筒狀構(gòu)件42為在圓筒狀的主體部422的上端設(shè)有凸緣部421的構(gòu)造，通過將筒狀構(gòu)件42的凸緣部421卡定于環(huán)構(gòu)件43，從而將筒狀構(gòu)件42配置于所述蓋構(gòu)件41與波紋管231之間。如圖4所示，筒狀構(gòu)件42的高度尺寸為，在將蓋構(gòu)件41、筒狀構(gòu)件42配置于規(guī)定位置時使筒狀構(gòu)件42的下端部位于比蓋構(gòu)件41 (套筒417)的下端部靠下方側(cè)的位置。由此，增大自升降軸23與蓋構(gòu)件41之間的間隙的出口起到波紋管231的內(nèi)壁面為止的距離，以抑制已進(jìn)入了的反應(yīng)氣體到達(dá)波紋管231的內(nèi)壁面。
[0069]將環(huán)構(gòu)件43配置、固定于處理容器I的底面上的所述貫通口 15的周圍并使環(huán)構(gòu)件43卡定于蓋構(gòu)件41的凸緣部411和筒狀構(gòu)件42的凸緣部421，而支承這些構(gòu)件41、42。在環(huán)構(gòu)件43的上表面?zhèn)葍?nèi)周緣部設(shè)有用于將筒狀構(gòu)件42的凸緣部421嵌入并固定于環(huán)構(gòu)件43的上表面與蓋構(gòu)件41的凸緣部411的下表面之間的臺階部433。
[0070]如圖5所示，在環(huán)構(gòu)件43的下表面形成有用于向波紋管231的內(nèi)側(cè)供給作為吹掃氣體的非活性氣體、例如氮?dú)獾牟鄄俊Ｍㄟ^將形成有該槽部的環(huán)構(gòu)件43固定在處理容器I的底面上，從而使由這些槽部和處理容器I圍成的空間成為氮?dú)饬髀?35。以下，為了便于說明，也將該槽部本身稱作氮?dú)饬髀?35。
[0071]設(shè)于氮?dú)饬髀?35的基端側(cè)的端口部435a與形成于處理容器I的氮?dú)夤┙o路徑142相連接，該氮?dú)夤┙o路徑142經(jīng)由配管與氮?dú)夤┙o源63b相連接。在該配管上設(shè)有氣體供給和切斷氣體供給用的開閉閥602和用于對流量進(jìn)行調(diào)整的流量調(diào)整部601這點(diǎn)上與頂板部31側(cè)的氮?dú)夤┙o源63a相同。此外，為了便于圖示、說明，在本例子的成膜裝置中，示出了獨(dú)立地構(gòu)成氮?dú)夤┙o源63a、63b的情況，但當(dāng)然也可以根據(jù)需要使這些氮?dú)夤┙o源63a、63b共用化。
[0072]在氮?dú)饬髀?35的末端設(shè)有朝向環(huán)構(gòu)件43的內(nèi)周面開口的4個氮?dú)鈬姵隹?32。這些氮?dú)鈬姵隹?32沿著環(huán)構(gòu)件43的內(nèi)周面的周向以大致等間隔配置。在此，氮?dú)饬髀?35以自端口部435a起到各氮?dú)鈬姵隹?32為止的流路長度彼此大致相等且流路的傳導(dǎo)性(日文:3 >夂夕夕 > 只)一致的方式分支。
[0073]氮?dú)夤┙o源63b、氮?dú)夤┙o路徑141、氮?dú)饬髀?35、氮?dú)鈬姵隹?32等相當(dāng)于本實(shí)施方式的吹掃氣體供給部。
[0074]如圖4等所示，自氮?dú)鈬姵隹?32噴出的氮?dú)獗还┙o到處理容器I的貫通口 15與筒狀構(gòu)件42之間的間隙的上部位置并自上方側(cè)向下方側(cè)地在該間隙內(nèi)流動。這樣，通過形成沿著波紋管231流動的氮?dú)獾牧鲃?，也能夠抑制反?yīng)氣體附著于波紋管231的內(nèi)壁面。
[0075]如以上說明那樣，蓋構(gòu)件41、環(huán)構(gòu)件43是為了抑制反應(yīng)氣體進(jìn)入到波紋管231內(nèi)而設(shè)置的。在本例子的成膜裝置中，利用這些蓋構(gòu)件41、環(huán)構(gòu)件43向載置臺2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體。
[0076]關(guān)于清潔氣體的供給，在環(huán)構(gòu)件43的下表面形成有用于朝向載置臺2的下表面?zhèn)榷蛱幚砣萜鱅內(nèi)供給清潔氣體的槽部。由該槽部和處理容器I圍成的空間成為清潔氣體流路434 (以下，也將該槽部稱作清潔氣體流路434)。
