^os制）等。 陽13引 作為有機(jī)娃系表面活性劑，可舉出甜28PA、SH7PA、甜21PA、甜30PA、ST94PA(均為 東麗.道康寧.有機(jī)娃（株）制）、BYK-333度YK-化emieJapan(株）制）等。作為其他 表面活性劑的例子，可舉出聚氧乙締十二烷基酸、聚氧乙締十八烷基酸、聚氧乙締壬基苯基 酸、聚氧乙締二硬脂酸醋等。
[0139] 就本發(fā)明的組合物而言，從使用其而得到的膜的絕緣性、膜形成性、耐化學(xué)藥品性 高的觀點(diǎn)考慮，也可W廣泛用作絕緣膜形成用材料。其中，若用作FET中的柵極絕緣膜用材 料，則能夠減少FET的闊值電壓、漏電流，可W發(fā)揮理想的FET特性。本發(fā)明中所謂的絕緣 膜，是指體積電阻率（其為電流過困難程度的指標(biāo)）為IO8Q-cmW上的膜。 陽140] <場效應(yīng)晶體管的制造方法〉 陽141] 給出圖1所示的FET的制造方法。該FET的制造方法包括將組合物涂布在襯底上 并進(jìn)行干燥從而形成柵極絕緣層的工序。需要說明的是，制造方法不限于下述方法。
[0142] 首先，在襯底1上形成柵電極2。形成方法可舉出例如金屬蒸鍛、旋涂法、刮刀涂 布法、縫模涂布法法、網(wǎng)板印刷法、棒涂法、鑄型法、印刷轉(zhuǎn)印法、浸潰提拉法、噴射法等已知 的方法。需要說明的是，可W使用掩模等直接形成圖案，也可W在形成的柵電極上涂布抗蝕 劑，將抗蝕劑膜進(jìn)行曝光?顯影為所期望的圖案后進(jìn)行蝕刻，由此將柵電極圖案化。 陽143] 接著，在上述襯底上形成柵極絕緣層3。將組合物涂布在玻璃襯底、塑料襯底上進(jìn) 行干燥，根據(jù)需要對(duì)得到的涂布膜進(jìn)行熱處理，由此可W形成絕緣膜。作為柵極絕緣層3的 形成方法，可舉出旋涂法、刮刀涂布法、縫模涂布法法、網(wǎng)板印刷法、棒涂法、鑄型法、印刷轉(zhuǎn) 印法、浸潰提拉法、噴射法等已知涂布方法。作為涂布膜的熱處理溫度，優(yōu)選在100~300°C 的范圍內(nèi)。從在塑料襯底上形成絕緣膜的觀點(diǎn)考慮，進(jìn)一步優(yōu)選為20(TCW下。此外，為含 有（f)光酸產(chǎn)生劑的組合物的情況下，可W通過將涂布膜曝光、顯影后進(jìn)行熱處理而形成 絕緣膜。干燥溫度優(yōu)選為50~150 °C。
[0144] 柵極絕緣層3由單層構(gòu)成或者由復(fù)數(shù)層構(gòu)成。對(duì)復(fù)數(shù)層的情況來說，可W將本發(fā) 明的絕緣膜層合為復(fù)數(shù)層，也可W將本發(fā)明的絕緣膜與已知的絕緣膜層合。作為已知的絕 緣膜，沒有特別限定，可使用氧化娃、氧化侶等無機(jī)材料、聚酷亞胺、聚乙締醇、聚氯乙締、聚 對(duì)苯二甲酸乙二醇醋、聚偏氣乙締、聚硅氧烷、聚乙締基苯酪（PV巧等聚合物材料、或無機(jī) 材料粉末與聚合物材料的混合物。
