周圍進(jìn)行所有步驟，因此能使基板處理部PR內(nèi)的裝置的布置簡(jiǎn)單化。
[0078](第三實(shí)施形態(tài))
[0079 ]接著，說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置。
[0080]圖4是顯示基板處理裝置FPA3的構(gòu)成的俯視圖。在基板處理裝置FPA3，基板處理部PR的構(gòu)成與第一實(shí)施形態(tài)不同。其他構(gòu)成能與例如第一實(shí)施形態(tài)為相同構(gòu)成。本實(shí)施形態(tài)中，以該不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。
[0081]如圖4所示，基板處理裝置FPA3的構(gòu)成，是在基板處理部PR設(shè)置多個(gè)在第二實(shí)施形態(tài)說(shuō)明的處理搬送滾筒。本實(shí)施形態(tài)中，基板處理部PR的搬送裝置230具有導(dǎo)引滾筒Rlll?R114與處理搬送滾筒231?233。
[0082]導(dǎo)引滾筒Rlll?R114及處理搬送滾筒231?233是分別形成為圓筒狀，配置成中心軸分別與Z方向平行。處理搬送滾筒231?233是形成為較導(dǎo)引滾筒Rlll?R114大徑。片狀基板FB是以豎立狀態(tài)張?jiān)O(shè)在該處理搬送滾筒231?233及導(dǎo)引滾筒Rlll?R114。如上述，在基板處理部PR，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)被搬送。
[0083]作為搬送裝置230的配置，例如導(dǎo)引滾筒Rl11?Rl 14是以縱橫各并排二列的狀態(tài)配置在腔室CB的大致中央部。又，處理搬送滾筒231?233是配置成從三方向(一X方向、+Y方向、一X方向)圍繞該四個(gè)導(dǎo)引滾筒Rlll?R114。
[0084]基板處理部PR，在處理搬送滾筒231?233的周圍以沿著該處理搬送滾筒231?233的圓筒面的方式分別配置有多個(gè)處理裝置241?243。作為該處理裝置241?243，是使用例如在第一實(shí)施形態(tài)說(shuō)明的各種處理裝置。例如，作為處理裝置241是使用進(jìn)行TFT層形成步驟的各處理裝置，作為處理裝置242是使用進(jìn)行發(fā)光層形成步驟的前置處理(預(yù)備步驟)的各處理裝置，作為處理裝置243是使用進(jìn)行發(fā)光層形成步驟的各處理裝置亦可。各處理裝置241?243是朝向例如處理搬送滾筒231?233。
[0085]基板處理部PR，多個(gè)處理搬送滾筒231?233是形成為例如圓筒狀，配置成中心軸與Z方向平行。處理搬送滾筒231是設(shè)成可在例如ΘΖ方向旋轉(zhuǎn)。
[0086]處理搬送滾筒231?233具有例如未圖標(biāo)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是借助例如控制部CONT控制。從供應(yīng)口 SUa供應(yīng)的片狀基板FB是張?jiān)O(shè)在該處理搬送滾筒231?233并搬送至回收口CLa。在處理搬送滾筒231?233，以例如被處理面Fp朝向外側(cè)的方式張?jiān)O(shè)片狀基板FB。另一方面，在導(dǎo)引滾筒Rlll?R114，以被處理面Fp朝向內(nèi)側(cè)的方式張?jiān)O(shè)片狀基板FB0
[0087]在上述基板處理裝置FPA3，從基板供應(yīng)部SU對(duì)基板處理部PR以豎立狀態(tài)供應(yīng)片狀基板FB。片狀基板FB，是在基板處理部PR以豎立狀態(tài)張?jiān)O(shè)在處理搬送滾筒231?233被搬送至基板回收部CL。又，借助多個(gè)處理裝置241?243，對(duì)例如以豎立狀態(tài)張?jiān)O(shè)在處理搬送滾筒231?233的片狀基板FB分別依序進(jìn)行處理。
