03:在柵絕緣層02上沉積金屬氧化物薄膜，并通過(guò)一次圖案化處理形成金屬氧化物有源層03。
[0042]步驟S04:在金屬氧化物有源層03上沉積刻蝕阻擋層薄膜，并通過(guò)一次圖案化處理形成刻蝕阻擋層04和位于刻蝕阻擋層04中的過(guò)孔04a和過(guò)孔04b。
[0043]步驟S05:在刻蝕阻擋層04上沉積源漏金屬層薄膜，并通過(guò)一次圖案化處理形成源極05a和漏極05b，使源極05a和漏極05b分別通過(guò)過(guò)孔04a和過(guò)孔04b與金屬氧化物有源層03電連接。
[0044]在研究中，本申請(qǐng)的發(fā)明人注意到，在步驟S04中，對(duì)刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行圖案化處理通常包括:如圖1b所示，對(duì)形成在刻蝕阻擋層薄膜04'上的光刻膠07進(jìn)行曝光，曝光位置對(duì)應(yīng)刻蝕阻擋層薄膜04'的待形成過(guò)孔04a和過(guò)孔04b的位置04a'和04b'(如圖1b中的虛線所示)；之后，通過(guò)顯影、刻蝕等處理，以形成刻蝕阻擋層04以及刻蝕阻擋層04中的過(guò)孔04a和過(guò)孔04b。
[0045]由于刻蝕阻擋層薄膜04'通常采用氧化硅等材料制作，在對(duì)光刻膠07進(jìn)行曝光時(shí)，光線可透過(guò)刻蝕阻擋層薄膜04'照射到金屬氧化物有源層03上，這導(dǎo)致金屬氧化物有源層03的待與源極和漏極電連接的位置處發(fā)生靜電釋放(簡(jiǎn)稱(chēng)ESD，如圖1c所示)的幾率大大增加。這是因?yàn)?在曝光過(guò)程中，金屬氧化物有源層03的待與源極和漏極電連接的部分(即第一部分03a和第二部分03b，如圖1b中的虛線所示)因被光照射而導(dǎo)體化的幾率大大增加，導(dǎo)致金屬氧化物有源層03在第一部分03a和第二部分03b處容易與柵極01之間產(chǎn)生電容，該電容可大大提高ESD的發(fā)生幾率。ESD容易導(dǎo)致金屬氧化物有源層03下方的柵極01與金屬氧化物有源層03上方的源/漏極05a、05b之間發(fā)生短路。
[0046]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及其制作方法以及顯示裝置。在該薄膜晶體管中，設(shè)置于有源層上的刻蝕阻擋層上設(shè)置有覆蓋層，該覆蓋層包括導(dǎo)電材料層、不透光的絕緣層和不透光的半導(dǎo)體層中的至少一種。在形成刻蝕阻擋層及其中的過(guò)孔的圖案化處理的曝光過(guò)程中，即使有源層的待與源/漏極電連接的位置處發(fā)生ESD，導(dǎo)電材料層也可以起到分散電流的作用，從而盡量避免因有源層的待與源/漏極電連接的位置處發(fā)生ESD而導(dǎo)致有源層下方的金屬層與有源層上方的源漏金屬層之間發(fā)生短路的現(xiàn)象；不透光的絕緣層或不透光的半導(dǎo)體層可以避免有源層的待與源/漏極電連接的部分被光照射而導(dǎo)體化，從而降低有源層的待與源/漏極電連接的位置處發(fā)生ESD的幾率，進(jìn)而盡量避免該金屬層與有源層上方的源漏金屬層之間發(fā)生短路的現(xiàn)象。
[0047]實(shí)施例一
[0048]本實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，如圖2a至圖2c所述，該薄膜晶體管包括:有源層30 ;設(shè)置在有源層30上的刻蝕阻擋層40 ;設(shè)置在刻蝕阻擋層40上的覆蓋層60 ;以及設(shè)置在覆蓋層60上的源極50a和漏極50b，源極50a和漏極50b與有源層30電連接。在本實(shí)施例中，覆蓋層60包括導(dǎo)電材料層，即覆蓋層60的材料包括導(dǎo)電材料。這樣，在通過(guò)圖案化處理形成刻蝕阻擋層及其中的過(guò)孔的過(guò)程中，即使有源層30的待與源極50a和漏極50b電連接的位置處發(fā)生ESD，覆蓋層60也可以將電流分散出去，從而減少ESD損害。