[0077]設(shè)于清潔氣體流路434的基端側(cè)的端口部434a與形成于處理容器I的清潔氣體供給路徑141相連接，該清潔氣體供給路徑141經(jīng)由設(shè)有開閉閥602、流量調(diào)整部601的配管與用于供給作為清潔氣體的三氟化氯的清潔氣體供給源61b相連接。此外，為了便于說明、圖示，在本例子的成膜裝置中，示出了獨(dú)立地構(gòu)成清潔氣體供給源61a、61b的情況，但當(dāng)然也可以根據(jù)需要使這些清潔氣體供給源61a、61b共用化。
[0078]與氮?dú)饬髀?35的情況同樣地，清潔氣體流路434也以流路長度彼此大致相等且流路的傳導(dǎo)性相一致的方式分支成4個流路，清潔氣體流路434的末端部與將形成于蓋構(gòu)件41的凸緣部411內(nèi)的清潔氣體導(dǎo)入路徑415和清潔氣體流路434連接起來的連接流路431相連。連接流路431的末端部與在環(huán)構(gòu)件43的上表面開口且在蓋構(gòu)件41的凸緣部411下表面開口的清潔氣體導(dǎo)入路徑415相連接。
[0079]清潔氣體導(dǎo)入路徑415在所述凸緣部411內(nèi)沿橫向向徑向內(nèi)側(cè)延伸且朝向位于擴(kuò)徑部412的上端部的傾斜面開口。該開口部相當(dāng)于用于向處理容器I內(nèi)噴出清潔氣體的清潔氣體噴出孔413。清潔氣體噴出孔413沿著所述擴(kuò)徑部412的傾斜面的周向以大致等間隔配置。
[0080]從自載置臺2的下表面?zhèn)认蛱幚砣萜鱅內(nèi)供給清潔氣體這樣的觀點(diǎn)來看，清潔氣體導(dǎo)入路徑415、連接流路431、清潔氣體流路434、清潔氣體供給路徑141、清潔氣體供給源61b相當(dāng)于本實(shí)施方式中的第2清潔氣體供給部。此外，為了方便圖示，在圖4以外的縱剖視圖中，適當(dāng)省略了清潔氣體導(dǎo)入路徑415、連接流路431、清潔氣體流路434、氮?dú)饬髀?35、清潔氣體供給路徑141以及氮?dú)夤┙o路徑142的記載。
[0081]如圖3所示，蓋構(gòu)件41由沿著中心軸線方向被分割成兩部分的構(gòu)件構(gòu)成。在例如組裝成膜裝置時，預(yù)先將支承著載置臺2的升降軸23插入到配置有筒狀構(gòu)件42、環(huán)構(gòu)件43的貫通口 15并使升降軸23與升降機(jī)構(gòu)相連接。之后，以自側(cè)方側(cè)夾持升降軸23的方式配置構(gòu)成蓋構(gòu)件41的構(gòu)件，在利用螺紋件416等將這些構(gòu)件緊固之后，將蓋構(gòu)件41配置于規(guī)定的位置。通過使貫通口 15與升降軸23之間的間隔具有富余，從而易于進(jìn)行成膜裝置的組裝、之后的維護(hù)。
[0082]如圖1所示，具有以上說明的結(jié)構(gòu)的成膜裝置與控制部7相連接?？刂撇?由例如具有未圖示的CPU和存儲部的計算機(jī)構(gòu)成，在存儲部內(nèi)存儲有被編入與成膜裝置的作用、即與進(jìn)行如下動作的控制有關(guān)的步驟(命令)組的程序:使載置在載置臺2上的晶圓W上升到處理位置、以預(yù)先決定的順序向處理空間312內(nèi)供給反應(yīng)氣體和置換用的氣體而執(zhí)行TiN的成膜、并使用清潔氣體對處理容器I內(nèi)進(jìn)行清潔。該程序被存儲在例如硬盤、光盤、磁光盤、存儲卡等存儲介質(zhì)中，并從所述存儲介質(zhì)安裝到計算機(jī)中。
[0083]接著，參照圖4、6、7說明使用本成膜裝置進(jìn)行TiN的成膜的作用。此外，在圖6、圖7中，省略了清潔氣體供給源61a、61b、與這些清潔氣體供給源61a、61b相連接的流路的記載。
[0084]首先，在預(yù)先將處理容器I內(nèi)減壓至真空氣氛之后，如圖6所示，使載置臺2下降到交接位置。然后，打開閘閥12，使設(shè)置在與輸入輸出口 11相連接的真空輸送室的晶圓輸送機(jī)構(gòu)的輸送臂進(jìn)入，在輸送臂與支承銷25之間進(jìn)行晶圓W的交接。然后，使支承銷25下降，將晶圓W載置在被加熱器21加熱到所述成膜溫度的載置臺2上。
