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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法_2

文檔序號(hào):9439210閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
含有CNT復(fù)合體和有機(jī)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層中的CNT復(fù)合體的含量,相對(duì)于有機(jī)半 導(dǎo)體100重量份而言優(yōu)選為0.Ol重量份W上3重量份W下,更優(yōu)選為1重量份W下。
[0049] 另外,半導(dǎo)體層4可W進(jìn)一步含有絕緣性材料。作為此處使用的絕緣性材料,可舉 出本發(fā)明的絕緣材料組合物、聚(甲基丙締酸甲醋)、聚碳酸醋、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋等 聚合物材料,但并不特別限定于此。
[0050] 半導(dǎo)體層4可W為單層也可W為復(fù)數(shù)層,膜厚優(yōu)選為InmW上200nmW下,進(jìn)一步 優(yōu)選為IOOnmW下。通過(guò)為該范圍的膜厚,變得容易形成均勻的薄膜,進(jìn)而能夠抑制無(wú)法由 柵極電壓控制的源極?漏極間電流,進(jìn)一步提高FET的開(kāi)關(guān)電流比。膜厚可W通過(guò)原子力 顯微鏡、楠圓率測(cè)量法等測(cè)定。
[0051] 作為半導(dǎo)體層4的形成方法,雖然也可W采用電阻加熱蒸鍛、電子射線、瓣射、CVD 等干式方法,但是從制造成本、適合大面積的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選使用涂布法。作為涂布法,可使 用與上述組合物的說(shuō)明同樣的方法,可W根據(jù)涂膜厚度控制、取向控制等想要得到的涂膜 特性來(lái)選擇涂布方法。此外,對(duì)于形成的涂膜,可W在大氣下、減壓下或非活性氣體氣氛下 (氮、氣氣氛下)進(jìn)行退火處理。
[0052] 此外,也可W在柵極絕緣層3和半導(dǎo)體層4之間設(shè)置取向性層。取向性層可使用 硅烷化合物、鐵化合物、有機(jī)酸、雜有機(jī)酸化eteroorganicacids)等已知的材料,特別優(yōu)選 為有機(jī)硅烷化合物。作為上述有機(jī)硅烷化合物,沒(méi)有特別限定,具體而言,可舉出苯基=氯 硅烷、糞基=氯硅烷、蔥基=氯硅烷、巧基=氯硅烷、巧基=氯硅烷、暈苯基=氯硅烷、嚷吩 基二氯硅烷、化咯基二氯硅烷、化晚基二氯硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、糞 基=甲氧基硅烷、糞基=乙氧基硅烷、蔥基=甲氧基硅烷、蔥基=乙氧基硅烷、巧基=甲氧 基硅烷、巧基二乙氧基硅烷、嗟吩基二甲氧基硅烷、嗟吩基二乙氧基硅烷、苯基甲基二氯娃 燒、苯基乙基=氯硅烷、苯基丙基=氯硅烷、苯基下基=氯硅烷、苯基己基=氯硅烷、苯基辛 基二氯硅烷、糞基甲基二氯硅烷、糞基乙基二氯硅烷、恩基甲基二氯硅烷、恩基乙基二氯娃 燒、巧基甲基=氯硅烷、巧基乙基=氯硅烷、嚷吩基甲基=氯硅烷、嚷吩基乙基=氯硅烷、氨 基苯基=氯硅烷、徑基苯基=氯硅烷、氯苯基=氯硅烷、二氯苯基=氯硅烷、=氯苯基=氯 硅烷、漠苯基=氯硅烷、氣苯基=氯硅烷、二氣苯基=氯硅烷、=氣苯基=氯硅烷、四氣苯基 =氯硅烷、五氣苯基=氯硅烷、艦苯基=氯硅烷、氯基苯基=氯硅烷等。