[0145] 可W在如上所述得到柵極絕緣層的過程中對(duì)涂布膜或絕緣膜實(shí)施圖案化。作為 一例，對(duì)使用含有（f)光酸產(chǎn)生劑的組合物而得的涂布膜的圖案形成進(jìn)行說明。通過具有 所期望的圖案的掩模，從涂布膜的上方照射（曝光）化學(xué)射線。作為曝光中使用的化學(xué)射 線，有紫外線、可見光線、電子射線、X射線等，本發(fā)明中優(yōu)選利用隸燈的i線（365nm)、h線 (405nm)、g線（436nm)。接著，對(duì)曝光后的涂布膜進(jìn)行顯影。作為顯影液，優(yōu)選為四甲基氨 氧化錠、二乙醇胺、二乙基氨基乙醇、氨氧化鋼、氨氧化鐘、碳酸鋼、碳酸鐘、=乙胺、二乙胺、 甲胺、二甲胺、乙酸二甲基氨基乙基醋、二甲基氨基乙醇、甲基丙締酸二甲基氨基乙醋、環(huán)己 基胺、乙締二胺、六亞甲基二胺等顯示堿性的化合物的水溶液，可W含有1種或2種W上。此 夕F，也可W在所述堿水溶液中混合N-甲基-2-化咯燒酬、N，N-二甲基甲酯胺、N，N-二甲基 乙酷胺、二甲基亞諷、丫-下內(nèi)醋、二甲基丙締酷胺等極性溶劑、甲醇、乙醇、異丙醇等醇類、 乳酸乙基醋、丙二醇單甲酸乙酸醋等醋類、環(huán)戊酬、環(huán)己酬、異下基酬、甲基異下基酬等酬類 等進(jìn)行使用。顯影后通常利用水進(jìn)行沖洗處理，但也可W將乙醇、異丙醇等醇類、乳酸乙醋、 丙二醇單甲酸乙酸醋等醋類等加入到水中進(jìn)行沖洗處理。 陽146] 另外，也可W在絕緣膜上涂布抗蝕劑，將抗蝕劑膜曝光?顯影為所期望的圖案后， 利用氨氣酸等蝕刻液進(jìn)行處理，由此將絕緣膜圖案化。若為該方法，則即使為不含（f)光酸 產(chǎn)生劑的組合物也能進(jìn)行圖案化。 陽147] 接著，形成源電極及漏電極。作為源電極5及漏電極6的形成方法，與上述柵電極 2同樣地，可舉出例如金屬蒸鍛、旋涂法、刮刀涂布法、縫模涂布法法、網(wǎng)板印刷法、棒涂法、 鑄型法、印刷轉(zhuǎn)印法、浸潰提拉法、噴射法等已知的方法。需要說明的是，可W使用掩模等直 接形成圖案，也可W在形成的電極上涂布抗蝕劑，將抗蝕劑膜曝光?顯影為所期望的圖案后 進(jìn)行蝕刻，由此將源電極及漏電極圖案化。
[0148] 接著，利用上述形成方法形成半導(dǎo)體層4,制造FET。進(jìn)而，也可W追加下述工序： 利用上述形成方法形成柵極絕緣層3與半導(dǎo)體層4之間的取向性層、在相對(duì)于半導(dǎo)體層4 而言與柵極絕緣層3相反的一側(cè)形成第2絕緣層。
[0149] 本發(fā)明的組合物及絕緣膜可W有利地用于薄膜的場效應(yīng)晶體管、光電元件、開關(guān) 元件等各種器件的制造。 陽150] 實(shí)施例 陽151] W下，舉出實(shí)施例來說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于所述實(shí)施例。需要說明的 是，通過W下的（1)~（3)來說明實(shí)施例中的各評(píng)價(jià)法。 陽巧2] (1)固態(tài)成分濃度測定 陽15引稱取Ig想要測定的溶液至侶杯（aluminumcup)中，使用加熱板于250°C加熱30 分鐘使液態(tài)組分蒸發(fā)。對(duì)加熱后的殘留在侶杯中的固態(tài)成分進(jìn)行稱量，求出溶液的固態(tài)成 分濃度。
[0154] 0)重均分子量測定
[0K5] 聚硅氧烷的重均分子量如下求出：利用孔徑為0.45ym膜濾器對(duì)樣品進(jìn)行過濾 后，使用GPCaOSOH(株）制化C-8220GPC)(展開劑：四氨巧喃，展開速度：0.4ml/分鐘）通 過換算為聚苯乙締而求出。
[0156] 0)元素分析
