因此，反應(yīng)氣體不易進(jìn)入到波紋管231的內(nèi)側(cè)的空間，從而能夠抑制反應(yīng)生成物堆積在波紋管231的內(nèi)表面上而產(chǎn)生微粒。
[0094]在此，在蓋構(gòu)件41上設(shè)置凹部412、套筒417或在蓋構(gòu)件41與波紋管231之間設(shè)置筒狀構(gòu)件42并不是必須要件。例如，也可以如圖8所示，配置不具有凹部412、套筒417的蓋構(gòu)件41a，并省略筒狀構(gòu)件42的配置。
[0095]另外，圖9示出了將套筒417設(shè)于圓板形狀的蓋構(gòu)件41b的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)炔⒗寐菁y緊固等將該蓋構(gòu)件41b安裝于貫通口 15的下表面?zhèn)鹊目诰壊康睦?。此時(shí)，也可以將套筒417僅設(shè)于蓋構(gòu)件41b的上表面?zhèn)?。另外，也可以改變向波紋管231內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)獾奈恢?，在圖9中示出了自升降板232供給氮?dú)獾睦印?br>[0096]接著，參照?qǐng)D1、2、4、10?13說明對(duì)處理容器I內(nèi)進(jìn)行清潔的作用。
[0097]當(dāng)重復(fù)進(jìn)行以上說明的成膜動(dòng)作時(shí)，有可能在處理容器I的內(nèi)壁、器件的表面上堆積由反應(yīng)氣體產(chǎn)生的反應(yīng)生成物而導(dǎo)致產(chǎn)生微粒。因此，按照規(guī)定時(shí)間、規(guī)定張數(shù)執(zhí)行清潔。
[0098]在清潔中，在載置臺(tái)2上沒有載置晶圓W的狀態(tài)下對(duì)處理容器I內(nèi)進(jìn)行真空排氣，將壓力調(diào)節(jié)至例如66.7Pa?666.6Pa (0.5Torr?5Torr)的范圍內(nèi)的266.6Pa(2Torr)。然后，如圖10所示，使載置臺(tái)2位于比處理位置靠下方側(cè)的位置而使比內(nèi)環(huán)131靠上方側(cè)的空間(在使載置臺(tái)2移動(dòng)至處理位置時(shí)成為處理空間312的空間、排氣管道13內(nèi)的空間)和底部區(qū)域10相連通。
[0099]接著，一邊進(jìn)行壓力調(diào)節(jié)，一邊利用加熱器21將載置臺(tái)2調(diào)節(jié)至清潔用的溫度(例如180 °C?300 °C的范圍內(nèi)的200 °C )，經(jīng)由氣體供給路徑311，以例如5sccm?100sccm(O°C，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓)的范圍內(nèi)的120sccm的流量向處理容器I內(nèi)供給清潔氣體。另外，自氮?dú)夤┙o源63a向清潔氣體供給并混合例如1sccm?2000sccm的范圍內(nèi)的280sccm的氮?dú)庾鳛橄♂寶怏w，對(duì)此，沒有在圖10、圖11中示出。
[0100]在此，在圖10、圖11中，由于也對(duì)氨供給路徑321、四氯化鈦供給路徑322內(nèi)進(jìn)行清潔，因此，示出了經(jīng)由這些供給路徑321、322這兩者朝向氣體供給路徑311供給清潔氣體的例子。但是，在向氣體供給路徑311供給清潔氣體時(shí)，并不限于使用供給路徑321、322這兩個(gè)路徑的情況。根據(jù)需要，既可以僅使用任意一個(gè)供給路徑321、322，也可以以依次切換的方式使用這些供給路徑321、322。
[0101]當(dāng)經(jīng)由氣體供給路徑311自移動(dòng)到下方側(cè)的載置臺(tái)2的上表面?zhèn)认蛱幚砣萜鱅內(nèi)供給清潔氣體時(shí)，清潔氣體通過內(nèi)環(huán)131的內(nèi)側(cè)而擴(kuò)散至整個(gè)處理容器I內(nèi)。于是，能夠使清潔氣體與處理容器I的內(nèi)壁、頂板部31、內(nèi)環(huán)131、載置臺(tái)2等各器件相接觸而將反應(yīng)生成物去除。
[0102]此時(shí)，在處理容器I的底面?zhèn)?，自氮?dú)夤┙o源63b供給有例如10sccm?5000sccm的范圍內(nèi)的1500sccm的氮?dú)猓瑥亩种屏饲鍧崥怏w進(jìn)入到不是清潔的對(duì)象的波紋管231內(nèi)。因此，可以說，在自載置臺(tái)2的上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體的期間內(nèi)，自吹掃氣體供給部(氮?dú)夤┙o源63b、氮?dú)夤┙o路徑141、氮?dú)饬髀?35、氮?dú)鈬姵隹?32等)向升降軸23與蓋構(gòu)件41之間的間隙供給非活性氣體。