[0049]在至少一個(gè)示例中，導(dǎo)電材料層在有源層30的溝道區(qū)33所在位置處可以斷開(kāi)。由于覆蓋層60包括導(dǎo)電材料層，通過(guò)使導(dǎo)電材料層在有源層30的溝道區(qū)33所在位置處斷開(kāi)，可以避免源極50a和漏極50b通過(guò)該導(dǎo)電材料層電連接在一起，從而使有源層30形成溝道區(qū)33。圖2a至圖2c以覆蓋層60為導(dǎo)電材料層為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖2a至圖2c所示，覆蓋層60在有源層30的溝道區(qū)33所在的位置處斷開(kāi)。當(dāng)然，本實(shí)施例也可以采用本領(lǐng)域常用的其它的使有源層30形成溝道區(qū)33的方式。
[0050]在至少一個(gè)示例中，覆蓋層60包括的導(dǎo)電材料層的材料可以包括金屬或?qū)щ娊饘傺趸?。例如，金屬可以包括鋁、銅、鋯、鉬和鈦等金屬中的至少一種或幾種。例如，導(dǎo)電金屬氧化物可以包括氧化銦鎵鋅、氧化銦錫和氧化銦鋅等導(dǎo)電金屬氧化物中的至少一種或幾種。當(dāng)然，覆蓋層包括的導(dǎo)電材料層也可以采用其它導(dǎo)電材料。
[0051]例如，導(dǎo)電材料層的材料包括金屬時(shí)，S卩，導(dǎo)電材料層包括金屬層時(shí)，該金屬層的厚度可以為300?1000埃。這樣可以實(shí)現(xiàn)在對(duì)覆蓋層進(jìn)行曝光的過(guò)程中避免光線因透過(guò)該金屬層而照射到有源層上，從而可以進(jìn)一步降低有源層的待與源極和漏極電連接的位置處發(fā)生ESD的幾率。
[0052]此外，無(wú)論導(dǎo)電材料層的材料包括金屬還是金屬氧化物材料，導(dǎo)電材料層都可以與源極和漏極通過(guò)一次圖案化處理形成，在該圖案化處理的過(guò)程中，導(dǎo)電材料層可以與形成與源極和漏極的源漏金屬層薄膜同時(shí)刻蝕，或者以源極和漏極為掩膜對(duì)導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕，這樣可以節(jié)省工藝和掩模板。在這種情況下，沿垂直于覆蓋層的方向，導(dǎo)電材料層的在有源層的溝道區(qū)所在位置處的邊緣可以分別與源極的面向漏極一側(cè)的邊緣和漏極的面向源極一側(cè)的邊緣大致對(duì)齊。
[0053]例如，如圖2a至圖2c所示，覆蓋層60為導(dǎo)電材料層，沿垂直于覆蓋層60的方向，覆蓋層60在有源層30的溝道區(qū)33所在處的邊緣63可以與源極50a的面向漏極50b —側(cè)的邊緣51大致對(duì)齊，邊緣64可以與漏極50b的面向源極50a —側(cè)的邊緣52大致對(duì)齊。也就是說(shuō)，覆蓋層60可以包括位于源極50a和刻蝕阻擋層40之間的第一部分61以及位于漏極50b和刻蝕阻擋層40之間的第二部分62，第一部分61和第二部分62都位于有源層30的與源極50a和漏極50b電連接的位置之間，并且第一部分61與第二部分62之間的距離與源極50a和漏極50b之間的距離相等。由于對(duì)薄膜進(jìn)行圖案化處理時(shí)形成的圖案的邊緣未必是完全垂直于該圖案所在的面，因此，此處的“相等”可以是指“大致相等”。
[0054]在至少一個(gè)示例中，源極50a和漏極50b可以分別通過(guò)過(guò)孔與有源層30電連接，如圖2a所示，源極50a可以通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層40的第一過(guò)孔I與有源層30電連接，漏極50b可以通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層40的第二過(guò)孔2與有源層30電連接。