[0053] 取向性層優(yōu)選由含有有機(jī)硅烷化合物的單分子層或分子的集合體形成,但是若考 慮到取向性層的電阻,則取向性層的膜厚優(yōu)選為IOnmW下,進(jìn)一步優(yōu)選為單分子膜。另外, 含有硅烷化合物的取向性層還包括硅烷化合物中的官能團(tuán)與柵極絕緣層表面進(jìn)行化學(xué)鍵 合而形成的取向性層。通過(guò)上述官能團(tuán)(例如,=氯甲娃烷基)與柵極絕緣層表面進(jìn)行化 學(xué)反應(yīng),可W形成致密且牢固的膜。在反應(yīng)后的牢固的膜上層合有未反應(yīng)的硅烷化合物的 情況下,可W通過(guò)清洗等來(lái)除去未反應(yīng)的硅烷化合物,得到上述官能團(tuán)與柵極絕緣層表面 進(jìn)行化學(xué)鍵合而形成的單分子膜。
[0054] 作為取向性層的形成方法,沒(méi)有特別限定,可舉出CVD法等氣相法、旋涂法、浸潰 提拉法等使用了液相的方法。
[0055] 可W在形成取向性層之前,利用UV臭氧法、氧等離子體法等方法對(duì)將成為其基底 的柵極絕緣層表面進(jìn)行親水化處理。由此,可W容易地進(jìn)行上述官能團(tuán)與柵極絕緣層表面 的化學(xué)反應(yīng)。
[0056] 本發(fā)明中,在相對(duì)于半導(dǎo)體層4而言與柵極絕緣層3相反的一側(cè)可W具有第2 絕緣層。此處,所謂相對(duì)于半導(dǎo)體層而言與柵極絕緣層相反的一側(cè),例如,在半導(dǎo)體層的 上側(cè)具有柵極絕緣層的情況下,是指半導(dǎo)體層的下側(cè)。由此,能夠減少闊值電壓、滯后 (hysteresis),可獲得高性能的FET。作為第2絕緣層中使用的材料,沒(méi)有特別限定,具體而 言可舉出氧化娃、氧化侶等無(wú)機(jī)材料、聚酷亞胺、其衍生物、聚乙締醇、聚氯乙締、聚對(duì)苯二 甲酸乙二醇醋、聚偏氣乙締、聚硅氧烷、其衍生物、聚乙締基苯酪、其衍生物等聚合物材料、 或無(wú)機(jī)材料粉末與聚合物材料的混合物、有機(jī)低分子材料與聚合物材料的混合物。上述物 質(zhì)中,優(yōu)選使用可W通過(guò)噴射等涂布法制作的聚合物材料。特別是若使用聚氣乙締、聚降 冰片締、聚硅氧烷、聚酷亞胺、聚苯乙締、聚碳酸醋或它們的衍生物、聚丙締酸衍生物、聚甲 基丙締酸衍生物、或含有它們的共聚物,則闊值電壓及滯后的減少效果變得更加顯著,故優(yōu) 選,特別優(yōu)選為聚丙締酸衍生物、聚甲基丙締酸衍生物、或含有它們的共聚物。
[0057] 第2絕緣層的膜厚通常為50皿~10Jim,優(yōu)選為100皿~3Jim。第2絕緣層可W 為單層也可W為復(fù)數(shù)層。此外,可W由復(fù)數(shù)種絕緣性材料形成1個(gè)層,也可W將復(fù)數(shù)種絕緣 性材料進(jìn)行層合而形成。
[0058] 作為上述第2絕緣層7的形成方法,沒(méi)有特別限定,可W采用電阻加熱蒸鍛、電子 射線、瓣射、CVD等干式方法,但是從制造成本、適合大面積的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選使用涂布法。作 為涂布法,可使用與上述組合物的說(shuō)明同樣的方法。
[0059] 形成的FET可W通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制在源電極與漏電極之間流過(guò)的電流。 FET的遷移率可W使用下述(a)式算出。
[0060] y= ( 5Id/ 5Vg)L?D/(W?er?e?Vsd) (a)