[0088]如上述，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，借助使用多個(gè)處理搬送滾筒231?233，能在例如多個(gè)區(qū)域分別使連續(xù)的處理分擔(dān)進(jìn)行。由此，能增加布置的選擇寬度。又，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，由于為導(dǎo)引滾筒Rlll?R114集中在例如腔室CB的中央部的構(gòu)成，因此借助例如使干燥裝置等處理裝置244配置在該腔室CB的中央部，能使在各處理搬送滾筒231?233處理后的片狀基板FB的干燥處理等的處理共通化。由此，可謀求省空間化。
[0089](第四實(shí)施形態(tài))
[0090]以下，參照?qǐng)D式說(shuō)明本發(fā)明第四實(shí)施形態(tài)。以下，適當(dāng)省略關(guān)于賦予與上述實(shí)施形態(tài)相同符號(hào)的構(gòu)成品的說(shuō)明。
[0091 ]圖5是顯示基板處理裝置FPA的構(gòu)成的立體圖。圖6是顯示基板處理裝置FPA的構(gòu)成的俯視圖。
[0092]在第四實(shí)施形態(tài)，搬送裝置30具有多個(gè)(例如10個(gè))導(dǎo)引滾筒Rl?R10、桶機(jī)構(gòu)DRM、處理滾筒32。導(dǎo)引滾筒Rl?R8將片狀基板FB從基板供應(yīng)部SU導(dǎo)引至基板回收部CL。導(dǎo)引滾筒R9及RlO將保護(hù)基板PB以與片狀基板FB不同的路徑從基板供應(yīng)部SU導(dǎo)引至基板回收部CL。此外，設(shè)桶機(jī)構(gòu)DRM為第一桶機(jī)構(gòu)、處理滾筒32為第二桶機(jī)構(gòu)亦可。
[0093]導(dǎo)引滾筒Rl?R3，R6?RlO是配置成例如旋轉(zhuǎn)軸與Z軸方向大致平行。因此，在導(dǎo)引滾筒Rl?R3，R6?R8，片狀基板FB是以豎立狀態(tài)張?jiān)O(shè)。又，在導(dǎo)引滾筒R9及RlO，保護(hù)基板I3B是以豎立狀態(tài)張?jiān)O(shè)。導(dǎo)引滾筒Rl?RlO為設(shè)有例如驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的構(gòu)成亦可。關(guān)于卷繞有例如片狀基板FB的被處理面Fp的導(dǎo)引滾筒Rl，R4，R7，R8，為在圓筒面設(shè)有形成氣體層(空氣軸承)的未圖示的氣體層形成裝置的構(gòu)成亦可。不論如何，本實(shí)施形態(tài)的情形，片狀基板FB是保持既定張力被搬送于至少導(dǎo)引滾筒Rl?R9之間。
[0094]圖7是顯示基板處理部PR的中桶機(jī)構(gòu)DRM的附近的構(gòu)成的立體圖。
[0095]如圖7所示，桶機(jī)構(gòu)DRM具有配置成旋轉(zhuǎn)中心軸與Z方向大致平行的圓筒構(gòu)件CYL、及將該圓筒構(gòu)件CYL支承成可在圓周方向旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(驅(qū)動(dòng)部)ACT。圓筒構(gòu)件CYL具有第一圓筒部(第I滾筒)CY1、第二圓筒部(第2滾筒)CY2、及導(dǎo)引部G。
[0096]第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2是分別為該圓筒構(gòu)件CYL的圓筒面的一部分。由于第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2皆為一個(gè)圓筒構(gòu)件CYL的一部分，因此若圓筒構(gòu)件CYL旋轉(zhuǎn)則第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2會(huì)一體旋轉(zhuǎn)。
[0097]第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2是借助例如導(dǎo)引部G在Z方向分割。亦即，第二圓筒部CY2，相對(duì)于第一圓筒部CYl在Z方向的位置、亦即在相對(duì)于水平方向交叉的方向的位置不同。第一圓筒部CYl是配置在導(dǎo)引部G的+Z側(cè)(上方)，第二圓筒部CY2是配置在導(dǎo)引部G的一 Z側(cè)(下方)。第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2是形成為例如彼此具有相等的徑。第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2是形成為較例如導(dǎo)引滾筒Rl?RlO大徑(例如直徑Im以上)。導(dǎo)引部G是以片狀基板FB之中卷繞于第一圓筒部CYl的部分及卷繞于第二圓筒部CY2的部分沿著與XY平面平行的面搬送的方式進(jìn)行導(dǎo)引。
