給孔的扁平的碗狀的構(gòu)件來覆蓋開口部315。除此以外，也可以是，替代具有凹部的頂板部31，將在下表面平坦的頂板部31的整個表面上分散地配置有多個氣體供給孔的噴頭類型的頂板部31與載置臺2相對地配置。
[0115]接著，敘述一下第2清潔氣體供給部的變化，沿著支承部23向載置臺2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體的方法并不限于如圖4所示的例子那樣使清潔氣體與沿著支承部23的側(cè)周面流動的擴散氣體匯合而使清潔氣體擴散的情況。也可以是例如，在處理容器I的底面的位于支承部23的周圍的部分設(shè)置用于噴出清潔氣體的氣體噴出孔，自該氣體噴出孔朝向上方側(cè)沿著支承部23供給清潔氣體。
[0116]關(guān)于處理容器I內(nèi)的器件等，并不必須設(shè)置內(nèi)環(huán)131，也可以使比位于處理位置的載置臺2靠上方側(cè)的空間(處理空間312等)與底部區(qū)域10相連通。作為利用真空排氣部進行排氣的排氣位置，除了自頂板部31與載置臺2之間的間隙的側(cè)方進行排氣的圖1等所示的例子以外，也可以在頂部側(cè)設(shè)置排氣口 132。另外，在不使用內(nèi)環(huán)131的情況下，也可以在處理容器的側(cè)壁面的位于比處于處理位置的載置臺2靠下方側(cè)的位置的部分上設(shè)置排氣口 132。
[0117]并且，用作吹掃氣體的非活性氣體并不限于氮氣的例子，也可以使用氬氣、氦氣。
[0118]并且，在本發(fā)明的成膜裝置中，除了所述TiN膜的成膜以外，也可以進行含有金屬元素、例如作為周期表的第3周期的元素的Al、Si等、作為周期表的第4周期的元素的T1、Cr、Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Ge等、作為周期表的第5周期的元素的Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag等、作為周期表的第6周期的元素的Ba、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt等元素的膜的成膜。作為吸附于晶圓W的表面的金屬原料，可列舉出將這些金屬元素的有機金屬化合物、無機金屬化合物等用作反應氣體(原料氣體)的情況。作為金屬原料的具體例，除了所述TiCl4以外，可列舉出BTBAS ((雙叔丁基氨基)硅烷)、DCS ( 二氯甲硅烷)、HCD (六氯乙硅烷)、TMA (三甲基鋁)、3DMAS (三二甲基氨基硅烷)等。
[0119]也能夠根據(jù)要形成的膜的種類來適當選擇清潔氣體的種類，能夠使用匕等鹵素系氣體。
[0120]另外，作為使吸附于晶圓W的表面的原料氣體發(fā)生反應而獲得期望的膜的反應，例如，也可以利用如下各種反應:利用02、03、H2O等的氧化反應、利用H2、HC00H、CH3COOH等有機酸、CH3OH, C2H5OH等醇類等的還原反應、利用CH4、C2H6, C2H4, C2H2等的碳化反應、以及利用NH3、NH2NH2, N2等的氮化反應等。
[0121]并且，作為反應氣體，也可以使用3種反應氣體、4種反應氣體。
[0122]另一方面，在晶圓W的表面上進行成膜的方法并不限于ALD法。還能夠?qū)⒈景l(fā)明應用于用于執(zhí)行諸如如下各種CVD法的成膜裝置:向處理容器I內(nèi)連續(xù)地供給金屬源并使金屬源在加熱了的晶圓W的表面分解而獲得薄膜的熱CVD法、在存在等離子體的環(huán)境下使金屬源和反應氣體等活性化并反應而進行連續(xù)的成膜的等離子體CVD法等。
[0123]附圖標iP,說曰月
[0124]W、晶圓；1、處理容器；15、貫通口 ；2、載置臺；31、頂板部；141、氮氣供給路徑；23、升降軸；231、波紋管；232、升降板；41、41a、41b、蓋構(gòu)件；412、凹部；417、套筒；42、筒狀構(gòu)件；43、環(huán)構(gòu)件；63a、63b、氮氣供給源。
【主權(quán)項】