[OOW] 其中,Id為源極?漏極間的電流,Vsd為源極?漏極間的電壓,Vg為柵極電壓,D為柵極絕緣層的厚度,L為溝道長(zhǎng)度,W為溝道寬度,Ef為柵極絕緣層的比介電常數(shù),e為 真空介電常數(shù)化85X10叩/m)。 陽(yáng)06引闊值電壓可W由Id-Vg圖中的線性部分的延長(zhǎng)線與Vg軸的交點(diǎn)求出。此外,將Vg=-20V處的柵極電流值作為漏電流。 W63] <組合物〉
[0064] 本發(fā)明的組合物的特征在于,含有(a)通式(I)表示的金屬馨合物、(b)重均分子 量為1000W上的聚合物、及(C)溶劑,相對(duì)于(a)通式(1)表示的金屬馨合物100重量份 而言,化)重均分子量為1000W上的聚合物的含量為5~90重量份。 W65] R1xM(0R2)yx (1)
[0066] 此處,Ri表示一價(jià)二齒配位體,存在復(fù)數(shù)個(gè)R咐,各個(gè)R可W相同也可W不同。R2 表示氨、烷基、酷基或芳基,存在復(fù)數(shù)個(gè)R2時(shí),各個(gè)R2可W相同也可W不同。M表示y價(jià)的 金屬原子。Y為1~6。X表示1~y的整數(shù)。
[0067] 所謂Ri所表示的一價(jià)二齒配位體,是指具有一個(gè)與金屬(其用作配位的對(duì)象)共 價(jià)鍵合的基團(tuán)和一個(gè)與該金屬配位鍵合的基團(tuán)的化合物。所謂共價(jià)鍵合的基團(tuán),可舉出徑 基、琉基、簇基等通過(guò)脫質(zhì)子而可W與金屬原子共價(jià)鍵合的基團(tuán)。所謂配位鍵合的基團(tuán),可 舉出幾基、硫代幾基、臘基、氨基、亞氨基、氧化麟基等。Ri的碳原子數(shù)沒(méi)有特別限定,但從形 成膜時(shí)的熱分解性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選為3W上20W下,更優(yōu)選為3W上12W下。 W側(cè)所謂R2中的烷基,例如,表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正下基、仲下基、叔下基、 環(huán)丙基、環(huán)己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂肪族控基,它們可W具有取代基也可W不具 有取代基。具有取代基的情況下,所追加的取代基沒(méi)有特別限制,例如,可舉出烷氧基、芳基 等,所述取代基還可W進(jìn)一步具有取代基。此外,烷基的碳原子數(shù)沒(méi)有特別限定,但從容易 獲得、成本的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選為1W上20W下,更優(yōu)選為1W上8W下。
[0069] 所謂R2中的酷基,表示乙酷基、己酷基、苯甲酯基等幾基鍵的一方被脂肪族控基或 芳香族基團(tuán)取代而成的官能團(tuán),所述脂肪族控基或芳香族基團(tuán)可W具有取代基也可W不具 有取代基??峄奶荚訑?shù)沒(méi)有特別限定,優(yōu)選為2W上40W下的范圍。
[0070] 所謂R2中的芳基,例如,表示苯基、糞基、聯(lián)苯基、蔥基、菲基、S聯(lián)苯基、巧基等芳 香族控基、及巧喃基、嚷吩基、苯并巧喃基、二苯并巧喃基、化晚基、哇嘟基等芳香族雜環(huán)基, 它們可W具有取代基也可W不具有取代基。芳基的碳原子數(shù)沒(méi)有特別限定,優(yōu)選為3~40 的范圍。