[0055]在至少一個(gè)示例中，源極50a和漏極50b也可以不通過(guò)過(guò)孔與有源層30電連接。例如，如圖2b和圖2c所示，刻蝕阻擋層40在有源層30所在面上的正投影可以位于有源層30所在的區(qū)域內(nèi)，有源層30具有分別伸出到刻蝕阻擋層40的兩側(cè)邊緣41、42之外的第一部分31和第二部分32，第一部分31和第二部分32都位于刻蝕阻擋層40的正投影之外，源極50a電連接到第一部分31，漏極50b電連接到第二部分32。
[0056]在至少一個(gè)示例中，在有源層30下方設(shè)置有金屬結(jié)構(gòu)80，金屬結(jié)構(gòu)80與有源層30之間設(shè)置有絕緣層90，并且有源層30的分別與源極50a和漏極50b電連接的部分都與該金屬結(jié)構(gòu)80在垂直于該金屬結(jié)構(gòu)80所在面的方向上交疊。
[0057]例如，在圖2a所示情形中，第一過(guò)孔I和第二過(guò)孔2在金屬結(jié)構(gòu)80所在面上的正投影與金屬結(jié)構(gòu)80有重疊部分。
[0058]例如，在圖2b和圖2c所示情形中，在該薄膜晶體管中，有源層30的第一部分31和第二部分32在金屬結(jié)構(gòu)80所在面上的正投影都與金屬結(jié)構(gòu)80有重疊部分。
[0059]在至少一個(gè)示例中，薄膜晶體管還包括柵極10，如圖2a和圖2b所示，柵極10可以位于有源層30之下，即該薄膜晶體管可以為底柵結(jié)構(gòu)，在這種情況下，該柵極10可以作為上述金屬結(jié)構(gòu)80，柵絕緣層20可以作為上述絕緣層90。當(dāng)然，本實(shí)施例提供的薄膜晶體管也可以為頂柵結(jié)構(gòu)。如圖2c所示，柵極10可以位于有源層30之上，在這種情況下，在有源層30下方設(shè)置有金屬結(jié)構(gòu)80，金屬結(jié)構(gòu)80可以為遮光金屬層，用于防止薄膜晶體管的有源層30受光。
[0060]由于有源層30的材料包括金屬氧化物時(shí)，有源層30的待與源極和漏極電連接的部分在受光時(shí)導(dǎo)體化的幾率大大增加，導(dǎo)致有源層30的待與源極和漏極電連接的位置處發(fā)生ESD的幾率大大增加。因此，本實(shí)施例尤其適用于有源層30的材料包括金屬氧化物材料的薄膜晶體管。當(dāng)然，有源層30也可以采用其它的容易在有源層30的待與源極和漏極電連接的位置處受光情況下發(fā)生較嚴(yán)重的ESD現(xiàn)象的材料。
[0061]由于有源層的材料包括金屬氧化物，為盡量避免影響其性能，與有源層接觸的絕緣層的材料可以包括氧化硅，例如，圖2a和圖2b中的刻蝕阻擋層40和柵絕緣層20、圖2c中的刻蝕阻擋層40和絕緣層90可以采用氧化硅材料制作。當(dāng)然，與有源層接觸的絕緣層也可以采用本領(lǐng)域常用的其它材料。
[0062]實(shí)施例二
[0063]本實(shí)施例提供的薄膜晶體管與實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的區(qū)別在于:覆蓋層60為不透光的絕緣層，即覆蓋層60的材料為不透光的絕緣材料，如圖3a至圖3c所示。
[0064]由于覆蓋層60為絕緣層，其在有源層30的溝道區(qū)(圖中未標(biāo)出)所在處可以是連續(xù)的。即覆蓋層60可以不斷開(kāi)即可形成有源層30的溝道區(qū)。
[0065]例如，該不透光的絕緣層可以為黑色樹(shù)脂材料。當(dāng)然，也可以是本領(lǐng)域常用的其它不透光的絕緣材料。
[0066]本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的各組成部分的設(shè)置可參考實(shí)施例一中的相關(guān)描述，重復(fù)之處不再贅述。
[0067]上述實(shí)施例一和實(shí)施例二分別以覆蓋層為導(dǎo)電材料層和不透光的絕緣層為例進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)覆蓋層為不透光的半導(dǎo)體