2c所示的薄膜晶體管，其制作方法，還包括:在形成有源層30之前，形成金屬結(jié)構(gòu)80和位于金屬結(jié)構(gòu)80之上的絕緣層90 ;在形成源極50a、漏極50b和覆蓋層60之后，在源極50a和漏極50b上形成柵絕緣層20和位于柵絕緣層20上的柵極10。
[0104]實(shí)施例四
[0105]針對實(shí)施例二提供的薄膜晶體管，例如圖3a至圖3c所示的薄膜晶體管，本實(shí)施例提供了另一種薄膜晶體管的制作方法，其包括:形成有源層；形成刻蝕阻擋層，刻蝕阻擋層形成在有源層上；形成覆蓋層，覆蓋層形成在刻蝕阻擋層上并且為不透光的絕緣層；以及形成源極和漏極，源極和漏極形成在覆蓋層上并且與有源層電連接。
[0106]本實(shí)施例提供的制作方法與實(shí)施例三提供的制作方法類似，不同之處在于:可以不對覆蓋層的對應(yīng)有源層的溝道區(qū)的部分進(jìn)行刻蝕，即覆蓋層在有源層的溝道區(qū)所在位置處可以是連續(xù)的。
[0107]例如，對于圖3a所示的薄膜晶體管，本實(shí)施例提供的制作方法可以包括上述步驟S41至步驟S45 ;并且，在步驟S43中形成的覆蓋層圖案即為覆蓋層，在步驟S45中可以不對覆蓋層圖案進(jìn)行刻蝕。
[0108]例如，對于圖3b和圖3c所示的薄膜晶體管，本實(shí)施例提供的制作方法可以包括上述步驟S51至步驟S55 ;并且，在步驟S53中形成的覆蓋層圖案即為覆蓋層，在步驟S55中可以不對覆蓋層圖案進(jìn)行刻蝕。
[0109]本實(shí)施例提供的制作方法可參考實(shí)施例三中的相關(guān)描述，重復(fù)之處不做贅述。
[0110]實(shí)施例五
[0111]本實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法。
[0112]本實(shí)施例提供的陣列基板包括上述實(shí)施例一或?qū)嵤├峁┑谋∧ぞw管。
[0113]例如，該陣列基板可以為用于液晶顯示裝置中的陣列基板，在這種情況下，該陣列基板還包括像素電極，像素電極可以與薄膜晶體管的漏極電連接。當(dāng)然，該陣列基板也可以為OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)陣列基板等其它類型的陣列基板。
[0114]由于薄膜晶體管具有設(shè)置在刻蝕阻擋層上的覆蓋層，該覆蓋層包括導(dǎo)電材料層和不透光的絕緣層中的至少一種，因此，在制作刻蝕阻擋層的過程中，該覆蓋層可分散發(fā)生ESD時(shí)的電流和/或起到避免有源層的待與源/漏極電連接的部分受光而導(dǎo)體化的作用，因而該覆蓋層可以減小ESD損害，例如，可以盡量避免有源層上方的源漏金屬層與有源層下方的金屬層(例如柵金屬層)之間發(fā)生短路。本實(shí)施例提供的陣列基板包括該薄膜晶體管，因而，該陣列基板也具有類似效果。
[0115]本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，該陣列基板包括薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管采用上述實(shí)施例三或?qū)嵤├奶峁┑姆椒ㄖ谱鳌?br>[0116]當(dāng)然，該陣列基板的制作方法還包括形成其它膜層，例如，用于液晶顯示的陣列基板還包括形成像素電極層，例如，OLED陣列基板還包括形成陽極層和陰極層等。這些膜層可以采用本領(lǐng)域常用的方式形成，本實(shí)施例不做贅述。
[0117]以上實(shí)施例三至實(shí)施例五僅以覆蓋層為導(dǎo)電材料層或不透光的絕緣層為例對薄膜晶體管的制作方法和陣列基板的制作方法進(jìn)行說明。當(dāng)覆蓋層為不透光的半導(dǎo)體層時(shí)，薄膜晶體管和陣列基板的制作方法與實(shí)施例三類似，此處不再贅述。
[0118]實(shí)施例六
[0119]本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，其包括實(shí)施例五提供的陣列基板。
[0120]例如，該顯示裝置可以包括相對設(shè)置的陣列基板與對置基板，該對置基板例如為彩膜基板。在一些實(shí)施例中，該顯示裝置還可以包括為陣列基板提供背光的背光源。
[0121]例如，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0122]以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管，包括: 有源層； 設(shè)置在所述有源層上的刻蝕阻擋層； 設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上的覆蓋層，其中，所述覆蓋層包括導(dǎo)電材料層、不透光的絕緣層和不透光的半導(dǎo)體層中的至少一種；以及 設(shè)置在所述覆蓋層上的源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極與所述有源層電連接。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述覆蓋層包括所述導(dǎo)電材料層或所述不透光的半導(dǎo)體層，所述有源層具有溝道區(qū)，所述覆蓋層在所述有源層的所述溝道區(qū)所在的位置處斷開。3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中， 所述導(dǎo)電材料層的材料包括金屬或?qū)щ娊饘傺趸铩?.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，所述導(dǎo)電材料層包括金屬層，并且所述金屬層的厚度為300?1000埃。5.如權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其中，沿垂直于所述覆蓋層的方向，所述導(dǎo)電材料層或所述不透光的半導(dǎo)體層的在所述溝道區(qū)所在位置處的邊緣分別與所述源極的面向所述漏極一側(cè)的邊緣和所述漏極的面向所述源極一側(cè)的邊緣對齊。