薄膜晶體管及制作方法、陣列基板及制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明的至少一個實施例涉及一種薄膜晶體管及制作方法、陣列基板及制作方法和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]通常，顯示器包括陣列基板，陣列基板上設置有呈矩陣排列的薄膜晶體管，每個薄膜晶體管作為一個連接數據線和像素的開關，開和關的時間由柵線控制。以液晶顯示器為例，液晶顯示器中的陣列基板包括橫縱交叉的多條柵線和多條數據線，這些柵線和數據線限定多個像素，例如，每個像素包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與柵線電連接，薄膜晶體管的源極與數據線電連接，薄膜晶體管的漏極與像素電極電連接。
[0003]目前，金屬氧化物薄膜晶體管由于迀移率高、均一性好、透明、制作工藝簡單等優(yōu)點而備受關注?？涛g阻擋型金屬氧化物薄膜晶體管是一種常見的金屬氧化物薄膜晶體管，其制作工藝簡單，并且在金屬氧化物有源層上形成的刻蝕阻擋層可以在形成源/漏電極的過程中保護金屬氧化物有源層不被破壞，從而提高金屬氧化物薄膜晶體管的性能。
[0004]根據柵極和有源層的位置關系，金屬氧化物薄膜晶體管可以包括底柵結構和頂柵結構，即，在底柵結構中，柵極位于金屬氧化物有源層的下方，在頂柵結構中，柵極位于金屬氧化物有源層的上方。此外，在頂柵結構中，為避免金屬氧化物有源層受光，在金屬氧化物有源層下方還設置有遮光金屬層。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的至少一個實施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及其制作方法和顯示裝置，以盡量減小有源層的待與源/漏極電連接的位置處發(fā)生靜電釋放(ESD)造成的ESD損害。
[0006]本發(fā)明的至少一個實施例提供了一種薄膜晶體管，其包括:有源層；設置在所述有源層上的刻蝕阻擋層；設置在所述刻蝕阻擋層上的覆蓋層，所述覆蓋層包括導電材料層、不透光的絕緣層和不透光的半導體層中的至少一種；以及設置在所述覆蓋層上的源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層電連接。
[0007]例如，所述覆蓋層包括所述導電材料層或所述不透光的半導體層，所述有源層具有溝道區(qū)，所述覆蓋層在所述有源層的所述溝道區(qū)所在的位置處斷開。
[0008]例如，所述導電材料層的材料包括金屬或導電金屬氧化物。
[0009]例如，所述導電材料層包括金屬層，并且所述金屬層的厚度為300?1000埃。
[0010]例如，沿垂直于所述覆蓋層的方向，所述導電材料層或所述不透光的半導體層的在所述溝道區(qū)所在位置處的邊緣分別與所述源極的面向所述漏極一側的邊緣和所述漏極的面向所述源極一側的邊緣對齊。
[0011]例如，所述源極通過貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過貫穿所述刻蝕阻擋層的第二過孔與所述有源層電連接；或者所述刻蝕阻擋層在所述有源層所在面上的正投影位于所述有源層所在的區(qū)域內，且所述有源層具有分別伸出到所述刻蝕阻擋層的兩側邊緣之外的第一部分和第二部分，所述源極電連接到所述第一部分，所述漏極電連接到所述第二部分。
[0012]例如，所述有源層下方設置有金屬結構；所述第一過孔和所述第二過孔在所述金屬結構所在面上的正投影與所述金屬結構有重疊部分，或者所述有源層的所述第一部分和所述第二部分在所述金屬結構所在面上的正投影都與所述金屬結構有重疊部分。
[0013]例如，所述薄膜晶體管還包括柵極，所述柵極位于所述有源層之下，所述金屬結構包括所述柵極；或者所述柵極位于所述有源層之上，所述金屬結構包括遮光金屬層。
[0014]例如，所述有源層的材料包括金屬氧化物。
[0015]本發(fā)明的至少一個實施例還提供了一種陣列基板，其包括上述任一項所述的薄膜晶體管。
[0016]本發(fā)明的至少一個實施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。