[0157] 在超高真空中對(duì)想要測定的膜照射軟X射線，通過檢測從表面釋放的光電子的X 射線光電子能譜法（PHI公司制如anteraSXM)對(duì)膜中的元素信息、元素量進(jìn)行分析。 陽158] 實(shí)施例1 陽巧9] (1)半導(dǎo)體溶液的制作
[0160]將 0.IOg聚 3-己基嚷吩（Al化ichChemicalCo.，Inc.制，Regioregular,數(shù)均分 子量（Mn) :13000,W下稱為P3HT)加入到已加有5ml氯仿的燒瓶中，在超聲波清洗機(jī)（井內(nèi) 盛榮堂（株）制US-2,輸出功率120W)中通過超聲波攬拌得到P3HT的氯仿溶液。接著，將 用滴液吸管（spuit)吸取該溶液并W每次0. 5ml的方式滴入到甲醇20ml和0.IN鹽酸IOml 的混合溶液中，進(jìn)行再沉淀。利用孔徑為0. 1ym的膜濾器（PTFE公司制：四氣乙締）將成 為固體的P3HT濾出并捕集，用甲醇充分測洗后，通過真空干燥除去溶劑。進(jìn)而再次進(jìn)行溶 解和再沉淀，得到90mg的再沉淀P3HT。 陽W] 接下來，將1. 5mgCNT(CNI公司制，單層CNT，純度95% )和1. 5mg上述P3HT加入 到15ml的氯仿中，一邊進(jìn)行冰冷一邊利用超聲波均化器（東京理化器械（株）制VCX-500)W輸出功率250W進(jìn)行超聲波攬拌30分鐘。在進(jìn)行了 30分鐘超聲波照射的時(shí)刻暫時(shí)停止 照射，補(bǔ)加1. 5mgP3HT，進(jìn)而超聲波照射1分鐘，由此得到CNT分散液A(CNT復(fù)合體相對(duì)于 溶劑的濃度為0.lg/1)。
[0162] 接下來，制作用于形成半導(dǎo)體層4的半導(dǎo)體溶液。使用膜濾器（孔徑為IOiim，直 徑為 25mm，MilliporeCo巧.制Omniporemembranefilter)對(duì)上述CNT分散液A進(jìn)行過 濾，除去長度為10ymW上的CNT復(fù)合體。在5ml得到的濾液中加入45ml二氯苯，制成半 導(dǎo)體溶液A(CNT復(fù)合體相對(duì)于溶劑的濃度為0.Olg/1)。
[0163] (2)組合物（絕緣材料溶液）的制作
[0164] 將甲基S甲氧基硅烷61.29g化45摩爾）、2-(3,4-環(huán)氧基環(huán)己基）乙基S甲氧基 硅烷12. 31g化05摩爾）、及苯基S甲氧基硅烷99. 15g(0. 5摩爾）溶解在203. 36g丙二醇 單下基酸（沸點(diǎn)170°C)中，一邊攬拌一邊向其中加入54. 90g水、0. 86?憐酸。將得到的溶 液于浴溫105°C加熱2小時(shí)，將內(nèi)溫升至90°C，使主要含有副產(chǎn)物甲醇的成分饋出。接著， 于浴溫130°C加熱2. 0小時(shí)，將內(nèi)溫升至118°C，使主要含有水和丙二醇單下基酸的成分饋 出，然后冷卻至室溫，得到固態(tài)成分濃度為26. 0重量％的聚硅氧烷溶液A。得到的聚硅氧烷 的重均分子量為6000。 陽1化]量取IOg得到的聚硅氧烷溶液A，與13g雙（乙酷基乙酸乙醋）單化4-戊二 酬）侶（商品名"AlumichelateD"、KawakenFineQiemicalsCo. ,Ltd.制，W下稱為 AlumichelateD)和42g丙二醇單乙基酸乙酸醋（W下，稱為PGMEA)混合，于室溫?cái)埌?