1.一種成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括: 處理容器，其具有真空排氣部，其用于在真空氛圍下向基板的表面供給反應氣體而進行成膜處理； 載置臺，其設(shè)于所述處理容器內(nèi)，用于載置基板； 升降軸，其以自下表面?zhèn)戎С兄鲚d置臺的狀態(tài)沿上下方向延伸地設(shè)置，該升降軸穿過被設(shè)于所述處理容器的貫通口而與外部的升降機構(gòu)相連接； 波紋管，其設(shè)于所述處理容器與所述升降機構(gòu)之間并自側(cè)方覆蓋所述升降軸的周圍；蓋構(gòu)件，其以與所述升降軸的側(cè)周面之間隔著間隙地包圍該升降軸的方式配置，且以在所述間隙以外的部位阻止該蓋構(gòu)件的下方側(cè)空間與該蓋構(gòu)件的上方側(cè)空間之間的連通的方式在整周上安裝于處理容器；以及 吹掃氣體供給部，其向所述波紋管內(nèi)供給吹掃氣體，以便形成經(jīng)由所述升降軸與所述蓋構(gòu)件之間的間隙自該波紋管向處理容器流動的氣體的流動。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 隔著所述間隙包圍升降軸的蓋構(gòu)件的內(nèi)周面的高度尺寸大于所述貫通口的內(nèi)周面的高度尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其特征在于， 在所述蓋構(gòu)件上設(shè)有用于使包圍所述升降軸的內(nèi)周面的高度尺寸變大的套筒。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 所述載置臺具有用于加熱基板的加熱部，在所述蓋構(gòu)件的上表面形成有用于使所述加熱部與所述蓋構(gòu)件之間的距離變大的凹部，以便抑制由來自所述加熱部的散熱引起的蓋構(gòu)件的溫度上升。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括筒狀構(gòu)件，該筒狀構(gòu)件配置在所述蓋構(gòu)件的外周面與波紋管的內(nèi)周面之間且伸出到比所述蓋構(gòu)件的下端部靠下方側(cè)的位置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成膜裝置，其特征在于， 所述筒狀構(gòu)件以其外周面與波紋管的內(nèi)周面之間形成間隙的方式配置，所述吹掃氣體供給部自該筒狀構(gòu)件與波紋管之間的間隙內(nèi)的上方位置向波紋管內(nèi)供給吹掃氣體。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括: 包圍構(gòu)件，其以與位于進行所述成膜處理的位置的載置臺的側(cè)周面之間隔著間隙地包圍該載置臺的方式配置，該包圍構(gòu)件將所述處理容器的內(nèi)部分成下部側(cè)的空間和要供給所述反應氣體的上部側(cè)的處理空間；以及 真空排氣部，其用于自所述處理空間側(cè)對所述處理容器內(nèi)進行真空排氣， 在所述升降軸與蓋構(gòu)件之間的間隙流動的吹掃氣體流入到所述下部側(cè)的空間。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 所述處理容器具有頂板部，在該頂板部與所述載置臺之間形成有用于使反應氣體擴散而進行成膜處理的處理空間，該頂板部具有用于供給所述反應氣體的氣體供給孔， 所述升降機構(gòu)借助所述升降軸使所述載置臺在形成所述處理空間的處理位置與比所述處理位置靠下方側(cè)的位置之間升降， 所述成膜裝置包括: 第I清潔氣體供給部，其用于向所述載置臺的上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體；以及 第2清潔氣體供給部，其用于沿著所述升降軸向所述載置臺的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括控制部，該控制部輸出控制信號，以便在使所述載置臺下降到比所述處理位置靠下方側(cè)的位置的狀態(tài)下自所述第2清潔氣體供給部供給清潔氣體。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置，其特征在于， 并且，所述控制部輸出控制信號，以便使所述載置臺上升到處理位置并自所述第2清潔氣體供給部供給清潔氣體。