[0103]在如此以圖10所示的狀態(tài)進(jìn)行規(guī)定時(shí)間清潔之后，在不改變處理容器I內(nèi)的壓力設(shè)定、以及清潔氣體的供給量、稀釋氣體的供給量、自底面?zhèn)裙┙o的氮?dú)獾墓┙o量的情況下使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置(圖11)。由此，能夠向載置臺(tái)2直接吹送清潔氣體，從而能夠?qū)θ菀赘街磻?yīng)生成物的載置臺(tái)2的上表面細(xì)致地進(jìn)行清潔。此外，在通過使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置從而使載置臺(tái)2與內(nèi)環(huán)131之間的間隙的傳導(dǎo)性降低而使底部區(qū)域10的壓力上升時(shí)，也可以適當(dāng)降低自波紋管231側(cè)供給的氮?dú)獾墓┙o量。
[0104]在以規(guī)定時(shí)間執(zhí)行自位于處理位置的載置臺(tái)2的上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體之后，停止自氣體供給路徑311供給清潔氣體，再次使載置臺(tái)2移動(dòng)到比處理位置靠下方側(cè)的位置(圖12)。然后，將處理容器I內(nèi)的壓力設(shè)定值設(shè)定在例如66.7Pa?666.6Pa(0.5orr?5Torr)的范圍內(nèi)的、比自上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體時(shí)的壓力高的533.3Pa(4Torr)。
[0105]另外，將自波紋管231側(cè)供給的氮?dú)庹{(diào)節(jié)至例如10sccm?5000sccm的范圍內(nèi)的1900sccm，并自清潔氣體供給源61b供給例如5sccm?100sccm的范圍內(nèi)的400sccm的清潔氣體。當(dāng)如此同時(shí)供給氮?dú)?、清潔氣體這兩者時(shí)，如圖4所示，自蓋構(gòu)件41的清潔氣體噴出孔413朝向升降軸23側(cè)去向徑向內(nèi)側(cè)噴出清潔氣體。然后，清潔氣體與經(jīng)由升降軸23與蓋構(gòu)件41之間的間隙以呈鞘狀包圍升降軸23的側(cè)周面的方式噴出的的氮?dú)獾牧鲃?dòng)匯合并沿著升降軸23所延伸的方向朝向上方側(cè)擴(kuò)散。
[0106]如此沿著升降軸23上升的清潔氣體到達(dá)由該升降軸23支承著的載置臺(tái)2的下表面并沿著載置臺(tái)2朝向徑向外側(cè)擴(kuò)展(圖12)。其結(jié)果，使清潔氣體與載置臺(tái)2的下表面?zhèn)鹊膮^(qū)域相接觸，從而能夠去除該區(qū)域的反應(yīng)生成物，在自上表面?zhèn)冗M(jìn)行供給時(shí)清潔氣體沒有充分地遍布該區(qū)域。在進(jìn)行下表面?zhèn)鹊那鍧崟r(shí)的載置臺(tái)2的高度位置并不限于圖1的單點(diǎn)劃線所示的晶圓W的交接位置，也可以在靠近清潔氣體的噴出位置的、比交接位置進(jìn)一步靠下方側(cè)的高度位置進(jìn)行清潔。
[0107]可以說，在自載置臺(tái)2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體的期間內(nèi)，在升降軸23與蓋構(gòu)件41之間的間隙中，自吹掃氣體供給部(氮?dú)夤┙o源63b、氮?dú)夤┙o路徑141、氮?dú)饬髀?35、氮?dú)鈬姵隹?32等)供給用于使清潔氣體擴(kuò)散的擴(kuò)散氣體。另外，該擴(kuò)散用的氮?dú)膺€兼有使清潔氣體稀釋的稀釋氣體的作用。
[0108]另外，通過將自載置臺(tái)2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體時(shí)的處理容器I內(nèi)的壓力設(shè)定為比自上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體時(shí)的壓力高的壓力，能夠使清潔氣體充分地進(jìn)入到載置臺(tái)2與載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22之間而減少反應(yīng)生成物的去除不充分的區(qū)域。尤其是，如圖2所示，對(duì)于與載置臺(tái)2相接觸的彎曲部222的下表面?zhèn)鹊牟鄄?23，通過自下表面?zhèn)纫暂^高的壓力供給清潔氣體，易于使清潔氣體進(jìn)入到槽部223內(nèi)。以往，在使用不具有槽部223的載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22的情況下，難以對(duì)載置臺(tái)2與彎曲部222之間的接觸區(qū)域進(jìn)行清潔。與此相對(duì)，在實(shí)驗(yàn)上確認(rèn)了:通過使用已設(shè)有槽部223的載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22，能夠去除被形成于該區(qū)域的反應(yīng)生成物。
