層時，該不透光的半導(dǎo)體層可以采用本領(lǐng)域常用的材料，例如，硅或其它材料。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要對該不透光的半導(dǎo)體層的厚度進(jìn)行設(shè)置，只要保證其不透光即可。此外，為了避免該覆蓋層將源極和漏極電連接在一起，該覆蓋層在薄膜晶體管中的設(shè)置方式可以與實施例一提供的薄膜晶體管中的覆蓋層的設(shè)置方式類似，此處不再贅述。
[0068]實施例三
[0069]針對實施例一提供的薄膜晶體管，例如圖2a至圖2c所示的薄膜晶體管，本實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該制作方法包括:形成有源層；形成刻蝕阻擋層，該刻蝕阻擋層形成在有源層上；形成覆蓋層，該覆蓋層形成在刻蝕阻擋層上并且包括導(dǎo)電材料層；以及形成源極和漏極，該源極和該漏極形成在覆蓋層上并且與有源層電連接。
[0070]例如，形成刻蝕阻擋層和覆蓋層可以包括以下步驟S31至步驟S35，下面詳細(xì)介紹這些步驟。
[0071]步驟S31:形成刻蝕阻擋層薄膜，使刻蝕阻擋層薄膜形成在有源層上。
[0072]在該步驟中，刻蝕阻擋層薄膜可以是經(jīng)過圖案化處理的薄膜。例如，刻蝕阻擋層薄膜可以與有源層在一次圖案化處理中一起形成，也就是說，可以形成有源層材料(例如導(dǎo)電金屬氧化物材料)的膜層和位于其上的刻蝕阻擋層材料的膜層，之后對二者同時進(jìn)行圖案化處理以形成有源層和上述刻蝕阻擋層薄膜。
[0073]或者，刻蝕阻擋層薄膜也可以是未經(jīng)圖案化處理的薄膜。S卩，可以在形成有源層之后，在有源層之上形成刻蝕阻擋層材料的膜層作為刻蝕阻擋層薄膜。
[0074]步驟S32:在刻蝕阻擋層薄膜上形成覆蓋層薄膜。例如，覆蓋層薄膜的材料可以包括金屬或?qū)щ娊饘傺趸铩?br>[0075]步驟S33:在覆蓋層薄膜上形成光刻膠薄膜，對光刻膠薄膜進(jìn)行曝光、顯影處理后形成光刻膠圖案。
[0076]步驟S34:以步驟S33中形成的光刻膠圖案為掩膜對覆蓋層薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成覆蓋層圖案。
[0077]步驟S35:以步驟S33中形成的光刻膠圖案或步驟S34中形成的覆蓋層圖案為掩膜，對刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成刻蝕阻擋層。
[0078]在至少一個示例中，源極和漏極可以分別通過刻蝕阻擋層中的過孔與有源層電連接。在這種情況下，例如，步驟S34中的形成覆蓋層圖案還包括:形成位于覆蓋層圖案中的第一覆蓋層過孔和第二覆蓋層過孔；步驟S35中的形成刻蝕阻擋層還包括形成位于刻蝕阻擋層中的對應(yīng)第一覆蓋層過孔的第一刻蝕阻擋層過孔和對應(yīng)第二覆蓋層過孔的第二刻蝕阻擋層過孔。例如，第一覆蓋層過孔和第一刻蝕阻擋層過孔構(gòu)成第一過孔，第二覆蓋層過孔和第二刻蝕阻擋層過孔構(gòu)成第二過孔，源極通過第一過孔與有源層電連接，漏極通過第二過孔與有源層電連接。
[0079]或者，在至少一個示例中，源極和漏極也可以不通過過孔與有源層電連接。在這種情況下，例如，在步驟S34中，形成覆蓋層圖案時可以使覆蓋層圖案在有源層所在面上的正投影位于有源層所在區(qū)域之內(nèi)；在步驟S35中，形成刻蝕阻擋層時可以使刻蝕阻擋層在有源層所在面上的正投影位于有源層所在區(qū)域內(nèi)，并且使有源層具有伸出刻蝕阻擋層的兩側(cè)邊緣之外的第一部分和第二部分。在后續(xù)步驟中源極可以電連接到有源層的第一部分，漏極可以電連接到有源層的第二部分。