[0071] 另外,所謂上文中作為取代基列舉的烷氧基,例如,表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等 將酸鍵的一方用脂肪族控基取代而成的官能團(tuán),該脂肪族控基可W具有取代基也可W不具 有取代基。烷氧基的碳原子數(shù)沒(méi)有特別限定,優(yōu)選為1W上20W下的范圍。
[0072] 作為y價(jià)的金屬原子,只要能夠形成金屬馨合物則沒(méi)有特別限定,可舉出儀、侶、 鐵、銘、儘、鉆、儀、銅、鋒、嫁、錯(cuò)、釘、鈕、銅、給、銷等。y為1~6,為根據(jù)金屬原子的種類而 確定的值。其中,從容易獲得、成本的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選從侶、鐵、錯(cuò)及銅中選擇。
[0073] 金屬馨合物中,穩(wěn)定性優(yōu)異的下述通式(2)表示的侶馨合物是優(yōu)選的。
[0074] RI3AI似
[007引此處,Ri與通式(1)中相同,各個(gè)R可W相同也可W不同。
[0076]對(duì)于通式(1)和(2)而言,因?yàn)槟軌騑低成本獲得并可W形成穩(wěn)定的馨合物,所W其中優(yōu)選Ri為P-二酬衍生物或P-酬酸醋衍生物。 陽(yáng)077] 作為0-二酬衍生物,具體而言可舉出2,4-戊二酬、2,4-己二酬、2,4-庚二酬、3, 5-庚二酬、2,4-辛二酬、3, 5-辛二酬、2,4-癸二酬、2,4-十二燒二酬、2,6-二甲基-3, 5-庚 二酬、2, 2,6-S甲基-3, 5-庚二酬、2, 2,6,6-四甲基-3, 5-庚二酬、2, 2,6,6-四甲基-3, 5-辛二酬、3-甲基-2,4-戊二酬、3-乙基-3,5-庚二酬、苯甲酯丙酬、二苯甲酯甲燒、1-(化 晚-2-基)-1,3-下二酬、I- ([I比晚-2-基)-2, 5-戊二酬、I-氨基-2,4-戊二酬等。 陽(yáng)07引作為0-酬酸醋衍生物,具體而言可舉出乙酷乙酸甲醋、乙酷乙酸乙醋、乙酷乙酸 異丙醋、乙酷乙酸叔下醋、乙酷乙酸正下醋、乙酷乙酸苯醋、丙酷基乙酸乙醋、下酷基乙酸乙 醋、戊酷基乙酸乙醋、己酷基乙酸乙醋、辛酷基乙酸乙醋、癸酷基乙酸乙醋、十二酷基乙酸乙 醋、2-甲基丙酷基乙酸乙醋、2, 2-二甲基下酷基乙酸乙醋、苯甲酯基乙酸乙醋、對(duì)茵香酷 基乙酸乙醋、2-化晚乙酸乙醋(et的l-2-py;rid^oylacetate)、丙締酷基乙酸乙醋(et^l ac巧Iylacetate)、1-氨基下酷基乙酸醋、a -乙酷基丙酸乙醋等。
[0079] 通式(2)表示的侶馨合物中,若考慮到馨合物在溶劑中的溶解性、組合物的穩(wěn)定 性,則優(yōu)選通式(2)中的3個(gè)Ri中的至少1個(gè)與其他2個(gè)不同?;谕瑯拥睦碛?,優(yōu)選Ri 中的至少一個(gè)為0-酬酸醋衍生物。
[0080] 作為上述列舉的通式(1)表示的金屬馨合物,具體而言可舉出W下的例子。作為侶 馨合物,可舉出二乙氧基侶(2,4-戊二酬)(diethoxyaluminum(2,4-pentanedionato))、 二異丙氧基侶(2,4-戊二酬)、二乙氧基侶(2,4-己二酬)、二乙氧基侶(3,5-己二酬)、二 乙氧基侶化4-辛二酬)、二乙氧基侶苯甲酯丙酬、二乙氧基侶(1-(化晚-2-基)-1,3-下 酬)、二乙氧基侶乙酷乙酸甲醋、二異丙氧基侶乙酷乙酸甲醋、二乙氧基侶乙酷乙酸乙醋、二 乙氧基侶乙酷乙酸異丙醋、二乙氧基侶-乙酷乙酸叔下醋、二乙氧基侶下酷基乙酸乙醋、二 乙氧基侶苯甲酯基乙酸乙醋、乙氧基侶雙(2,4-戊二酬)、異丙氧基侶雙(2,4-戊二酬)、乙 氧基侶雙(2,4-己二酬)、乙氧基侶雙(3, 5-己二酬)、乙氧基侶雙化4-辛二酬)、乙氧基 侶雙(苯甲酯丙酬)、乙氧基侶雙(1-(化晚-2-基)-1,3-下酬)、乙氧基侶雙(丙締酷基乙 