[0098]在片狀基板FB的搬送路徑，在第一圓筒部CYl與第二圓筒部CY2之間配置有導(dǎo)引滾筒R2?R5。導(dǎo)引滾筒R2將被第一圓筒部CYl以半周程折返成U字狀并往+X方向搬送的片狀基板FB往一 Y方向折返。導(dǎo)引滾筒R3將往一 Y方向折返后的片狀基板FB往一 X方向折返。
[0099]導(dǎo)引滾筒R4及R5，是以例如+Z側(cè)的端部往+X側(cè)傾斜的狀態(tài)配置。導(dǎo)引滾筒R4將通過(guò)導(dǎo)引滾筒R3導(dǎo)引至一 X方向的片狀基板FB往斜下方向(+X方向且往一 Z側(cè)傾斜的方向)折返。導(dǎo)引滾筒R5是配置在導(dǎo)引滾筒R4的斜下方向(+X方向且往一 Z側(cè)傾斜的方向)上。導(dǎo)引滾筒R5將從導(dǎo)引滾筒R4往斜下方向搬送的片狀基板FB往一 X方向折返，使其朝向第二圓筒部CY2。
[0100]導(dǎo)引滾筒R4及R5，在圖7的構(gòu)成的情形，設(shè)定成其旋轉(zhuǎn)軸線保持彼此大致平行且在XZ平面內(nèi)傾斜既定量。
[0101]又，在導(dǎo)引滾筒R4及R5設(shè)有可調(diào)整例如旋轉(zhuǎn)軸的傾斜(傾斜量或傾斜方向)的致動(dòng)器。借助調(diào)整導(dǎo)引滾筒R4及R5的至少一個(gè)的該旋轉(zhuǎn)軸的傾斜狀態(tài)，能使從導(dǎo)引滾筒R5往一 X方向送出的片狀基板FB的搬送方向成為水平(與X軸平行)并同時(shí)將片狀基板的Z方向的位置維持成大致一定。導(dǎo)引滾筒R4及R5的至少一個(gè)的旋轉(zhuǎn)軸的傾斜狀態(tài)的調(diào)整，可借助接收來(lái)自精密監(jiān)測(cè)從導(dǎo)引滾筒R5往一 X方向送出的片狀基板FB的姿勢(shì)或位置的變化的傳感器的測(cè)量訊號(hào)的控制部CONT驅(qū)動(dòng)傾斜調(diào)整用的致動(dòng)器來(lái)控制。
[0102]如上述，導(dǎo)引滾筒R2?R5是以卷繞在第一圓筒部CYl的外周面后的片狀基板FB的搬送方向朝向第二圓筒部CY2的方向的方式轉(zhuǎn)換片狀基板FB的搬送方向。尤其是，能借助導(dǎo)引滾筒R4，R5的對(duì)，不改變片狀基板FB的搬送方向(一X方向)而僅使Z方向的高度位置偏移既定量(本實(shí)施形態(tài)中為片狀基板FB的Z方向的寬度量以上)。此外，如本實(shí)施形態(tài)般，使片狀基板折返往Z方向平行偏移的情形，在導(dǎo)引滾筒R4及R5之間片狀基板FB在XZ面內(nèi)被傾斜搬送，但此傾斜量是根據(jù)片狀基板的寬度量、導(dǎo)引滾筒R4，R5的X方向的間隔、導(dǎo)引滾筒R4，R5的旋轉(zhuǎn)中心軸的傾斜角度或傾斜方向等以幾何學(xué)方式?jīng)Q定。是以，本實(shí)施形態(tài)的情形，若使導(dǎo)引滾筒R4，R5以各旋轉(zhuǎn)中心軸在XZ面內(nèi)皆傾斜45度的方式在Z方向的上下并置，則使在導(dǎo)引滾筒R4及R5之間行進(jìn)的片狀基板垂直(傾斜量90度)亦可。
[0103]又，借助導(dǎo)引滾筒R2?R5，片狀基板FB是導(dǎo)引至例如在導(dǎo)引滾筒Rl的位置被導(dǎo)引的片狀基板FB的一Z側(cè)(下側(cè))的空間。如上述，本實(shí)施形態(tài)中，相對(duì)于片狀基板FB往第一圓筒部CYl的卷繞方向，片狀基板FB往第二圓筒部CY2的卷繞方向相同，以片狀基板FB的表面背面不反轉(zhuǎn)的方式，借助導(dǎo)引滾筒R2?R5導(dǎo)引片狀基板FB。
[0104]如圖5及圖6所示，處理滾筒32是配置在例如導(dǎo)引滾筒Rl?R4的片狀基板FB的導(dǎo)引路徑。處理滾筒32是形成為例如圓筒狀。處理滾筒32是配置成例如中心軸與Z方向大致平行，片狀基板FB以豎立狀態(tài)張?jiān)O(shè)。處理滾筒32是形成為較例如導(dǎo)引滾筒Rl?RlO大徑。該處理滾筒32的徑構(gòu)成為與上述第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2大致等徑亦可。