[0080]在上述示例中，可以通過調(diào)整步驟S33中對光刻膠薄膜進(jìn)行曝光的位置，使在光刻膠圖案中形成多個過孔或者使光刻膠圖案在有源層所在面上的正投影位于有源層所在區(qū)域之內(nèi)，從而使步驟S34中形成的覆蓋層圖案也相應(yīng)地具有過孔或正投影位于有源層所在區(qū)域之內(nèi)。
[0081]由于覆蓋層包括導(dǎo)電材料層，為了形成有源層的溝道區(qū)，本實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，形成覆蓋層、源極和漏極例如可以包括步驟S361?S363，下面進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0082]步驟S361:在形成刻蝕阻擋層之后，在覆蓋層圖案上形成源漏金屬層薄膜。
[0083]步驟S362:對源漏金屬層薄膜進(jìn)行圖案化處理以形成源極和漏極。
[0084]步驟S363:對覆蓋層圖案進(jìn)行刻蝕，以使覆蓋層圖案在源極和漏極之間的位置處斷開。需要說明的是，該步驟S363也可以與步驟S362在上述同一次圖案化處理過程中進(jìn)行。
[0085]例如，針對圖2a所示的薄膜晶體管，如圖4a至圖4f所示，本實施例的至少一個示例提供的制作方法可以包括如下步驟S41?步驟S45，下面詳細(xì)介紹這些步驟。
[0086]步驟S41:形成有源層30，如圖4a所示。
[0087]例如，可以先形成有源層材料(例如導(dǎo)電金屬氧化物材料)的薄膜，之后對該薄膜進(jìn)行圖案化處理以形成有源層30。
[0088]步驟S42:形成刻蝕阻擋層薄膜40'，刻蝕阻擋層薄膜40'形成在有源層30上，如圖4a所示。
[0089]刻蝕阻擋層薄膜40'的形成方式可參考上述步驟S31中的相關(guān)描述，重復(fù)之處不再贅述。圖4a以刻蝕阻擋層薄膜40'在有源層30形成之后形成為例進(jìn)行說明。當(dāng)刻蝕阻擋層薄膜40'與有源層30通過同一次圖案化處理形成時，刻蝕阻擋層薄膜40'與有源層30的邊緣大致對齊。
[0090]步驟S43:在刻蝕阻擋層薄膜40'上形成覆蓋層薄膜60'，如圖4a所示；對覆蓋層薄膜60'進(jìn)行圖案化處理，以形成覆蓋層圖案60"和位于覆蓋層圖案60"中的第一覆蓋層過孔60a和第二覆蓋層過孔60b，如圖4c所示。
[0091]例如，對覆蓋層薄膜60'進(jìn)行圖案化處理包括:在覆蓋層薄膜60'上形成光刻膠薄膜70'，并對光刻膠薄膜70'進(jìn)行曝光處理，曝光位置對應(yīng)有源層30的待與源極和漏極電連接的部分，如圖4a所示；之后，進(jìn)行顯影處理，去除被光照射到的光刻膠，從而得到光刻膠圖案70"和位于其中的多個光刻膠過孔，如圖4b所示；之后，以光刻膠圖案70"為掩膜對覆蓋層薄膜60'進(jìn)行刻蝕，以形成覆蓋層圖案60"及其中的過孔60a和60b，如圖4c所示。
[0092]步驟S44:以步驟S43中形成的光刻膠圖案70"或覆蓋層圖案60"為掩膜，對刻蝕阻擋層薄膜40'進(jìn)行刻蝕，以形成刻蝕阻擋層40以及位于刻蝕阻擋層40中的對應(yīng)第一覆蓋層過孔60a的第一刻蝕阻擋層過孔40a和對應(yīng)第二覆蓋層過孔60b的第二刻蝕阻擋層過孔40b，第一覆蓋層過孔60a和第一刻蝕阻擋層過孔40a構(gòu)成第一過孔1，第二覆蓋層過孔60b和第二刻蝕阻擋層過孔40b構(gòu)成第二過孔2，如圖4d所示。