[0017]本發(fā)明的至少一個實施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該方法包括:形成有源層；形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層形成在所述有源層上；形成覆蓋層，所述覆蓋層形成在所述刻蝕阻擋層上并且包括導電材料層、不透光的絕緣層和不透光的半導體層中的至少一種；以及形成源極和漏極，所述源極和所述漏極形成在所述覆蓋層上并且與所述有源層電連接。
[0018]例如，形成所述刻蝕阻擋層和所述覆蓋層包括:形成刻蝕阻擋層薄膜，所述刻蝕阻擋層薄膜形成在所述有源層上；在所述刻蝕阻擋層薄膜上形成覆蓋層薄膜；在所述覆蓋層薄膜上形成光刻膠薄膜，對所述光刻膠薄膜進行曝光、顯影處理后形成光刻膠圖案；以所述光刻膠圖案為掩膜對所述覆蓋層薄膜進行刻蝕，以形成覆蓋層圖案；以所述光刻膠圖案或所述覆蓋層圖案為掩膜，對所述刻蝕阻擋層薄膜進行刻蝕，以形成所述刻蝕阻擋層。
[0019]例如，形成所述覆蓋層圖案還包括形成位于所述覆蓋層圖案中的第一覆蓋層過孔和第二覆蓋層過孔；形成所述刻蝕阻擋層還包括形成位于所述刻蝕阻擋層中的對應所述第一覆蓋層過孔的第一刻蝕阻擋層過孔和對應所述第二覆蓋層過孔的第二刻蝕阻擋層過孔。
[0020]例如，形成所述覆蓋層圖案時使所述覆蓋層圖案在所述有源層所在面上的正投影位于所述有源層所在區(qū)域之內；形成所述刻蝕阻擋層時使所述有源層具有伸出所述刻蝕阻擋層的兩側邊緣之外的第一部分和第二部分；其中，所述源極電連接到所述第一部分，所述漏極電連接到所述第二部分。
[0021]例如，所述覆蓋層包括所述導電材料層或所述不透光的半導體層。在這種情況下，在形成所述刻蝕阻擋層之后，在所述覆蓋層圖案上形成源漏金屬層薄膜；對所述源漏金屬層薄膜進行圖案化處理以形成所述源極和所述漏極；以及對所述覆蓋層圖案進行刻蝕，以使所述覆蓋層圖案在所述源極和所述漏極之間的位置處斷開。
[0022]本發(fā)明的至少一個實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述任一項所述的方法制作。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。
[0024]圖1a為一種底柵結構的金屬氧化物薄膜晶體管的剖視示意圖；
[0025]圖1b為制作圖1a所示的薄膜晶體管的刻蝕阻擋層時進行曝光處理的示意圖；
[0026]圖1c為對刻蝕阻擋層薄膜進行圖案化處理的曝光過程中發(fā)生靜電釋放的示意圖；
[0027]圖2a為本發(fā)明實施例一提供的一種薄膜晶體管的剖視示意圖；
[0028]圖2b為本發(fā)明實施例一提供的又一種薄膜晶體管的剖視示意圖；
[0029]圖2c為本發(fā)明實施例一提供的另一種薄膜晶體管的剖視示意圖；
[0030]圖3a為本發(fā)明實施例二提供的一種薄膜晶體管的剖視示意圖；
[0031]圖3b為本發(fā)明實施例二提供的又一種薄膜晶體管的剖視示意圖；
[0032]圖3c為本發(fā)明實施例二提供的另一種薄膜晶體管的剖視示意圖。
[0033]圖4a至圖4f為本發(fā)明實施例三提供的制作如圖2a所示的薄膜晶體管的各步驟的不意圖；
[0034]圖5a至5f為本發(fā)明實施例三提供的制作如圖2b和圖2c所示的薄膜晶體管的各步驟的不意圖。
【具體實施方式】
[0035]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0036]除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本發(fā)明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。
[0037]圖1a為一種底柵結構的金屬氧化物薄膜晶體管的剖視示意圖。如圖1a所示，該薄膜晶體管包括柵極01、設置在柵極01上的柵絕緣層02、設置在柵絕緣層02上的金屬氧化物(例如氧化銦鎵鋅)有源層03、設置在金屬氧化物有源層03上的刻蝕阻擋層04和設置在刻蝕阻擋層04上的源極05a和漏極05b，源極05a和漏極05b分別通過刻蝕阻擋層04中的過孔04a和過孔04b與有源層03電連接。
[0038]通常，圖1a所示的薄膜晶體管的制作方法包括如下步驟SOl至步驟S05，下面詳細介紹這些步驟。
[0039]步驟SOl:沉積柵金屬層薄膜，并通過一次圖案化處理形成柵極01。
[0040]步驟S02:在柵極01上沉積柵絕緣層薄膜，并通過一次圖案化處理形成柵絕緣層02和位于柵絕緣層02中的過孔(圖1a中未示出)。
[0041]步驟S