酸乙醋)、乙氧基侶雙(乙酷乙酸甲醋)、異丙氧基侶雙(乙酷乙酸甲醋)、乙氧基侶雙(乙 酷乙酸乙醋)、乙氧基侶雙(乙酷乙酸異丙醋)、乙氧基侶雙(乙酷乙酸叔下醋)、乙氧基侶 雙(下酷基乙酸乙醋)、乙氧基侶雙(苯甲酯基乙酸乙醋)、乙氧基侶雙(丙締酷基乙酸乙 醋)、S化4-戊二酬)侶、S(1,1,3,3-四氣-2,4-戊二酬)侶、S化4-己二酬)侶、S (3,5-己二酬)侶、S(2,4-辛二酬)侶、S(苯甲酯丙酬)侶、S(1-(化晚-2-基)-1, 3-下酬)侶、S化6-二甲基-3,5-庚酬)侶、S化2,6-^甲基-3,5-庚酬)侶、S(2, 2,6,6-四甲基-3,5-辛二酬)侶、S(1-氨基-2,4-戊二酬)侶、S(乙酷乙酸甲醋)侶、 S(乙酷乙酸甲醋)侶、S(乙酷乙酸乙醋)侶、S(乙酷乙酸異丙醋)侶、S(乙酷乙酸 叔下醋)侶、S(下酷基乙酸乙醋)侶、S(戊酷基乙酸乙醋)侶、S(2-甲基丙酷基乙酸 乙醋)侶、S(苯甲酯基乙酸乙醋)侶、S(2-化晚乙酸乙醋)侶、S(1-氨基下酷基乙酸 醋)侶、S(a-乙酷基丙酸乙醋)侶、S(丙締酷基乙酸乙醋)侶、乙氧基侶單(乙酷乙酸 乙醋)單(乙酷乙酸異丙醋)、乙氧基侶單(乙酷乙酸乙醋)單(3,5-己二酬)、雙(乙酷 乙酸乙醋)單(乙酷乙酸異丙醋)侶、雙(乙酷乙酸乙醋)單(3,5-己二酬)侶、立(丙二 酸二乙醋)侶、S(丙二酸二辛醋)侶、S(甲基丙二酸二乙醋)侶、S(苯基丙二酸二乙 醋)侶、=(乙基硫代乙酷乙酸醋)侶、=(2-乙酷基苯酪鹽)侶、=(2-(化晚-2-基)苯 酪鹽)侶等。
[0081] 作為錯(cuò)馨合物,可舉出S乙氧基錯(cuò)(2,4-戊二酬)、S異丙氧基錯(cuò)(2,4-戊二酬)、 S乙氧基錯(cuò)(2,4-己二酬)、S乙氧基錯(cuò)(3, 5-己二酬)、S乙氧基錯(cuò)苯甲酯丙酬、S乙氧基 錯(cuò)乙酷乙酸甲醋、S異丙氧基錯(cuò)乙酷乙酸甲醋、S乙氧基錯(cuò)乙酷乙酸乙醋、S乙氧基錯(cuò)乙酷 乙酸異丙醋、=乙氧基錯(cuò)-乙酷乙酸叔下醋、=乙氧基錯(cuò)下酷基乙酸乙醋、=乙氧基錯(cuò)苯甲 酷基乙酸乙醋、二乙氧基錯(cuò)雙(2,4-戊二酬)、二異丙氧基錯(cuò)雙(2,4-戊二酬)、二乙氧基錯(cuò) 雙(2,4-己二酬)、二乙氧基錯(cuò)雙(3,5-己二酬)、二乙氧基錯(cuò)雙(苯甲酯丙酬)、二乙氧基錯(cuò) 雙(乙酷乙酸甲醋)、二異丙氧基錯(cuò)雙(乙酷乙酸甲醋)、二乙氧基錯(cuò)雙(乙酷乙酸乙醋)、 二乙氧基錯(cuò)雙(乙酷乙酸異丙醋)、二乙氧基錯(cuò)雙(乙酷乙酸叔下醋)、二乙氧基錯(cuò)雙(下 酷基乙酸乙醋)、二乙氧基錯(cuò)雙(苯甲酯基乙酸乙醋)、乙氧基錯(cuò)S(2,4-戊二酬)、異丙氧 基錯(cuò)立化4-戊二酬)、乙氧基錯(cuò)立化4-己二酬)、乙氧基錯(cuò)立(3, 5-己二酬)、乙氧基錯(cuò) S(苯甲酯丙酬)、乙氧基錯(cuò)S(乙酷乙酸甲醋)、異丙氧基錯(cuò)S(乙酷乙酸甲醋)、乙氧基 錯(cuò)S(乙酷乙酸乙醋)、乙氧基錯(cuò)S(乙酷乙酸異丙醋)、乙氧基錯(cuò)S(乙酷乙酸叔下醋)、 乙氧基錯(cuò)S(下酷基乙酸乙醋)、乙氧基錯(cuò)S(苯甲酯基乙酸乙醋)、四化4-戊二酬)錯(cuò)、 四化4-己二酬)錯(cuò)、四(3,5-己二酬)錯(cuò)、四(苯甲酯丙酬)錯(cuò)、四化6-二甲基-3,5-庚 酬)錯(cuò)、四(2, 2,6-S甲基-3, 5-庚酬)錯(cuò)、四(乙酷乙酸甲
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