[0105]洗凈裝置41是用以使從腔室CB的外部往內(nèi)部供應(yīng)的片狀基板FB或保護(hù)基板PB潔凈化而設(shè)，具有洗凈片狀基板FB的第一洗凈裝置41A及洗凈保護(hù)基板PB的第二洗凈裝置41B。第一洗凈裝置41A是設(shè)在片狀基板FB的搬送路徑例如供應(yīng)口 SUa(參照?qǐng)D6)與圓筒構(gòu)件CYL之間。又，第二洗凈裝置41B是設(shè)在保護(hù)基板PB的搬送路徑例如供應(yīng)口 SUb與層壓裝置46之間。
[0106]配置在桶機(jī)構(gòu)DRM的周圍的TFT層形成裝置42是形成用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL組件的TFT組件或電極、配線層等的裝置。TFT層形成裝置42具有例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C。第一形成裝置42A是配置在圓筒構(gòu)件CYL的一 Y側(cè)。第二形成裝置42B是配置在圓筒構(gòu)件CYL的一 X側(cè)。第三形成裝置42C是配置在圓筒構(gòu)件CYL的+Y側(cè)。
[0107]如上述，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C是設(shè)在圓筒構(gòu)件CYL的周圍，形成TFT組件及電極、配線層等的一連串步驟是借助例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分擔(dān)進(jìn)行。
[0108]圖8是顯示第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C與桶機(jī)構(gòu)DRM的圓筒構(gòu)件CYL的關(guān)系的圖。
[0109]如圖8所示，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分別具有二個(gè)處理部42A1及42A2、處理部42B1及42B2、處理部42C1及42C2。處理部42A1，42B1，42C1是分別與第一圓筒部CYl面對(duì)設(shè)置，可對(duì)張?jiān)O(shè)在該第一圓筒部CYl的片狀基板FB進(jìn)行處理。處理部42A2，42B2，42C2是分別與第二圓筒部CY2面對(duì)設(shè)置，可對(duì)張?jiān)O(shè)在該第二圓筒部CY2的片狀基板FB進(jìn)行處理。如上述，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C可對(duì)以豎立狀態(tài)卷繞的片狀基板FB進(jìn)行處理。此外，第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2，在進(jìn)行TFT層形成裝置42的處理時(shí)，成為支承片狀基板FB的支承部。
[0110]又，第一圓筒部CYl及第二圓筒部CY2成為支承片狀基板FB的支承部的情形，將桶機(jī)構(gòu)稱為支承機(jī)構(gòu)亦可。
[0111]如圖5?圖7所示，干燥裝置43是借助例如加熱片狀基板FB以使形成在該片狀基板FB的TFT組件或電極等穩(wěn)定化的裝置。在干燥裝置43的一 X側(cè)的面，如圖7所示設(shè)有二個(gè)插入口 43a及43b ο插入口 43a是配置在+Z側(cè)，插入有經(jīng)過(guò)第一圓筒部CYl后的片狀基板FB。插入口43b是配置在一 Z側(cè)，插入有經(jīng)過(guò)第二圓筒部CY2后的片狀基板FB。
[0112]在干燥裝置43的+X側(cè)的面，設(shè)有二個(gè)排出口43c及43d。排出口 43c是配置在+Z側(cè)，供從插入口 43a插入并進(jìn)行干燥處理后的片狀基板FB排出。排出口 43d是配置在一 Z側(cè)，供從插入口 43b插入并進(jìn)行干燥處理后的片狀基板FB排出。
[0113]如圖5及圖6所示，預(yù)備加工裝置44是進(jìn)行在片狀基板FB形成發(fā)光層時(shí)的預(yù)備步驟(例如，絕緣層形成步驟等)的裝置。預(yù)備加工裝置44是與干燥裝置