6.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其中， 所述源極通過貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過貫穿所述刻蝕阻擋層的第二過孔與所述有源層電連接；或者 所述刻蝕阻擋層在所述有源層所在面上的正投影位于所述有源層所在的區(qū)域內(nèi)，且所述有源層具有分別伸出到所述刻蝕阻擋層的兩側(cè)邊緣之外的第一部分和第二部分，所述源極電連接到所述第一部分，所述漏極電連接到所述第二部分。7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中， 所述有源層下方設(shè)置有金屬結(jié)構(gòu)； 所述第一過孔和所述第二過孔在所述金屬結(jié)構(gòu)所在面上的正投影與所述金屬結(jié)構(gòu)有重疊部分，或者所述有源層的所述第一部分和所述第二部分在所述金屬結(jié)構(gòu)所在面上的正投影都與所述金屬結(jié)構(gòu)有重疊部分。8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，還包括柵極，其中， 所述柵極位于所述有源層之下，所述金屬結(jié)構(gòu)包括所述柵極；或者 所述柵極位于所述有源層之上，所述金屬結(jié)構(gòu)包括遮光金屬層。9.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其中，所述有源層的材料包括金屬氧化物。10.一種陣列基板，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。11.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求10所述的陣列基板。12.一種薄膜晶體管的制作方法，包括: 形成有源層； 形成刻蝕阻擋層，其中，所述刻蝕阻擋層形成在所述有源層上； 形成覆蓋層，其中，所述覆蓋層形成在所述刻蝕阻擋層上并且包括導(dǎo)電材料層、不透光的絕緣層和不透光的半導(dǎo)體層中的至少一種；以及 形成源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極形成在所述覆蓋層上并且與所述有源層電連接。13.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中，形成所述刻蝕阻擋層和所述覆蓋層包括: 形成刻蝕阻擋層薄膜，其中，所述刻蝕阻擋層薄膜形成在所述有源層上； 在所述刻蝕阻擋層薄膜上形成覆蓋層薄膜； 在所述覆蓋層薄膜上形成光刻膠薄膜，對所述光刻膠薄膜進(jìn)行曝光、顯影處理后形成光刻膠圖案； 以所述光刻膠圖案為掩膜對所述覆蓋層薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成覆蓋層圖案；以及以所述光刻膠圖案或所述覆蓋層圖案為掩膜，對所述刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成所述刻蝕阻擋層。14.如權(quán)利要求13所述的制作方法，其中， 形成所述覆蓋層圖案還包括形成位于所述覆蓋層圖案中的第一覆蓋層過孔和第二覆蓋層過孔； 形成所述刻蝕阻擋層還包括形成位于所述刻蝕阻擋層中的對應(yīng)所述第一覆蓋層過孔的第一刻蝕阻擋層過孔和對應(yīng)所述第二覆蓋層過孔的第二刻蝕阻擋層過孔， 其中，所述第一覆蓋層過孔和所述第一刻蝕阻擋層過孔構(gòu)成第一過孔，所述第二覆蓋層過孔和所述第二刻蝕阻擋層過孔構(gòu)成第二過孔，所述源極通過所述第一過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層電連接。15.如權(quán)利要求13所述的制作方法，其中， 形成所述覆蓋層圖案時(shí)使所述覆蓋層圖案在所述有源層所在面上的正投影位于所述有源層所在區(qū)域之內(nèi)； 形成所述刻蝕阻擋層時(shí)使所述有源層具有伸出所述刻蝕阻擋層的兩側(cè)邊緣之外的第一部分和第二部分； 其中，所述源極電連接到所述第一部分，所述漏極電連接到所述第二部分。16.如權(quán)利要求14或15所述的制作方法，其中，所述覆蓋層包括所述導(dǎo)電材料層或所述不透光的半導(dǎo)體層； 在形成所述刻蝕阻擋層之后，在所述覆蓋層圖案上形成源漏金屬層薄膜； 對所述源漏金屬層薄膜進(jìn)行圖案化處理以形成所述源極和所述漏極；以及對所述覆蓋層圖案進(jìn)行刻蝕，以使所述覆蓋層圖案在所述源極和所述漏極之間的位置處斷開。17.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管采用如權(quán)利要求12-16任一項(xiàng)所述的方法制作。
【專利摘要】一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及其制作方法以及顯示裝置。該薄膜晶體管包括：有源層；設(shè)置在所述有源層上的刻蝕阻擋層；設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上的覆蓋層，所述覆蓋層包括導(dǎo)電材料層、不透光的絕緣層和不透光的半導(dǎo)體層中的至少一種；以及設(shè)置在所述覆蓋層上的源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層電連接。該覆蓋層可以盡量減小有源層的待與源/漏極電連接的位置處發(fā)生ESD造成的ESD損害。
【IPC分類】H01L29/786, H01L21/336, H01L29/06
【公開號】CN105161519
【申請?zhí)枴緾N201510516319
【發(fā)明人】崔承鎮(zhèn), 金宰弘
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月20日