[0085]此時，如圖4、圖6所示，自氮?dú)夤┙o源63b向波紋管231內(nèi)供給例如10sccm?5000sccm(0°C、一個標(biāo)準(zhǔn)大氣壓)的范圍內(nèi)的1500sccm的氮?dú)?。自氮?dú)鈬姵隹?32流入到波紋管231內(nèi)的氮?dú)庠谛纬捎谕矤顦?gòu)件42的外周面與波紋管231的內(nèi)周面之間的間隙內(nèi)自上而下地流動。氮?dú)庾罱K到達(dá)筒狀構(gòu)件42的下端部而擴(kuò)展至波紋管231的內(nèi)側(cè)的整個空間，且一部分氮?dú)饬魅氲缴递S23與蓋構(gòu)件41之間的間隙內(nèi)。然后，氮?dú)饨?jīng)由該間隙流入到處理容器I的底部區(qū)域10內(nèi)，并在處理容器I內(nèi)上升而被自排氣口 132排出。
[0086]在將晶圓W載置在載置臺2上之后，關(guān)閉閘閥12，使載置臺2上升到處理位置而形成處理空間312，并對處理容器I內(nèi)進(jìn)行壓力調(diào)整。接著，經(jīng)由氣體供給路徑311按照四氯化鈦氣體一氮?dú)庖话睔庖坏獨(dú)獾捻樞蛳虮患訜岬揭?guī)定的溫度的晶圓W的表面重復(fù)供給反應(yīng)氣體(四氯化鈦氣體、氨氣)和置換用的氣體(氮?dú)?(圖7)。其結(jié)果，使吸附在晶圓W上的反應(yīng)氣體互相反應(yīng)而形成氮化鈦(TiN)的分子層，層疊該分子層而形成氮化鈦膜。此夕卜，在圖7中示出了將四氯化鈦氣體供給到處理空間312的狀態(tài)。
[0087]在此，通過在蓋構(gòu)件41的上表面形成凹部412而使載置臺2與蓋構(gòu)件41之間的距離變大，在進(jìn)行晶圓W的成膜時，即使利用加熱器21使載置臺2的溫度上升，也能夠抑制蓋構(gòu)件41的由來自載置臺2的散熱引起的溫度上升。其結(jié)果，能夠抑制因構(gòu)成蓋構(gòu)件41的構(gòu)件的溫度上升而產(chǎn)生的腐蝕。
[0088]在晶圓W的成膜過程中，也自氮?dú)夤┙o源63b向波紋管231內(nèi)繼續(xù)供給氮?dú)?，將該氮?dú)馔ㄟ^升降軸23與蓋構(gòu)件41之間的間隙供給到底部區(qū)域10內(nèi)。并且，由于在上升到處理位置的載置臺2的周圍配置有內(nèi)環(huán)131，因此，處理容器I內(nèi)成為被劃分為載置臺2和內(nèi)環(huán)131的上部側(cè)的空間(處理空間312、排氣管道13內(nèi)的空間)以及載置臺2和內(nèi)環(huán)131的下部側(cè)的空間(底部區(qū)域10)的狀態(tài)。
[0089]流入到底部區(qū)域10的氮?dú)饨?jīng)由載置臺2與內(nèi)環(huán)131之間的間隙流入到排氣管道13內(nèi)并被排出到外部。這樣，通過使氮?dú)饬魅氲綄d置臺2的上下的空間進(jìn)行劃分的載置臺2與內(nèi)環(huán)131之間，能夠抑制在處理空間312、排氣管道13內(nèi)流動的反應(yīng)氣體進(jìn)入到底部區(qū)域10內(nèi)ο
[0090]因而，可以說，當(dāng)從波紋管231側(cè)看時，本例子的成膜裝置利用在載置臺2與內(nèi)環(huán)131之間的間隙流動的氮?dú)獾牧鲃雍驮谏递S23與蓋構(gòu)件41之間的間隙流動的氮?dú)獾牧鲃觼黼p重地抑制反應(yīng)氣體的進(jìn)入。
[0091]并且，即使反應(yīng)氣體的一部分逆著這些氮?dú)獾牧鲃佣M(jìn)入到下方側(cè)，由于升降軸23與蓋構(gòu)件41之間的間隙的高度尺寸在上下方向上變大，因此，反應(yīng)氣體也不易到達(dá)波紋管231內(nèi)。并且，通過將筒狀構(gòu)件42配置于波紋管231的內(nèi)側(cè)，即使原料氣體的一部分進(jìn)入到波紋管231內(nèi)，也能夠抑制反應(yīng)氣體進(jìn)入到具有可動部的波紋管231，從而能夠抑制因反應(yīng)生成物的附著而產(chǎn)生的微粒。另外，在筒狀構(gòu)件42與波紋管231之間的間隙中流動的氮?dú)獾牧鲃右簿哂幸种品磻?yīng)氣體到達(dá)波紋管231的內(nèi)壁面的效果。
[0092]在如此重復(fù)進(jìn)行幾十次?幾百次左右的所述反應(yīng)氣體、置換氣體的供給循環(huán)而形成期望的膜厚的氮化鈦的膜之后，停止供給氣體并停止處理容器I內(nèi)的真空排氣，使載置臺2下降，打開閘閥12而取出晶圓W。
[0093]采用本實(shí)施方式的成膜裝置，具有以下的效果。在使用成膜裝置時，一邊使蓋構(gòu)件41與升降軸23之間形成間隙，一邊將貫通口 15與升降軸23之間的開口封堵，從而形成自下方側(cè)的波紋管231向處理容器I流動的氮?dú)?吹掃氣體)的流動。