小 時(shí)，得到絕緣材料溶液A(固態(tài)成分濃度為24重量％ )。本溶液中的上述聚硅氧烷的含量相 對(duì)于AlumichelateD100重量份而言為20重量份。將上述絕緣材料溶液A在空氣中于室 溫保存，結(jié)果即使經(jīng)過1個(gè)月也未觀察到析出物，是穩(wěn)定的。 陽166] (3)陽T的制作 陽167]審1]作圖1所示的陽T。通過電阻加熱法利用掩模在玻璃制的襯底1 (膜厚0. 7mm) 上真空蒸鍛5皿的銘及50皿的金，形成柵電極2。接著，將按照上述（2)中記載的方法制作 的絕緣材料溶液A采用旋涂法涂布（800rpmX20秒）在上述形成有柵電極的玻璃襯底上， 于120°C熱處理5分鐘后，再次采用旋涂法涂布（800巧mX20秒）絕緣材料溶液A，在氮?dú)?流下于200°C熱處理30分鐘，由此形成膜厚為400nm的柵極絕緣層3。接著，通過電阻加熱 法，真空蒸鍛金W使得膜厚成為50nm，在其上采用旋涂法涂布（1000巧mX20秒）光致抗蝕 劑（商品名"LC100-10cP"，Rohmand化asCompany制），于100°C加熱干燥10分鐘。使用 平行光光刻機(jī)（佳能（株）制PLA-501巧將制作的光致抗蝕劑膜經(jīng)由掩模進(jìn)行圖案曝光后， 使用自動(dòng)顯影裝置（漲澤產(chǎn)業(yè)（株）制AD-2000)利用作為2. 38重量％四甲基氨氧化錠水 溶液的ELM-D(商品名，=菱氣體化學(xué)（株）制）進(jìn)行70秒鐘噴淋顯影，接著，用水清洗30 秒鐘。然后，利用AURUM-302(商品名，關(guān)東化學(xué)（株）制）進(jìn)行蝕刻處理5分鐘，然后用水 清洗 30 秒鐘。在AZRemover100 (商品名，AZElectronicMaterialsCo巧.制）中浸潰 5分鐘將抗蝕劑剝離，用水清洗30秒鐘后，于120°C加熱干燥20分鐘，由此形成源電極5及 漏電極6。 陽168] 使上述兩電極的寬度（溝道寬度）為IOOym、兩電極的間隔（溝道長度）為 10ym。使用噴射裝置（ClusterTechnologyCo. ,Ltd.制）在形成有電極的襯底上滴入 400pl的采用上述（1)中記載的方法制作的半導(dǎo)體溶液A，在加熱板上在氮?dú)饬飨掠?50°C 進(jìn)行30分鐘熱處理，形成半導(dǎo)體層4。得到FET。
[0169] 接下來，測定改變上述FET的柵極電壓（Vg)時(shí)的源極?漏極間電流（Id)-源 極?漏極間電壓（Vsd)特性。就測定而言，使用半導(dǎo)體特性評(píng)價(jià)系統(tǒng)4200-SCS型化eithley InstrumentsInc.制）在空氣（氣溫20°C、濕度35%)中進(jìn)行測定。由在Vg= +20~-20V 變化時(shí)的Vsd= -5V處的Id的值的變化求出線性區(qū)域的遷移率，結(jié)果為0. 42cm7v?sec。 此外，由Id-Vg圖中的線性部分的延長線與Vg軸的交點(diǎn)求出闊值電壓，結(jié)果為0.5V，Vg =-20V處的漏電流值為6. 9pA。進(jìn)而，通過X射線光電子能譜法分析此時(shí)的柵極絕緣層，結(jié) 果相對(duì)于碳原子和娃原子的總量100重量份而言侶原子為21. 0重量份。