[0093]在該步驟中，在形成刻蝕阻擋層40之后，可以去除覆蓋層圖案60"上的光刻膠圖案70"，如圖4e所示。
[0094]步驟S45:在覆蓋層圖案60"上形成源漏金屬層薄膜50 '，使源漏金屬層薄膜50'覆蓋第一過孔I和第二過孔2，如圖4f所示；對源漏金屬層薄膜50'和覆蓋層圖案60"進(jìn)行一次圖案化處理以形成源極50a、漏極50b和覆蓋層60，源極50a通過第一過孔I與有源層30電連接，漏極50b通過第二過孔2與有源層30電連接，覆蓋層60在有源層30的溝道區(qū)33所在位置處斷開，如圖2a所示。
[0095]針對圖2b和圖2c所示的薄膜晶體管，如圖5a至圖5f所示，本實施例的至少一個示例提供的制作方法例如包括如下步驟S51?步驟S55，下面詳細(xì)介紹這些步驟。
[0096]步驟S51:形成有源層30，如圖5a所示。
[0097]步驟S52:在有源層30上形成刻蝕阻擋層薄膜40'，如圖5a所示。
[0098]步驟S53:在刻蝕阻擋層薄膜40'上形成覆蓋層薄膜60'，對覆蓋層薄膜60'進(jìn)行圖案化處理，以形成覆蓋層圖案60"，覆蓋層圖案60"在有源層所在面上的正投影位于有源層30所在區(qū)域之內(nèi)，如圖5c所示。
[0099]例如，對覆蓋層薄膜60'進(jìn)行圖案化處理包括:在覆蓋層薄膜60'上形成光刻膠薄膜70'，并對光刻膠薄膜70'進(jìn)行曝光處理，非曝光位置對應(yīng)有源層30的待形成溝道區(qū)的部分，其余為曝光位置，如圖5a所示；之后，進(jìn)行顯影處理，去除被光照射到的光刻膠，從而得到光刻膠圖案70"，光刻膠圖案70"在有源層30所在面上的正投影位于有源層30所在區(qū)域之內(nèi)，如圖5b所示；之后，以光刻膠圖案70"為掩膜對覆蓋層薄膜60'進(jìn)行刻蝕，以形成覆蓋層圖案60"，如圖5c所示。
[0100]步驟S54:以步驟S53中形成的光刻膠圖案70"或覆蓋層圖案60"為掩膜，對刻蝕阻擋層薄膜40'進(jìn)行刻蝕，以形成刻蝕阻擋層40，使刻蝕阻擋層40在有源層30所在面上的正投影位于有源層30所在區(qū)域內(nèi)，并且使有源層30具有位于刻蝕阻擋層40的正投影之外的第一部分31和第二部分32，如圖5d所不。
[0101]在該步驟中，在形成刻蝕阻擋層40之后，可以去除覆蓋層圖案60"上的光刻膠圖案70"，如圖5e所示。
[0102]步驟S55:在覆蓋層圖案60"上形成源漏金屬層薄膜5(V，如圖5f所示；對源漏金屬層薄膜50'和覆蓋層圖案60"進(jìn)行圖案化處理以形成源極50a、漏極50b和覆蓋層60，源極50a通過有源層30的第一部分31與有源層30連接，漏極50b通過有源層30的第二部分32與有源層30電連接，覆蓋層60在有源層30的溝道區(qū)33所在位置處斷開，如圖2b和圖2c所示。
[0103]當(dāng)然，針對底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，例如圖2a和圖2b所示的薄膜晶體管，其制作方法還包括:在形成有源層30之前，形成柵極10和位于柵極10之上的柵絕緣層20。針對頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，例如圖