[0109]另外在此，通常在大多數(shù)情況下，清潔氣體與反應(yīng)生成物之間的反應(yīng)是發(fā)熱反應(yīng)，清潔時(shí)的反應(yīng)壓力的上升會(huì)導(dǎo)致反應(yīng)熱的增大而使器件的溫度上升。因此，在較低的壓力的條件下向反應(yīng)生成物較多的載置臺(tái)2的上表面?zhèn)裙┙o清潔氣體，以抑制器件的溫度上升。在對(duì)上表面?zhèn)冗M(jìn)行清潔之后，處理容器I內(nèi)的反應(yīng)生成物也在某一程度上變少，因此，即使使清潔壓力上升，器件的溫度上升也較小。因此，通過在使清潔氣體進(jìn)入難以去除反應(yīng)生成物的區(qū)域而向載置臺(tái)2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體的時(shí)刻提高清潔壓力，能夠?qū)嵤┯行У那鍧崱?br>[0110]在以上說明的、自載置臺(tái)2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體而進(jìn)行清潔的時(shí)刻，在頂板部31側(cè)，自氣體供給路徑311向處理容器內(nèi)供給氮?dú)?。其目的在于，防止處理容器?nèi)的氣體(含有反應(yīng)生成物的分解成分)進(jìn)入已經(jīng)完成清潔的氣體供給路徑311、氨供給路徑321、四氯化鈦供給路徑322內(nèi)，以將這些供給路徑311、321、322維持在清潔的狀態(tài)。因此，在該期間內(nèi)，氣體供給路徑311、氨供給路徑321、四氯化鈦供給路徑322、氮?dú)夤┙o源63a等發(fā)揮作為本實(shí)施方式的上部側(cè)非活性氣體供給部的作用。
[0111]在如所述那樣以圖12所示的狀態(tài)進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的清潔之后，在不改變處理容器I內(nèi)的壓力設(shè)定、以及清潔氣體的供給量、擴(kuò)散氣體的供給量、自頂板部31側(cè)供給的氮?dú)獾墓┙o量的情況下，使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置(圖13)。由此，使向波紋管231側(cè)移動(dòng)了的升降軸23在處理容器I內(nèi)暴露，從而能夠?qū)υ搮^(qū)域進(jìn)行清潔。此外，同樣地，在該情況下，在通過使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置從而使載置臺(tái)2與內(nèi)環(huán)131之間的間隙的傳導(dǎo)性降低且使底部區(qū)域10的壓力上升時(shí)，也可以適當(dāng)降低自波紋管231側(cè)供給的氮?dú)獾墓┙o量。另外，也可以使載置臺(tái)2移動(dòng)到比處理位置略靠下方側(cè)的位置而擴(kuò)大載置臺(tái)2與內(nèi)環(huán)131之間的間隙。
[0112]采用本實(shí)施方式的成膜裝置，具有以下的效果。該成膜裝置不僅包括用于自用于載置晶圓W的載置臺(tái)2的上表面?zhèn)认蛱幚砣萜鱅內(nèi)供給清潔氣體的第I清潔氣體供給部(氣體供給路徑311、氨供給路徑321、四氯化鈦供給路徑322、清潔氣體供給源61a等)，而且還包括用于沿著自下表面?zhèn)戎С休d置臺(tái)2的升降軸23向該載置臺(tái)2的下表面?zhèn)裙┙o清潔氣體的第2清潔氣體供給部(清潔氣體導(dǎo)入路徑415、連接流路431、清潔氣體流路434、清潔氣體供給路徑141、清潔氣體供給源61b等)。因此，使清潔氣體直接接觸自第I清潔氣體供給部供給的清潔氣體不易到達(dá)的載置臺(tái)2的下表面?zhèn)龋瑥亩軌蛴行У厍鍧嵲搮^(qū)域。
[0113]在此，來自第1、第2清潔氣體供給部的清潔氣體的供給順序、清潔時(shí)的載置臺(tái)2的位置并不限于以使用圖10?圖13說明的順序執(zhí)行的情況，也可以適當(dāng)調(diào)換這些順序。另夕卜，并不必須如使用圖10?圖13說明的例子那樣通過自第1、第2清潔氣體供給部依次供給清潔氣體來進(jìn)行清潔。也可以是例如，在使載置臺(tái)2下降到處理位置的下方側(cè)的狀態(tài)下自第1、第2清潔氣體供給部同時(shí)供給清潔氣體，之后使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置，繼續(xù)同時(shí)進(jìn)行上表面?zhèn)?、下表面?zhèn)鹊那鍧?，以謀求縮短清潔時(shí)間。此時(shí)，與使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置時(shí)相比，也可以是，在使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置的下方側(cè)時(shí)使處理容器I內(nèi)的壓力變高，從而易于經(jīng)由載置臺(tái)覆蓋構(gòu)件22的槽部223對(duì)載置臺(tái)2的周緣部進(jìn)行清潔。另外，并不一定使載置臺(tái)2移動(dòng)到處理位置的下方側(cè)和處理位置而進(jìn)行清潔。也可以是例如，在使載置臺(tái)2移動(dòng)到比處理位置靠下方側(cè)的位置的狀態(tài)固定載置臺(tái)2，自第1、第2清潔氣體供給部依次供給清潔氣體或者同時(shí)供給清潔氣體。
[0114]頂板部31的結(jié)構(gòu)也并不限于圖1等所示的例子。例如，既可以自不具有分散板33的開口部315直接供給反應(yīng)氣體、置換氣體，也可以替代分散板33而利用設(shè)有多個(gè)氣體供