[0170] 比較例1 陽17U使AlumichelateD為2. 6g、PGMEA為52. 4g，除此之外與實(shí)施例1的似同樣地 操作來制作絕緣材料溶液B。本溶液中的聚硅氧烷的含量相對(duì)于AlumichelateD100重量 份而言為100重量份。接著，使用上述絕緣材料溶液B形成柵極絕緣層，除此之外，與實(shí)施 例1同樣地操作來制作FET，測定特性。將上述絕緣材料溶液B在空氣中于室溫保存，結(jié)果 即使經(jīng)過1個(gè)月也未觀察到析出物，是穩(wěn)定的。由在Vg= +20~-20V變化時(shí)的Vsd= -5V 處的Id的值的變化求出線性區(qū)域的遷移率，結(jié)果為0. 38cm2/V?sec。此外，由Id-Vg圖中 的線性部分的延長線與Vg軸的交點(diǎn)求出闊值電壓，結(jié)果為0. 5V，但Vg= -20V處的漏電流 值為56. 5pA，是較大的值。通過X射線光電子能譜法分析此時(shí)的柵極絕緣層，結(jié)果相對(duì)于碳 原子和娃原子的總量100重量份而言侶原子為9. 5重量份，是較小的值。
[0172] 比較例2 陽17引使AlumichelateD為1. 3g、PGMEA為53. 7g，除此之外，與實(shí)施例1的（2)同樣地 操作來制作絕緣材料溶液C。本溶液中的聚硅氧烷的含量相對(duì)于AlumichelateD100重量 份而言為200重量份。接著，使用上述絕緣材料溶液C形成柵極絕緣層，除此之外，與實(shí)施 例1同樣地操作來制作FET，測定特性。在空氣中于室溫保存上述絕緣材料溶液C，結(jié)果即 使經(jīng)過1個(gè)月也未觀察到析出物，是穩(wěn)定的。由在Vg= +20~-20V變化時(shí)的Vsd= -5V 處的Id的值的變化求出線性區(qū)域的遷移率，結(jié)果為0. 39cm2/V?sec。此外，由Id-Vg圖中 的線性部分的延長線與Vg軸的交點(diǎn)求出闊值電壓，結(jié)果為1. 2V，但Vg= -20V處的漏電流 值為43.IpA，為較大的值。通過X射線光電子能譜法分析此時(shí)的柵極絕緣層，結(jié)果相對(duì)于碳 原子和娃原子的總量100重量份而言侶原子為7. 5重量份，是較小的值。
[0174] 比較例3 陽17引 使AlumichelateD為0. 13g、PGMEA為54. 4g，除此之外，與實(shí)施例1的似同樣 地操作來制作絕緣材料溶液D。本溶液中的聚硅氧烷的含量相對(duì)于AlumichelateD100重 量份而言為2000重量份。接著，使用上述絕緣材料溶液D形成柵極絕緣層，除此之外，與實(shí) 施例1同樣地操作來制作FET，測定特性。在空氣中于室溫保存上述絕緣材料溶液D，結(jié)果 即使經(jīng)過1個(gè)月也未觀察到析出物，是穩(wěn)定的。由在Vg= +20~-20V變化時(shí)的Vsd= -5V 處的Id的值的變化求出線性區(qū)域的遷移率，結(jié)果為0. 27cm2/V?sec。此外，由Id-Vg圖中 的線性部分的延長線與Vg軸的交點(diǎn)求出闊值電壓，結(jié)果為10. 5V，是較大的值。Vg= -20V 處的漏電流值為9.IpA。通過X射線光電子能譜法分析此時(shí)的柵極絕