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括上部側(cè)非活性氣體供給部，該上部側(cè)非活性氣體供給部用于向設(shè)于所述頂板部的氣體供給孔供給非活性氣體， 所述控制部輸出控制信號，以便在自所述第2清潔氣體供給部供給清潔氣體的過程中自所述上部側(cè)非活性氣體供給部經(jīng)由氣體供給孔向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括控制部，該控制部輸出控制信號，以便在使所述載置臺下降到比所述處理位置靠下方側(cè)的位置的狀態(tài)下自所述第I清潔氣體供給部供給清潔氣體。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的成膜裝置，其特征在于， 并且，所述控制部輸出控制信號，以便使所述載置臺上升到處理位置并自所述第I清潔氣體供給部供給清潔氣體。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的成膜裝置，其特征在于， 所述吹掃氣體供給部以能夠供給非活性氣體的方式構(gòu)成，所述控制部輸出控制信號，以便在自所述第I清潔氣體供給部供給清潔氣體的過程中自所述吹掃氣體供給部向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 所述第2清潔氣體供給部將自吹掃氣體供給部供給的吹掃氣體用作擴散氣體，并向使清潔氣體隨著該擴散氣體的流動而向所述載置臺的下表面?zhèn)葦U散的位置供給清潔氣體。16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 所述第I清潔氣體供給部經(jīng)由所述頂板的氣體供給孔向處理容器內(nèi)供給清潔氣體。17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 所述載置臺具有環(huán)狀的覆蓋構(gòu)件，該覆蓋構(gòu)件卡定于該載置臺的上表面?zhèn)戎芫壊壳乙耘c所述載置臺之間隔著間隙的方式自側(cè)方包圍該載置臺的側(cè)周面，在該覆蓋構(gòu)件的與所述載置臺的上表面?zhèn)戎芫壊拷佑|的接觸部設(shè)有用于使清潔氣體進入的槽部。18.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括控制部，該控制部輸出控制信號，以便所述清潔氣體的供給在利用所述真空排氣部進行真空排氣后的處理容器內(nèi)進行，且由所述第2清潔氣體供給部進行的清潔氣體的供給在高于在由所述第I清潔氣體供給部進行的清潔氣體的供給時的壓力的壓力氣氛下進行。19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其特征在于， 所述真空排氣部自所述處理空間經(jīng)由所述載置臺與所述頂板部之間的間隙向側(cè)方排出氣體。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種易于進行組裝、維護等且能夠抑制反應氣體進入到波紋管內(nèi)的成膜裝置。配置于在真空氛圍下向基板(W)的表面供給反應氣體而進行成膜處理的處理容器(1)內(nèi)的升降軸(23)以自下表面?zhèn)戎С兄糜谳d置基板(W)的載置臺(2)的狀態(tài)沿上下方向延伸地設(shè)置，該升降軸(23)穿過被設(shè)于處理容器(1)的貫通口(15)而與外部的升降機構(gòu)相連接。波紋管(231)自側(cè)方覆蓋升降軸(23)的周圍而將處理容器(1)內(nèi)保持為真空氣氛，蓋構(gòu)件(41)以包圍升降軸(23)的方式配置，吹掃氣體供給部(63b)向波紋管(231)內(nèi)供給吹掃氣體，以便形成經(jīng)由升降軸(23)與蓋構(gòu)件(41)之間的間隙向處理容器(1)流動的氣體的流動。
【IPC分類】C23C16/44, H01L21/31
【公開號】CN105164307
【申請?zhí)枴緾N201480024289
【發(fā)明人】成嶋健索, 鳥屋大輔, 朝倉賢太朗, 村上誠志
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2014年2月10日
【公告號】WO2014178160A1