)的空間)與蓋構(gòu)件41的上方側(cè)空間(處理容器I內(nèi)的空間)之間的連通的方式在整周上安裝于處理容器I。
[0066]另外，為了抑制因來(lái)自具有加熱器21的載置臺(tái)2的散熱(熱輻射、經(jīng)由后述的氮?dú)膺M(jìn)行的熱傳遞等)而導(dǎo)致的蓋構(gòu)件41的溫度上升，通過(guò)對(duì)圓筒部414的凸緣部411側(cè)的內(nèi)周面進(jìn)行擴(kuò)徑而在蓋構(gòu)件41上形成凹部412。通過(guò)設(shè)置該凹部412，從而使載置臺(tái)2與蓋構(gòu)件41的表面之間的距離變大，由此能夠抑制因載置臺(tái)2散熱而導(dǎo)致的凸緣部411的溫度上升。另外，為了使升降軸23的側(cè)周面和圓筒部414的內(nèi)周面隔著間隙相對(duì)的區(qū)域的高度尺寸盡量增加且不使蓋構(gòu)件41的蓄熱量變得過(guò)大，在圓筒部414的下部側(cè)形成有厚度尺寸比圓筒部414的主體的厚度尺寸小的套筒417。
[0067]升降軸23與蓋構(gòu)件41 (圓筒部414)之間的間隙的尺寸例如為Imm?5mm。另外，蓋構(gòu)件41的隔著該間隙與升降軸23相對(duì)的部分的高度尺寸(自凹部412的底面起到套筒417的下端為止的距離)優(yōu)選大于貫通口 15的內(nèi)周面的高度尺寸(處理容器I的壁厚尺寸)。由此，使處理容器I內(nèi)的反應(yīng)氣體更不易進(jìn)入到波紋管231內(nèi)。
[0068]接著，如圖3所示，